產(chǎn)品特性：
- 對PWM信號優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET
- 完整功能的MOSFET驅(qū)動IC，以及陰極輸出二極管
- 工作頻率超過1MHz，效率高達(dá)92%
應(yīng)用范圍：
- 輸入電壓為24V
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出集成的DrMOS解決方案 --- SiC762CD。在緊湊的PowerPAK® MLP 6x6的40腳封裝內(nèi)，該器件集成了對PWM信號優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、完整功能的MOSFET驅(qū)動IC，以及陰極輸出二極管。新的SiC762CD完全符合DrMOS®規(guī)定的服務(wù)器、PC、圖形卡、工作站、游戲機和其他高功率CPU系統(tǒng)中電壓調(diào)節(jié)器(VR)標(biāo)準(zhǔn)。該器件的工作頻率超過1MHz，效率高達(dá)92%。
SiC762CD的輸入電壓為3V～27V，可以提供高達(dá)35A的連續(xù)輸出電流。集成的功率MOSFET針對0.8V～2.0V的輸出電壓進行了優(yōu)化，標(biāo)稱輸入電壓為24V。在5V輸出時，SiC762CD還可以為ASIC應(yīng)用提供非常高的功率。
SiC762CD先進的柵極驅(qū)動IC接收來自VR控制器的單個PWM輸入，然后把輸入信號轉(zhuǎn)換成高邊和低邊MOSFET的柵極驅(qū)動信號。PWM輸入與所有控制器兼容，而且特別支持帶有三態(tài)PWM輸出功能的控制器。
器件的驅(qū)動IC具有能自動檢測輕負(fù)載條件的電路，可以自動開啟跳頻模式工作(SMOD)，使系統(tǒng)在輕負(fù)載條件下也能獲得高效率。自適應(yīng)的死區(qū)時間控制能夠進一步提高效率。保護功能包括欠壓鎖定、擊穿保護，熱報警功能可在結(jié)溫過高時向系統(tǒng)告警。
通過集成驅(qū)動IC和功率MOSFET，SiC762CD減少了功率損耗和與高頻分立功率級相關(guān)的寄生阻抗效應(yīng)。設(shè)計者可以采用高頻開關(guān)以改善瞬態(tài)響應(yīng)，節(jié)省輸出濾波器的成本，在多相Vcore應(yīng)用中實現(xiàn)盡可能高的效率密度。
器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2002/95/EC。
SiC762CD現(xiàn)可提供樣品，將于2010年第一季度量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周至十六周。
