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IGBT的并聯知識點梳理：靜態變化、動態變化、熱系數
大功率系統需要并聯 IGBT來處理高達數十千瓦甚至數百千瓦的負載，并聯器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯器件的靜態和動態電流分配。系統設計工程師需要了解這些，...
2025-01-18
IGBT 并聯 靜態變化 動態變化 熱系數
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用于狀態監測的振動傳感器
機械振動可能由于內部或外部因素而發生。內部因素是機器條件所固有的。內部因素的例子有磨損、不平衡力和共振。當齒輪、滾柱軸承和傳動皮帶等高強度運動部件磨損時，磨損會產生振動。不平衡力可能是由于機器軸未對準或旋轉軸周圍的重量不平衡造成的。共振是一種可以放大振動的現象。當一個物體的振...
2025-01-14
狀態監測 振動傳感器
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第13講：超小型全SiC DIPIPM
三菱電機從1997年開始將DIPIPM產品化，廣泛應用于空調、洗衣機、冰箱等白色家用電器，以及通用變頻器、機器人等工業設備。本公司的DIPIPM功率模塊采用壓注模結構，由功率芯片和具有驅動及保護功能的控制IC芯片組成。通過優化功率芯片和控制IC，預先調整了開關速度等特性。搭載驅動電路、保護電路、...
2025-01-12
SiC DIPIPM
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深化綠色承諾，ST與彭水共繪可持續發展新篇章
作為全球最早承諾實現碳中和的半導體企業之一，意法半導體將可持續發展視為釋放企業競爭力，推動產業增長的重要手段。通過研發碳化硅等綠色技術和產品，堅持可持續發展的方式，打造為利益相關者創造長遠價值的可持續企業，助力全球綠色生產力的蓬勃發展。
2025-01-09
ST 彭水 可持續發展
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原來為硅MOSFET設計的DC－DC控制器能否用來驅動GaNFET?
眾所周知，GaNFET比較難驅動，如果使用原本用于驅動硅(Si) MOSFET的驅動器，可能需要額外增加保護元件。適當選擇正確的驅動電壓和一些小型保護電路，可以為四開關降壓-升壓控制器提供安全、一體化、高頻率GaN驅動。
2025-01-08
硅MOSFET DC－DC控制器 GaNFET
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PNP 晶體管：特性和應用
您可能很清楚，現代電氣工程乃至整個現代世界都與晶體管設備有著千絲萬縷的聯系。這些組件既充當開關又充當放大器。盡管場效應晶體管目前在電子領域占據主導地位，但初的晶體管是雙極晶體管，并且很快個雙極結晶體管（BJT）就緊隨其后。
2025-01-08
PNP 晶體管
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柵極驅動器選得好，SiC MOSFET高效又安全
硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應用行業占據主導地位，這些應用包括不間斷電源、工業電機驅動、泵以及電動汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產品的需求，以及設計人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應用中受歡迎的替代品。
2025-01-08
柵極驅動器 SiC MOSFET
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步進電機中的脈寬調制與正弦控制
步進電機是需要運動控制的工業系統中的重要組成部分。它們依靠電機驅動來解碼脈沖輸入并生成輸出電流。良好的控制系統使用特定的算法為電機繞組產生電流，以實現步進電機旋轉的增量。該算法控制速度、位置、步長分辨率和效率。脈寬調制 (PWM) 和正弦控制等控制方法可生成運動控制所需的電流。
2025-01-02
步進電機 脈寬調制 正弦控制
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ESR 對陶瓷電容器選擇的影響（上）
在理想化的情境下，電容器的設計理論上可以追求零電阻狀態。然而，這在物理現實中無法實現，因為電容器內部總會不可避免地存在一種與電容本身串聯的內部電阻，即所謂的等效串聯電阻（ESR）。不同類型的電容器，其ESR值會有所差異，這一差異受多種因素的綜合影響，如介電材料的選用、操作頻率的高低...
2025-01-02
ESR 陶瓷電容器
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