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    MEMS振蕩器與石英技術

    發布時間:2010-01-04

    中心議題: 解決方案:
    • MEMS器件的低Q值導致更嚴重的頻率偏差
    • MEMS器件顯示了每百萬分之幾的階躍變化
    • BAW晶體諧振器更穩定

    從簡單的精度約30000ppm的RC振蕩器,到精度優于0.001ppb的原子鐘,有很多滿足不同應用要求的時鐘選項。多年以來,體聲波(BAW)晶體振蕩器可用以滿足大多數要求,它提供的精度在10ppm范圍內。精度低一些的選擇,如SAW振蕩器、陶瓷振蕩器以及IC振蕩器,它們各自具有其滿足特定需求的優勢。

    長期以來,石英基器件被作為大多數其他定時器件用來比較的標準。石英作為頻率選擇與定時器件的穩定、可控的高質量材料的歷史得到了廣泛認可,并且頻率溫度響應、老化率以及抖動與相位噪聲特性也在業界被詳盡記載。

    圖1相位噪聲圖

    與基于MEMS的振蕩器相關的最新介紹常常伴有一些論斷,認為該技術可提供更低的成本、更短的設計與生產周期、卓越的沖擊與振動性能以及更為出色的信號質量,從而將最終取代石英。除了這些論斷外,已獲得的能夠有助于理解MEMS振蕩器特性的研究極少。本研究力圖提供MEMS振蕩器與傳統基于石英諧振器的振蕩器的直接對比。多年以來,體聲波晶體振蕩器以其10×10-6精度范圍滿足了絕大多數需求。

    研究方法

    這里給出的結果基于典型頻率控制的業界測量技術的應用,并代表了在2008年進行此研究時獲得的商業化技術。許多電特性被評估,包括頻率溫度特性、相位噪聲/抖動、短期穩定度、啟動時間、電流與長期穩定度(老化率)。


    上述產品均為CMOS電平輸出,工作在3.0或3.3V,輸出頻率為25~50MHz。測試的BAW石英晶體振蕩器,25MHz時為基諧波模式,50MHz時為三階諧波模式。這里給出的結果為典型器件的測試值或該型號的多個器件的平均值。

    相位噪聲/抖動

    這里采用安捷倫(Agilent)5052信號源分析儀測試系統進行測量。該系統測量除有效信號外的其他輸出信號電平,它還是實際主輸出電平的參考。振蕩器在同樣的電容器旁路的帶15pF負荷的固定設備中工作,由低噪聲Agilent線性電源供電。

    如圖1所示,較高的相位噪聲水平表明MEMS振蕩器技術并不是一項等效技術。Agilent測試系統測試結果表明,當前通信與數據傳輸應用很可能出現抖動的問題。

    相位噪聲圖很好地展示了這些采用了不同技術的器件的設計與特性。鄰近區相位噪聲水平(<1kHz)主要取決于Q值或諧振器的選擇,石英BAW諧振器的選擇性遠高于其他MEMS器件。
    [page]

    (a)和MEMS2諧振振蕩器

    (b)的短期穩定度
    圖2MEMS1諧振振蕩器

    1~100kHz部分反映了設計的相關信息。MEMS振蕩器采用鎖相環(PLL)設計,在該設計中MEMS諧振器由M/N合成環路的VCO鎖相。MEMS振蕩器的相位噪聲水平是PLL環路帶寬、VCO選擇性與主要諧振器的Q值共同影響的結果。石英諧振器器件工作在輸出頻率,且在輸出端沒有PLL的附加噪聲信號。

    相位噪聲可在確定的頻率區間上積分并從頻域轉換至時域,以提供抖動值的均方根,如表1所示。這是計算基于石英晶體的諧振器抖動的常規作法,石英晶體的抖動性能通常等于或超過最好的示波器。
    短期穩定度

    如圖2所示,此處給出的短期穩定度數據是在8分鐘內每隔0.1s測量穩定在25℃(誤差僅零點幾度)的振蕩器的頻率值。各部分均由安捷倫53152頻率計數器測試,該計數器利用銣原子頻率標準參考源進行工作。頻率變化以第一次讀數的百萬分率為單位顯示在圖中。


    BAW振蕩器的圖表(此處不再列出,但在完整研究報告中可找到)為大多數人所熟知。對于相同的測試,典型的BAW振蕩器偏差低于±0.02ppm,這樣會在零偏差圖表線處形成一條直線。

    數據表明兩種技術并不完全一樣,同時展示了不同器件的設計與特性。

    ●MEMS器件的低Q值導致更嚴重的頻率偏差。
    ●MEMS器件顯示了每百萬分之幾的階躍變化。這是校正諧振器溫度變化的溫度補償電路的特性。該特性可列成PLL電路中的數字變化表從而校正頻率。
    ●MEMS1與MEMS2的設計(兩個不同制造商)在數字補償切換頻率上完全不同。
    ●BAW晶體諧振器更穩定,從而具有更高的諧振器Q值,且沒有數字校正信號。

    該研究采用已有測量技術對商用BAW與MEMS振蕩器的多種不同電特性進行了比較,在此基礎上進行了部分討論,并在表2中做了相應總結。結果表明,兩種技術是不可互換的。頻率偏差、MEMS振蕩器的低Q值與數字溫度補償都造成了許多應用中不可接受的頻率波動。

    過去嘗試以數字方式實現BAW振蕩器的溫度補償在市場上沒有成功,原因在于補償階躍,盡管事實上它比MEMS振蕩器中采用的步長明顯小很多。例如,目前手機的溫度補償晶體振蕩器(TCXO)均采用模擬補償。

    MEMS振蕩器看起來非常適用于高振動環境、對定時要求不高的應用以及信噪比要求不高的應用。而具有復合調制方案、非常高速的通信或需要極佳的信噪比性能的應用(如A/D轉換器)仍將繼續通過BAW器件定時,利用石英的高Q值以及極佳的溫度穩定性。

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