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如何有效地比較CMOS開關和固態繼電器的性能
源極和漏極之間的關斷電容CDS(OFF)可用來衡量關斷開關后，源極信號耦合到漏極的能力。它是固態繼電器（如PhotoMOS?、OptoMOS?、光繼電器或MOSFET繼電器）中常見的規格參數，在固態繼電器數據手冊中通常稱為輸出電容COUT。CMOS開關通常不包含此規格參數，但關斷隔離度是表征相同現象的另一種方法，關...
2022-06-20
CMOS開關 固態繼電器
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功率半導體冷知識之二：IGBT短路時的損耗
IGBT主要用于電機驅動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現。
2022-06-17
功率半導體 IGBT 損耗
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有源前端整流器
介紹針對電動汽車充電器的最佳SiC功率拓撲和調制決策的設計技巧，利用指導拓撲和調制決策，有助于消除不可行選項，轉而關注那些可能表現良好的選項。
2022-06-17
電動汽車 整流器
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集成智能第1部分：EMI管理
智能的集成電機驅動器和無刷直流 (BLDC) 電機都有助于使電動汽車和下一代汽車更具吸引力、更安全和更可靠。集成電機驅動器組合了驅動電機所需的一切，例如場效應晶體管 (FET)、柵極驅動器和狀態機（如圖1所示）。集成可消除從電子控制單元 (ECU) 到電機的長布線，并具有印刷電路板 (PCB) 尺寸更小和...
2022-06-16
電機驅動器BLDC EMI
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SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
隨著制備技術的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關產品的研發與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應用領域的發展，更是不容小覷。
2022-06-15
SiC MOSFET 驅動電壓
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25kW SiC直流快充設計指南(第六部分)：用于電源模塊的柵極驅動系統
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發。圖1代表到目前為止所討論的系統。
2022-06-15
直流快充 電源模塊 柵極驅動
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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優秀的SiC功率解決方案
UnitedSiC（現名Qorvo）擴充了其1200V產品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術推廣到電壓更高的應用中。新UF4C/SC系列中的六款新產品的規格從23毫歐到70毫歐，現以TO247-4L（采用開爾文連接）封裝提供，而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發布的SiC FET具有不凡的性能，...
2022-06-15
SiC FET 高壓市場 解決方案
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對于光耦前向耦合電流增益的特性進行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對于光耦前向耦合電流增益的特性進行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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