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板子上的MOSFET莫名炸機，多半是這個原因！
MOSFET、IGBT是開關電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區測試，就是保障其安全工作的重要測試項目！
2021-09-07
MOSFET 炸機 開關電源
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X-FAB與派恩杰達成長期戰略合作，共同推動全球SiC產業發展
2021年9月6日，模擬晶圓代工龍頭企業X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和國產SiC功率器件供應商派恩杰聯合對外宣布，雙方就批量生產SiC晶圓建立長期戰略合作關系，此前雙方已經合作近三年時間。
2021-09-06
X-FAB SiC功率器件 派恩杰
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功率因數校正
功率因數定義為設備能夠傳輸到輸出端的能量與其從輸入電源處獲取的總能量之比。它是電子設備設計的關鍵績效指標，很多國家和國際組織都為此制定了相應的法規。例如歐盟定義了設備必須具備的最小功率因數或最大諧波水平，滿足其標準才能在歐洲市場進行銷售。
2021-09-06
功率因數 校正
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解讀數據手冊中的熱參數和IC結溫
工程師在轉換數據手冊中的熱阻參數，并做出有意義的設計決策時常常面臨很多困惑。這篇入門文章將幫助現在的硬件工程師了解如何解讀數據手冊中的熱參數，包括是否選擇 theta 與 psi、如何計算其值；更重要的是，如何更實用地將這些值應用于設計。本文還將介紹應用環境溫度之間的關系，以及它們與 PCB...
2021-09-06
數據手冊 熱參數 IC結溫
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拒絕內卷，伏達重新定義功率“觸頂”趨勢下的充電半導體技術演進路線圖
智能手機性能大戰發展到今天，硬件比拼已經從手機本身拓展到作為手機必備的充電器，無論是無線充電還是有線充電都早已進入快充時代，而對“快”的定義品牌商都不斷刷新新的高度，OPPO、小米、華為、vivo 等手機廠商無一不在快充功能上持續發力——從 20瓦 到 120瓦，一場來自手機廠商們的 “快充大戰” 幾...
2021-09-06
伏達 充電 半導體技術
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仿真看世界之IPOSIM的散熱器熱阻Rthha解析
如何評估IGBT模塊的損耗與結溫？英飛凌官網在線仿真工具IPOSIM，是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數Rthha，給大家做一些清晰和深入的解析。
2021-09-05
IGBT 英飛凌 熱阻
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芯海科技三合一單芯片解決方案CSA37F72賦能TWS多維人機交互
近年來，TWS市場持續火熱，隨著潛在用戶的需求釋放，TWS耳機市場將進一步擴大。TWS耳機將不僅僅是一個手機配件，未來更是一個獨立的智能終端。一直以來，TWS耳機“容易誤觸、操作動作單一、影響體驗”等缺點被消費者吐槽不已，如何提升TWS耳機的交互體驗，為客戶帶來創新的產品競爭力？
2021-09-05
芯海科技 TWS 多維人機交互
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你的MOSFET為什么發熱那么嚴重？
在開關電源電路中，MOSFET作為最核心的器件，卻也是最容易發熱燒毀的，那么MOSFET到底承受了什么導致發熱呢？本文來帶你具體分析。
2021-09-04
MOSFET 發熱
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無人化行業CAN-bus解決方案
無人化行業迅速發展，CAN-bus在無人配送中發揮著重要的作用。ZLG致遠電子針對目前無人行業存在的需求，提供系統的CAN-bus應用解決方案，助力無人化行業進程。
2021-09-04
無人化行業 CAN-bus 解決方案
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