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探討正電壓浪涌的對策和其效果
在上一篇文章中，給出了一個針對柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌的抑制電路示例。本文將會通過示例來探討正電壓浪涌的對策和其效果。
2022-02-11
正電壓浪涌 對策
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理想開關(guān)自身會帶來挑戰(zhàn)
隨著我們的產(chǎn)品接近邊沿速率超快的理想半導(dǎo)體開關(guān)，電壓過沖和振鈴開始成為問題。適用于SiC FET的簡單RC緩沖電路可以解決這些問題，并帶來更高的效率增益。
2022-02-10
理想開關(guān)自身會帶來挑戰(zhàn)
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如何快速了解預(yù)采購的電源器件性能？
自第二次工業(yè)革命之后，人類社會的發(fā)展和電能深度綁定，電氣/電子設(shè)備被廣泛應(yīng)用于工業(yè)、醫(yī)療、能源、交通、民生等各個領(lǐng)域。隨著用電設(shè)備從單一回路逐漸演變成為系統(tǒng)，將電能合理、有效地分配給系統(tǒng)中的每個器件尤為重要。一個優(yōu)秀的電源管理系統(tǒng)不僅能夠保障系統(tǒng)的用電安全，更是設(shè)備做到高效節(jié)能...
2022-02-10
電源器件 性能
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如何快速有效地實(shí)施靈活的EV充電系統(tǒng)？
電動汽車的發(fā)展趨勢依賴于公共服務(wù)站電動汽車 (EV) 充電基礎(chǔ)設(shè)施的預(yù)期可用性，并且可以通過在用戶的住家和工作場所安裝合適的充電系統(tǒng)來加速發(fā)展。盡管核心設(shè)計(jì)要求基本一致，但每一種系統(tǒng)都有專門的要求，從通信平臺到合規(guī)性要求等因素的地區(qū)差異又讓這種情況更加復(fù)雜。
2022-02-09
電動汽車 EV充電系統(tǒng)
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帶有空片檢測功能的STM32需注意的GPIO設(shè)計(jì)
從STM32F0部分型號開始，比如STM32F04x和STM32F09x，STM32越來越多的型號具有了空片檢測（Empty Check）功能。以前，STM32的啟動由BOOT0和BOOT1來決定，在引入了空片檢測功能之后，則在BOOT0=0的情況下，還需要分兩種情況：
2022-02-09
空片檢測 STM32 GPIO
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SiC功率器件使用過程中的常見問題集（上）
由于SiC 材料具有更高的擊穿場強(qiáng)、更好的熱穩(wěn)定性、更高的電子飽和速度及禁帶寬度，因此能夠大大提高功率器件的性能表現(xiàn)。相較于傳統(tǒng)的Si功率器件，SiC 器件具有更快的開關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度化。當(dāng)前碳化硅功率器件主...
2022-02-09
SiC功率器件 派恩杰
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針對SiC串?dāng)_抑制方法的測試報(bào)告
近年來，以SiCMOSFET 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件因其具有高開關(guān)頻率、高開關(guān)速度、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)，已成為高頻、高溫、高功率密度電力電子變換器的理想選擇。然而隨著SiC MOSFET開關(guān)速度加快，橋式電路受寄生參數(shù)影響加劇，串?dāng)_現(xiàn)象更加嚴(yán)重。由于SiC MOSFET 正向閾值電壓與負(fù)向安全電壓較小，串?dāng)_問...
2022-02-08
SiCMOSFET 串?dāng)_抑制
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開關(guān)電源設(shè)計(jì)中的頻率選擇（下）
本文是深入研究開關(guān)頻率設(shè)計(jì)的系列文章之下篇。上篇回顧了如何計(jì)算開關(guān)頻率的關(guān)鍵指標(biāo)，以及更高頻率設(shè)計(jì)的難點(diǎn)所在。本文將把這些開關(guān)頻率的概念應(yīng)用到實(shí)際場景當(dāng)中。
2022-02-07
開關(guān)電源 設(shè)計(jì) 頻率
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識別并消除次諧波振蕩
DC/DC的不穩(wěn)定是由多種因素造成的，例如補(bǔ)償參數(shù)不當(dāng)或布局不足。本文將主要討論次諧波振蕩，這是一種當(dāng)電流模式開關(guān)穩(wěn)壓器具有連續(xù)電感電流且占空比超過 50% 時可能產(chǎn)生的不穩(wěn)定形式，而這種振蕩會導(dǎo)致不穩(wěn)定的電源。
2022-02-07
消除 次諧波振蕩 開關(guān)穩(wěn)壓器
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