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晶閘管選型與應用實戰指南：多維參數平衡與場景化設計深度解析
在電力電子領域，晶閘管猶如一把掌控電能流向的智能鑰匙，憑借其獨特的單向導通特性和強大的功率處理能力，在工業控制、能源轉換等領域持續發揮著重要作用。隨著電力系統復雜度的提升，如何科學選型并充分發揮其性能，已成為工程師必須掌握的核心技能。
2025-04-08
晶閘管 電力電子
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物聯網邊緣傳感器節點進化論：從單處理器到多核異構的跨越式發展
嵌入式系統正以越來越快的速度繼續其技術演進；我們家庭、車輛和工作場所中的設備功能正在突飛猛進地發展。這一進步的一個關鍵驅動因素是，即使是最小的電子設備也能夠連接到我們的現代網絡基礎設施。Wi-Fi?、藍牙?和其他連接選項使得現場更新和維護變得更加容易，同時增加了人工智能和機器學習算法...
2025-04-08
物聯網 邊緣傳感器 單處理器 嵌入式系統
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二次整流電路設計難點解析
在電源工程師歡呼有源鉗位正激轉換器(ACFC)突破50%占空比限制之際，一個被長期忽視的設計陷阱正在浮現——最小占空比(Dmin)的精細控制已成為決定系統可靠性的生死線。實測數據顯示，當Dmin低于15%時，ACFC的開關損耗會陡增300%，電磁干擾(EMI)惡化達18dBμV。
2025-04-08
二次整流電路
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碳化硅能效革命核心突破點：共源共柵（cascode）結構詳解
安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關與軟開關應用場景中展現出顯著技術優勢。其官方發布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔，通過三篇技術解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結構的核心機理。該指南不僅系統闡述共源共柵器...
2025-04-08
碳化硅 共源共柵 安森美
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福祿克聲學新品震撼上市
在全球聲學檢測技術領域，福祿克公司一直以其創新精神和卓越品質著稱。近期，福祿克發布了最新款ii1020C工業聲學成像儀，在性能、功能和用戶體驗上均實現了顯著提升，旨在為工業檢測和電力設備維護提供更為高效和精準的解決方案。
2025-04-08
福祿克
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賦能AI與能源及數字化轉型，TDK解決方案亮相慕尼黑上海電子展
TDK株式會社4月7日宣布，將于2025年4月15日至17日慕尼黑上海電子展（展位號N1.210），圍繞「為可持續的未來加速轉型」的核心理念，集中展示人工智能技術應用、綠色能源與數字化轉型的前沿創新成果，覆蓋電子應用全領域的創新技術和產品解決方案，推動各行業向更智能、更高效、更低碳的未來加速轉型。
2025-04-08
AI 能源 數字化轉型 TDK
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第18講：SiC MOSFET的動態特性
SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態電阻。驅動SiC MOSFET需要對柵極施加負偏壓，并仔細設計控制電路布線，這是為了防止噪聲干擾引起的故障。此外，閾值電壓隨著溫度升高而降低（圖1），因此建議在高溫運行期間檢查是否有異常。
2025-04-07
SiC MOSFET 閾值電壓
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相位魔法解碼：真時延技術如何實現毫米級指向精度
相控陣天線通過移相器、真時延或二者的組合，使合成波束更精確地指向陣列轉向角度內的所需方向。本文將介紹這兩種方法，以及更寬帶寬的天線陣列是如何推動真時延在其系統設計中的應用。
2025-04-07
相控陣天線 真時延技術
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CITE 2025啟幕在即：頂尖展商集結 見證巔峰時刻
科技浪潮奔涌不息，從生成式AI重新定義內容創作，到Micro LED顛覆顯示技術，從量子計算突破存儲極限，到無人機重新定義低空經濟，全球電子信息產業正以驚人的速度迭代創新。在這場技術變革的洪流中，如何捕捉趨勢、鏈接生態、賦能未來？2025年4月9日—11日，將在深圳會展中心（福田）揭曉巔峰時刻。
2025-04-07
CITE 2025 AI 存儲
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