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瞬變對AI加速卡供電的影響
圖形處理單元(GPU)、張量處理單元(TPU)和其他類型的專用集成電路(ASIC)通過提供并行處理能力來實現(xiàn)高性能計算，以滿足加速人工智能(AI)訓(xùn)練和推理工作負載的需求。
2023-11-19
瞬變 AI加速卡 供電
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NTCRP的絕緣電阻和耐壓如何測試？
TDK的NTCRP系列（NTC熱敏電阻）廣泛應(yīng)用于各種可靠性要求較高的應(yīng)用中，包括電動汽車的驅(qū)動電機和電池、工業(yè)設(shè)備的溫度檢測等。而嚴格的絕緣電阻和絕緣耐壓測試是保障用戶使用安全性和可靠性的重要措施。
2023-11-19
NTCRP 絕緣電阻 測試
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博世皇甫杰：AI的“東風(fēng)”吹到了消費級MEMS傳感器
東風(fēng)勁吹的AI和其貌不揚的傳感器，外界眼中似乎風(fēng)馬牛不相及的兩個領(lǐng)域如今也擦出了“火花”！日前，在第11屆EEVIA年度中國硬科技媒體論壇上，來自Bosch Sensortec GmbH的高級現(xiàn)場應(yīng)用工程師皇甫杰分享了博世最新搭載AI的MEMS傳感器技術(shù)和案例，讓人大耳目一新。
2023-11-18
博世 AI MEMS傳感器
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氮化鎵取代碳化硅，從PI開始？
在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產(chǎn)品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan日前結(jié)合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，詳細解釋了三類產(chǎn)品的優(yōu)...
2023-11-16
氮化鎵 碳化硅 PI
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使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝
隨著技術(shù)推進到1.5nm及更先進節(jié)點，后段器件集成將會遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實現(xiàn)具有挑戰(zhàn)性的制造工藝，需要進行工藝調(diào)整。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，我們嘗試在1.5nm節(jié)點后段自對準圖形化中使用半大馬士革方法。我們在imec生產(chǎn)...
2023-11-16
半大馬士革 后段器件
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華為汪濤：5.5G時代UBB目標網(wǎng)，躍升數(shù)字生產(chǎn)力
在2023全球超寬帶高峰論壇上，華為常務(wù)董事、ICT基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)管理委員會主任汪濤發(fā)表了“5.5G時代UBB目標網(wǎng)，躍升數(shù)字生產(chǎn)力”的主題發(fā)言，分享了超寬帶產(chǎn)業(yè)的最新思考與實踐，探討了通過升級超寬帶網(wǎng)絡(luò)（UBB），加速數(shù)字技術(shù)的普及和應(yīng)用，從而躍升數(shù)字生產(chǎn)力的觀點和戰(zhàn)略方向。
2023-11-15
華為 5.5G UBB
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長電科技CEO鄭力：封裝創(chuàng)新為半導(dǎo)體在AI領(lǐng)域應(yīng)用提供無限機會
日前，長電科技CEO鄭力出席華美半導(dǎo)體協(xié)會（CASPA）2023年年會，與眾多全球知名半導(dǎo)體企業(yè)高管圍繞“賦能AI——半導(dǎo)體如何引領(lǐng)世界未來”共同探討產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇與挑戰(zhàn)。
2023-11-14
長電科技 半導(dǎo)體 AI
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國際電子電路（深圳）展覽會（HKPCA Show）12月6-8日深圳舉辦
（中國香港/深圳，2023年11月9日）全球最具影響力及規(guī)模之一的線路板及電子組裝行業(yè)盛會——國際電子電路（深圳）展覽會(HKPCA Show)將于2023年12月6-8日，在深圳國際會展中心（寶安）5-8號館舉辦。
2023-11-13
國際電子電路 數(shù)字 人工智能
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第102屆中國電子展開幕在即，眾多集成電路優(yōu)質(zhì)企業(yè)閃亮登場
中國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，呈現(xiàn)出令人矚目的發(fā)展勢頭。近年來，在全球科技競爭中，中國科技實力不斷崛起，尤其在芯片領(lǐng)域，展現(xiàn)出了強大的創(chuàng)新能力和競爭力。目前，我國是全球主要的電子信息制造業(yè)的生產(chǎn)基地，也是全球規(guī)模最大、增速最快的集成電路市場。
2023-11-13
中國電子展 集成電路
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