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什么是柵極－源極電壓產生的浪涌？
MOSFET和IGBT等功率半導體作為開關元件已被廣泛應用于各種電源應用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來的應用速度與日俱增，它的工作速度非常快，以至于開關時的電壓和電流的變化已經無法忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當SiC MOSFET本身的電...
2021-06-10
柵極 源極電壓 浪涌
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A2B技術和數字麥克風如何在新興汽車應用中實現出色的性能
這篇關于Automotive Audio Bus? (A2B?，汽車音頻總線）技術的文章介紹數字麥克風和連接技術的最新進展。這些創新正在促使支持新世代汽車信息娛樂系統的變革性應用得到迅速采用。
2021-06-09
A2B技術 數字麥克風 新興汽車應用
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用于快速測試電路信號響應的袖珍型白噪聲發生器
電路中的噪聲通常都是有害的，任何好電路都應該輸出盡可能低的噪聲。盡管如此，在某些情況下，一個特性明確且沒有其他信號的噪聲源就是所需的輸出。
2021-06-04
測試 電路信號 白噪聲發生器
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電磁干擾的標準、成因和緩解技術
工業、汽車與個人計算應用中的電子系統愈發密集且互相連接。為了改善這類系統的尺寸和功能，因此在封裝各種不同電路時皆采取近封裝距離。有鑒于前述限制，降低電磁干擾(EMI)影響也逐漸成為重要的系統設計考慮。
2021-06-03
EMI 標準 成因 緩解技術
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如何抑制來自開關電源的復雜的FM頻段傳導輻射？
如何抑制來自開關電源的復雜的FM頻段傳導輻射？雖然EMI屏蔽和鐵氧體夾是較受歡迎的EMI解決方案，但它們價格昂貴、體積笨重，有時使用效果不理想。我們可以通過了解FM頻段EMI噪聲的來源，以及利用電路和PCB設計技術從源頭進行抑制，以降低這些噪聲。
2021-06-03
抑制 FM頻段 EMI
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CTSD精密ADC — 第3部分：實現固有混疊抑制
在CTSD精密ADC系列文章的第3部分，我們將重點闡述CTSD ADC的無混疊特性，它可在不增加任何外圍設計的情況下提高抗干擾能力。第1部分 展示了一種新的基于連續時間∑-? DAC(CTSD)架構、易于使用的無混疊精密ADC，可提供簡單、緊湊的信號鏈解決方案。 第2部分 向信號鏈設計人員介紹了CTSD技術。本文比較...
2021-06-03
CTSD ADC 混疊抑制
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與模數轉換器的噪聲相比，電阻噪聲怎么樣？
模數轉換器的總噪聲頻譜密度性能實際上反映為一系列參數，如熱噪聲、抖動以及量化噪聲——也就是特定帶寬（BW）上的信噪比（SNR）。在設計人員試圖理 解被采樣信號中的轉換器最低可分辨“步進”時，轉換器數據手冊中給出的信噪比可以給他們提供現實的期望值。這個步進也被稱為最低有效位或LSB。對于一個...
2021-06-02
模數轉換器 噪聲 電阻噪聲
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火星“訪客”不斷的背后，是一條電子設備與輻射的對抗之路
作為人類深空探測最熱門的焦點，火星近來“訪客”不斷。2021年5月15日，一輛以中國神話傳說中火神命名的小車——“祝融號”跨越4.5億公里浩瀚宇宙，成功登陸火星北半球的烏托邦平原。
2021-06-01
火星 電子設備 輻射
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芯和半導體片上無源電磁場仿真套件成功通過三星8LPP工藝認證
2021年5月14日，中國上海訊——國內EDA行業領導者，芯和半導體科技（上海）有限公司（以下簡稱“芯和半導體”）宣布，其片上無源電磁場（EM）仿真套件已成功通過三星晶圓廠的8納米低功耗（8LPP）工藝技術認證。該套件包含了快速三維電磁場仿真器IRIS和快速自動PDK建模工具iModeler，此次認證能顯著地提...
2021-05-14
芯和半導體 片上無源電磁場 三星8LPP工藝認證
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