我的熱插拔控制器電路為何會(huì)振蕩？

使用高端N溝道MOSFET (NFET)的熱插拔控制器，浪涌抑制器、電子保險(xiǎn)絲和理想二極管控制器，在啟動(dòng)和電壓/電流調(diào)節(jié)期間可能會(huì)發(fā)生振蕩。數(shù)據(jù)手冊(cè)通常會(huì)簡(jiǎn)要提到這個(gè)問(wèn)題，并建議添加一個(gè)小柵極電阻來(lái)解決。然而，如果不清楚振蕩的根本原因，設(shè)計(jì)人員就可能難以在布局中妥善放置柵極電阻，使電路容易受...

2024-11-04

熱插拔  控制器電路  振蕩

為惡劣工業(yè)環(huán)境中的以太網(wǎng)安裝保駕護(hù)航

如今，“工業(yè)以太網(wǎng)”一詞使用非常頻繁，以至于人們很容易混淆，并開(kāi)始認(rèn)為它一定與消費(fèi)和計(jì)算設(shè)備中使用的以太網(wǎng)有所不同。本博文旨在回顧這種網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的演變，并解釋消費(fèi)以太網(wǎng)和工業(yè)以太網(wǎng)的區(qū)別。本文還介紹Nexperia的一系列器件，這些器件可用于保護(hù)以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)免受靜電放電(ESD)的破壞性影響，無(wú)...

2024-11-04

以太網(wǎng)  工業(yè)環(huán)境

第8講：SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)

SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長(zhǎng)方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡(jiǎn)要介紹其生產(chǎn)過(guò)程及注意事項(xiàng)。

2024-11-04

SiC  外延生長(zhǎng)技術(shù)

二極管的單向?qū)щ娦院头蔡匦郧€說(shuō)明

二極管的正、反向特性與生活中的開(kāi)門類似:當(dāng)你從室外推門(門是室內(nèi)開(kāi)的)時(shí)，如果力很小，門是推不開(kāi)的，只有力氣較大時(shí)，門才能被推開(kāi)，這與二極管加正向電壓,只有達(dá)到門電壓才能導(dǎo)通相似;當(dāng)你從室內(nèi)往外推門時(shí)，是很難推開(kāi)的，但如果推門的力氣非常大，門也會(huì)被推開(kāi)，不過(guò)門被開(kāi)的同時(shí)一般也就損壞...

2024-11-04

二極管  向?qū)щ娦?nbsp; 伏安特性

如何使用GaNFET設(shè)計(jì)四開(kāi)關(guān)降壓－升壓DC－DC轉(zhuǎn)換器？

在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項(xiàng)新興技術(shù)，有望進(jìn)一步提高功率、開(kāi)關(guān)速度以及降低開(kāi)關(guān)損耗。這些優(yōu)勢(shì)讓功率密度更高的解決方案成為可能。

2024-11-04

GaNFET  DC－DC轉(zhuǎn)換器  降壓  升壓

優(yōu)化SPI驅(qū)動(dòng)程序的幾種不同方法

隨著技術(shù)的進(jìn)步，低功耗物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和邊緣/云計(jì)算需要更精確的數(shù)據(jù)傳輸。圖1展示的無(wú)線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)是一個(gè)帶有24位模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的高精度數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。在此我們通常會(huì)遇到這樣一個(gè)問(wèn)題，即微控制單元(MCU)能否為數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器提供高速的串行接口。

2024-11-01

SPI驅(qū)動(dòng)程序

匯聚智造大咖，共探智能工業(yè)未來(lái) AMTS & AHTE SOUTH CHINA 2024亮點(diǎn)全揭秘！

倒計(jì)時(shí)兩天！備受矚目的AMTS & AHTE South China 2024即將于2024年11月6日在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）盛大開(kāi)幕！為期三天，六展聯(lián)袂，3,500+展商，140,000㎡面積，15萬(wàn)+觀眾，邀您一同解鎖這場(chǎng)華南地區(qū)汽車技術(shù)、工程及工業(yè)裝配行業(yè)盛宴！

2024-11-01