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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅動器使用指南
SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件...
2023-07-26
SiC MOSFET 隔離柵極驅動器
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全集成汽車USB Type-A和USB Type-C充電器控制芯片
汽車中控系統通常都會提供一個 USB 充電端口，該端口需要在傳輸數據的同時為移動設備充電。對這些系統而言，選擇帶 USB 限流開關的汽車級 IC 非常重要。本文將介紹 MPS 的 USB 充電端口降壓變換器 MPQ4228-C-AEC1，以及如何將其高效率的優勢應用于 USB 集線器和其他 USB Type-C 、USB Type-A 應用中。
2023-07-25
USB Type-C 充電器 控制芯片
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借助更多的選項響應正反饋
負反饋什么時候會變成正反饋？當控制工程師想要實現不錯的增益和相位裕度時。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何為設計人員提供理想性能和多種器件選擇，同時支持更高的設計靈活性，從而實現成本效益最優的功率設計。
2023-07-24
SiC FET 正反饋
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華潤微總裁李虹：中國半導體市場下滑趨勢有到底跡象！
6月17日，在廣州南沙召開的第二屆中國?南沙國際集成電路產業論壇（2023 IC NANSHA）上，國內IDM大廠華潤微（SH688396）總裁李虹在演講中表示，中國半導體市場規模在過去的一年當中，增速弱于全球，呈現周期性衰退，但下滑趨勢有到底跡象。
2023-07-24
華潤微 中國半導體 市場下滑
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工程師必須知道的大電流單通道柵極驅動器設計技巧
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅動器，內置電流隔離功能，用于在高功率應用中實現高系統效率和可靠性。其特性包括：互補輸入（IN+ 和 IN-），開漏故障（1686908889869977.png）和就緒 (RDY) 輸出，復位或清除故障功能（1686908875512772.png），有源米勒箝位 (CLAMP)，去飽和保護 (DESAT)，去飽和...
2023-07-21
柵極驅動器 設計技巧
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百度智能云AI技術加身，自動駕駛量變到質變倍道兼行
當前，自動駕駛技術的發展可謂日新月異，不過離最高級別還相去甚遠。2022年，自動駕駛行業在喜憂參半中前行，一方面，眾多自動駕駛公司估值縮水、裁員倒閉，高級別自動駕駛技術商業化落地尚需時日；另一方面，國內自動駕駛利好政策密集出臺，首次實現立法突破，自動駕駛測試區不斷增加。
2023-07-20
百度智能云 AI 自動駕駛
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深度剖析IGBT柵極驅動注意事項
IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發射極。就柵極驅動而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。
2023-07-20
IGBT 柵極驅動 注意事項
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貿澤電子第六次斬獲Molex年度全球優質服務代理商獎
2023年7月19日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) ，宣布榮獲全球電子產品知名企業和連接創新者Molex頒發的2022年度全球優質服務（目錄）代理商獎。這也是貿澤第六次斬獲這一全球知名獎項，貿澤憑借2022年度全球客戶數大幅增長，以及增...
2023-07-19
貿澤電子 Molex
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高層專訪 | 感知未來，照亮世界，艾邁斯歐司朗的穩健前行
自ams于2019年宣布收購OSRAM并成立艾邁斯歐司朗集團（ams OSRAM）以后，這家光學解決方案的全球領導者就穩步發展，“傳感即生活”也一如既往地成為這家光學巨頭的發展愿景。
2023-07-19
艾邁斯歐司朗 傳感器
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