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電氣化和智能化，會給汽車上的MEMS帶來什么變化？
微機電系統(tǒng)（MEMS）是一種緊湊型設備，在單個硅芯片上組合各種功能，如機械、光學、流體和電子，是醫(yī)療、運輸和電信領域發(fā)展的主要支持技術。MEMS加速度計、MEMS陀螺儀、MEMS壓力傳感器、MEMS開關、MEMS振動能量采集器、MEMS生物傳感器、MEMS振蕩器，這些都是大家耳熟能詳?shù)漠a(chǎn)品。
2022-09-29
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汽車級MEMS振蕩器或將帶來革命性突破
新技術取代成熟技術通常能夠帶來功能上的突破。在過去的50多年里，半導體行業(yè)一直都在追求更小的尺寸、更快的速度以及更便宜的價格（和/或更高的性能以及可靠性等）。而現(xiàn)如今，汽車應用中的數(shù)字電路則對時序要求非常高，相比過去對于微機電系統(tǒng)（MEMS）振蕩器呈現(xiàn)出極大的需求。本文將討論各類汽車應用中出現(xiàn)的這一新興需求，并解釋MEMS與晶振之間的差異。此外，還將介紹一類全新的汽車級MEMS振蕩器，這類振蕩器可滿足大多數(shù)時間關鍵型應用的需求，并能為所有應用帶來更高的可靠性。
2020-05-14
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教你如何正確選擇晶振：讓選擇明明白白
硅與MEMS振蕩器正在加入到高度分化的振蕩器市場，如此細化的市場，如何選擇正確的應用器件成了很多人的困難。其實選擇正確的應用器件不需要水晶球，明白它們?nèi)绾闻c應用需求相匹配，選擇振蕩器就成為了一種明明白白的工作。
2016-04-27
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專家支招：如何整合MEMS+CMOS助你更好控制頻率？
市場上的各種電子產(chǎn)品都會使用到晶體或晶體振蕩器，而隨著需求的增大，使得更小、更薄、頻率更高的晶體出現(xiàn)了。特別是MEMS振蕩器，憑借絕佳的可靠性，可提供具有成本優(yōu)勢的各種封裝尺寸等優(yōu)點被廣泛應用。本文要講解的是如何整合MEMS+CMOS技術，助你更好控制頻率？
2014-04-17
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2013年益登科技巡回研討會10月閃亮登場
2013年益登科技在北京、上海、成都、深圳和廈門巡回研討會于10月登場，聚焦EFM32 MCU, 單晶體MEMS振蕩器及Ember ZigBee產(chǎn)品系列。研討會在線報名已開啟，期待您的報名。
2013-10-16
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SiTime新款MEMS諧振器超越石英性能，比以前提升30倍
以前所有MEMS振蕩器都采用補償電路來達到所需頻率穩(wěn)定度，現(xiàn)在SiTime公司宣布，推出革命性的TempFlat MEMS，通過消除溫度補償需求，大幅度的促進了性能的提高，尺寸的縮小，功耗和成本的降低。
2013-07-11
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IDT 推出業(yè)界最低抖動4H系列MEMS 振蕩器
MEMS振蕩器以其突出的穩(wěn)定性以及與標準硅半導體工藝兼容的特性，近年了備受業(yè)界關注。有預測顯示，微機電系統(tǒng)振蕩器正以120％的年增長率代替石英振蕩器。順應市場趨勢，各個元器件供應商的推新步伐也逐漸加速。
2013-04-18
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什么是MEMS振蕩器?
MEMS 振蕩器是指通過微機電系統(tǒng)（MEMS）制作出的一種可編程的硅振蕩器，MEMS振蕩器的溫度穩(wěn)定性也比傳統(tǒng)晶振更好，不受環(huán)境溫度高低變化的影響。MEMS 振蕩器屬于我們通常所說的有源晶振。
2013-04-17
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32kHz MEMS振蕩器橫空出世，石英蒙上退場陰霾
傳統(tǒng)主宰智能手機市場的石英晶體諧振器因著SiTime革命性的SiT15xx系列32 kHz MEMS振蕩器而蒙上退場陰霾，因為與最小的5平方毫米石英諧振器相比，SiT15xx占位面積還能小70％，功耗也降低50％，而且性能指標全面超越，替代無法阻擋。
2013-04-07
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石英可能退場，只因32kHz MEMS振蕩器橫空出世
石英可能退場，只因32kHz MEMS振蕩器橫空出世。傳統(tǒng)主宰智能手機市場的石英晶體諧振器因著SiTime革命性的SiT15xx系列32 kHz MEMS振蕩器而蒙上退場陰霾，因為與最小的5平方毫米石英諧振器相比，SiT15xx占位面積還能小70％，功耗也降低50％，而且性能指標全面超越，替代無法阻擋。
2013-04-05
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IDT推出具有頻率裕量設定功能的低抖動MEMS振蕩器
IDT今日推出業(yè)界首款差異化MEMS振蕩器，具有100飛秒 (fs) 典型相位抖動性能和集成的頻率裕量設定能力。IDT 高性能振蕩器的超低相位抖動和可修改的輸出頻率顯著降低萬兆以太網(wǎng) (10GbE) 交換器、路由器和其他相關網(wǎng)絡設備的誤碼率。
2013-03-28
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諧振器整合超低電壓電路，MEMS振蕩器功耗降低50%
MEMS振蕩器雖擁有尺寸微縮、精準度媲美石英振蕩器的優(yōu)勢，但內(nèi)部包含前端MEMS諧振器與后端補償電路，由于晶圓制程變異與MEMS元件特性，仍面臨單價高、溫度及電壓適應力弱等問題;同時，其驅動電壓仍在1.8～3.3伏特(V)之間，要縮減功耗滿足行動裝置需求，就須導入更多省電機制，影響系統(tǒng)效能與成本。因此，工研院提出MEMS諧振器整合超低電壓電路的解決方案，全力克服上述問題。
2013-01-07
- 電子元器件行業(yè)迎新機遇，CEF深圳展共謀電子行業(yè)未來藍圖
- 基于 TLVR 的結構變壓器穩(wěn)壓器簡介
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