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RF/微波

RF射頻電路設計問題分析

通常情況下，對于微波以下頻段的電路(包括低頻和低頻數字電路)，在全面掌握各類設計原則前提下的仔細規劃是一次性成功設計的保證。對于微波以上頻段和高頻的PC類數字電路。則需要2~3個版本的PCB方能保證電路品質。而對于微波以上頻段的RF電路．則往往需要更多版本的：PCB設計并不斷完善，而且是在具...

2010-12-01

RF射頻干擾輻射干擾

飛思卡爾半導體推出RF LDMOS組合適用于航空航天工業與商業

飛思卡爾半導體公司以合理的性價比點，面向OEM（原始設備制造商）推出三款先進的工業RF功率晶體管。增強的耐用性與領先的RF性能結合，使OEM廠商能夠大幅縮減在工業和商用航空航天領域的系統級設計成本。

2010-11-24

RF LDMOS 飛思卡爾半導體航空航天工業

雷達發射機的調制器電路設計

調制器是雷達發射機中的一個比較重要的組成部分，其主要作用是給雷達發射機的行波管提供正負偏電壓、燈絲電壓以及調制脈沖。本文將對雷達發射機的調制器電路設計進行分析，目的是使雷達維修人員能夠更快速準確地找到并排除雷達調制器的常見故障...

2010-11-23

雷達發射機調制器脈沖

MRFE6VP6300H：飛思卡爾推出R FLDMOS功率管用于推拉式或單端配置

飛思卡爾半導體推出一款R FLDMOS功率管，工作頻率為1.8至600MHz，最適于在CO2激光器、等離子體發生器和磁共振成像（MRI）掃描儀等應用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。新MRFE6VP6300HFET是世界首款50V LDMOS晶體管，在電壓駐波比（VSWR）為65:1的負載中提供300W CW的全額定輸出功率。

2010-11-16

MRFE6VP6300H 飛思卡爾功率管

RFID芯片的攻擊技術分析

本文以采用磁耦合和CMOS工藝的RFID產品為例，簡要介紹了此類芯片的構成，在列舉各種破壞性/非破壞性攻擊手段的基礎上，從軟/硬件角度分析現有的各種安全措施如何在設計階段應對這些攻擊，或使攻擊變得難以實施，以及如何避免不良的設計...

2010-11-15

RFID 智能卡 IC卡 RFAFE

MEMS傳感器市場前景廣闊

傳感器是能感受規定的被測量，并能按照一定的規律轉換成可用輸出信號的器件或裝置。傳感器作為現代科技的前沿技術，被認為是現代信息技術的三大支柱之一。有市場報告顯示，預計2010年全球傳感器市場可達600億美元以上。我國傳感器市場的增長率超過15%，預計2009年為430億元。

2010-11-03

MEMS傳感器汽車電子消費電子

電子標簽產業將迎來跳躍式增長契機

日前，國務院辦公廳發布《關于進一步加強乳品質量安全工作的通知》：2011年底前，完成嬰幼兒配方乳粉和原料乳粉電子信息追溯系統建設和相關標準、法規的制定，并逐步在乳品行業推行電子信息追溯系統。

2010-10-09

電子標簽 RFID 電子信息追溯系統

Freescale推出3款功率晶體管滿足Doherty放大器體系結構的特殊要求

飛思卡爾半導體推出3款新型RF LDMOS功率晶體管，提供在無線基站收發器里使用Doherty多載波功率放大器（MCPA）要求的超高輸出電平。

2010-10-08

Freescale RF LDMOS 晶體管 Doherty

通信網中的時間同步問題分析

目前通信網中的各種設備之間的時間誤差非常大。通信網的計費，運營管理，事件記錄和故障判別需要統一的時間標準。現代通信網設備日益采用計算機平臺，日益IP化。采用軟交換技術，時間同步采用TCP/IP時間協議NTP協議成為趨勢。本文為你講述通信網中的時間同步問題分析

2010-10-06

通信網時間同步授時技術

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