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美國(guó)提高太陽(yáng)能電池效率新途徑 轉(zhuǎn)換率提高50%
據(jù)世界科技報(bào)道，美國(guó)麻省理工學(xué)院研究人員通過計(jì)算機(jī)模擬和實(shí)驗(yàn)室測(cè)試，找到了能極大提高太陽(yáng)能光電池效率的新途徑。
2008-12-05
太陽(yáng)能光電池 超薄硅薄膜 光電池
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2012年全球太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)能力將達(dá)到33.75GW
隨著環(huán)保意識(shí)的提高，對(duì)太陽(yáng)能電池工廠的投資趨于旺盛。法國(guó)調(diào)查公司YoleDeveloppement（以下簡(jiǎn)稱Yole）表示，預(yù)計(jì)2012年全球太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)能力將達(dá)到33.75GW。這一規(guī)模相當(dāng)于2007年生產(chǎn)能力的約4.7倍。
2008-12-05
太陽(yáng)能電池 太陽(yáng)能
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比亞迪電子與大股東轉(zhuǎn)讓資產(chǎn)
比亞迪電子宣布向大股東比亞迪集團(tuán)收購(gòu)主要用于生產(chǎn)手機(jī)金屬部件的設(shè)備，總代價(jià)9,286.3萬元人民幣，另外，公司將向比亞迪集團(tuán)出售供生產(chǎn)耳機(jī)及切割液晶顯示屏保護(hù)膜的設(shè)備，總代價(jià)4,291.4萬元人民幣。
2008-12-05
手機(jī)金屬部件 液晶顯示屏保護(hù)膜 鋰電池 柔性印制電路板
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Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP TrenchFET 功率MOSFET MOSFET
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工信部稱電子產(chǎn)業(yè)內(nèi)資日子好過外資
中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)受金融危機(jī)之創(chuàng)明顯，進(jìn)入第三季度后至10月底，該產(chǎn)業(yè)增加值的增速一路下滑，而進(jìn)出口增速同比也有較大回落。工業(yè)和信息化部(下稱“工信部”)昨天公布的10月份國(guó)內(nèi)電子信息產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)運(yùn)行情況、1～10月電子產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度已明顯放緩，結(jié)構(gòu)調(diào)整繼續(xù)深化。
2008-12-04
電子信息產(chǎn)業(yè) 電子制造業(yè)
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磁性材料：出口大于進(jìn)口
2007年磁性材料出口121506萬美元，同比增長(zhǎng)41.73%，數(shù)量280192噸，同比增長(zhǎng)21.84%；進(jìn)口額4275萬美元，同比增長(zhǎng)12.06%，進(jìn)口量66874噸，同比減少3.46%。
2008-12-04
磁性材料 氧化鐵 鐵磷
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亨通光電入選2008全球華商高科技500強(qiáng)
11月20日在湖北荊州舉行的第二屆全球華商500強(qiáng)高科技論壇上，由世界杰出華商協(xié)會(huì)組織的“2008全球華商高科技500強(qiáng)”正式揭榜。江蘇亨通光電股份有限公司作為華商高科技企業(yè)獲此殊榮，同時(shí)，亨通集團(tuán)董事長(zhǎng)兼總裁崔根良榮獲全球華商高科技領(lǐng)袖勛章。
2008-12-04
2008全球華商高科技500強(qiáng) 光電
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