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貿(mào)澤電子新品推薦：2024年第四季度推出超過10,000個新物料
致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)，首要任務(wù)是提供來自1,200多家知名廠商的新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶設(shè)計出先進(jìn)產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。貿(mào)澤旨在為客戶提供全面認(rèn)證的原廠產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2025-01-29
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使用MSO 5/6內(nèi)置AWG進(jìn)行功率半導(dǎo)體器件的雙脈沖測試
SiC器件的快速開關(guān)特性包括高頻率，要求測量信號的精度至少達(dá)到100MHz或更高帶寬 (BW)，這需要使用額定500MHz或更高頻率的示波器和探頭。在本文中，寬禁帶功率器件供應(yīng)商Qorvo與Tektronix合作，基于實際的SiC被測器件 (DUT)，描述了實用的解決方案。
2025-01-26
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MOS管在開關(guān)電源中的核心作用及其關(guān)鍵性能參數(shù)對設(shè)計的影響
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOSFET)是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的元器件之一，在開關(guān)電源設(shè)計中扮演著至關(guān)重要的角色。開關(guān)電源作為現(xiàn)代電力轉(zhuǎn)換和管理的核心組件，其性能與效率在很大程度上依賴于MOS管的選擇與應(yīng)用。本文將深入探討MOS管在開關(guān)電源中的具體作用，并剖析其關(guān)鍵性能參數(shù)對電源整體性能的影響。
2025-01-25
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j－top)獲取結(jié)溫信息
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-24
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意法半導(dǎo)體榮膺 2025 年全球杰出雇主認(rèn)證
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 首次被Top Employers Institute評選為2025年全球杰出雇主。
2025-01-24
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第14講：工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機(jī)開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
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基于 SiC 的三相電機(jī)驅(qū)動開發(fā)和驗證套件
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器涵蓋廣泛的應(yīng)用，從低壓工業(yè)驅(qū)動器（例如風(fēng)扇、泵和傳送帶、熱泵和空調(diào)）以及伺服驅(qū)動器。據(jù)估計，這些通常由交流電源驅(qū)動的電動機(jī)占工業(yè)用電量的 70-80%。因此，人們有強(qiáng)烈的動機(jī)來提高這些驅(qū)動器的效率。即使該參數(shù)的微小改進(jìn)也能在節(jié)省能源和成本方面產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。國際電化學(xué)委員會 (IEC) 為電機(jī)和集成電機(jī)驅(qū)動器制定了各種效率標(biāo)準(zhǔn)。例如，現(xiàn)在主要國家都要求采用IE3標(biāo)準(zhǔn)。在歐盟，額定輸出功率在 75 kW 至 200 kW 之間的電機(jī)需要符合 IE4 標(biāo)準(zhǔn)。
2025-01-21
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貿(mào)澤與TE Connectivity 和Microchip Technology聯(lián)手推出聚焦汽車Zonal架構(gòu)的電子書
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與全球連接器和傳感器知名制造商TE Connectivity以及Microchip Technology合作推出全新電子書，深入探討Zonal架構(gòu)如何幫助設(shè)計師跟上汽車系統(tǒng)日益復(fù)雜化的步伐，以及它如何從根本上改變車輛構(gòu)造。
2025-01-17
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用第三代 SiC MOSFET設(shè)計電源性能和能效表現(xiàn)驚人！
在各種電源應(yīng)用領(lǐng)域，例如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來越嚴(yán)苛，已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構(gòu)應(yīng)運(yùn)而生。
2025-01-17
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如何通過配置控制器優(yōu)化CAN總線系統(tǒng)性能
控制器局域網(wǎng)絡(luò)(CAN)可在多個網(wǎng)絡(luò)站點之間提供強(qiáng)大的通信能力，支持多種數(shù)據(jù)速率和距離。CAN具有數(shù)據(jù)鏈路層仲裁、同步和錯誤處理等特性，廣泛用于工業(yè)、儀器儀表和汽車應(yīng)用之中。在ISO 11898標(biāo)準(zhǔn)的框架下，借助分布式多主機(jī)差分信令和內(nèi)置故障處理功能，DeviceNet、CANopen等多種協(xié)議針對物理層和數(shù)據(jù)鏈路層規(guī)定了相應(yīng)的實現(xiàn)方式。本文旨在描述如何針對給定應(yīng)用優(yōu)化設(shè)置，同時考慮控制器架構(gòu)、時鐘、收發(fā)器、邏輯接口隔離等硬件限制。文章將集中介紹網(wǎng)絡(luò)配置問題——包括數(shù)據(jù)速率和電纜長度——說明何時有必要對CAN節(jié)點進(jìn)行重新配置，以及如何從一開始就實現(xiàn)對節(jié)點的優(yōu)化配置。
2025-01-16
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十二）——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-14
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解決模擬輸入IEC系統(tǒng)保護(hù)問題
與系統(tǒng)模擬輸入和輸出節(jié)點交互作用的外置高壓瞬變可能破壞系統(tǒng)中未采用充分保護(hù)措施的集成電路(IC)?，F(xiàn)代IC的模擬輸入和輸出引腳通常采用了高壓靜電放電(ESD)瞬變保護(hù)措施。人體模型(HBM)、機(jī)器模型(MM)和充電器件模型(CDM)是用來測量器件承受ESD事件的能力的器件級標(biāo)準(zhǔn)。這些測試旨在確保器件能承受器件制造和PCB裝配流程中的靜電壓力，通常在受控環(huán)境中實施。
2025-01-13
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