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具有集成反激式控制器的智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器
通過(guò)集成反激式控制器，ACPL-302J 器件允許在器件旁邊放置更少的分立元件和更小的變壓器和電容器，從而減少設(shè)計(jì)的整體尺寸并限度地減少電磁干擾 (EMI) 和 IGBT 通道之間的噪聲耦合。通過(guò)減少設(shè)計(jì)中的這些元素，設(shè)計(jì)人員可以實(shí)現(xiàn)顯著的成本節(jié)約。
2023-02-17
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MOS管開(kāi)通過(guò)程的米勒效應(yīng)及應(yīng)對(duì)措施
在現(xiàn)在使用的MOS和IGBT等開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中，所需要面對(duì)一個(gè)常見(jiàn)的問(wèn)題 — 米勒效應(yīng)，本文將主要介紹MOS管在開(kāi)通過(guò)程中米勒效應(yīng)的成因、表現(xiàn)、危害及應(yīng)對(duì)方法。
2023-02-10
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如何手動(dòng)計(jì)算IGBT的損耗
現(xiàn)今隨著高端測(cè)試儀器和仿真軟件的普及，大部分的損耗計(jì)算都可以使用工具自動(dòng)完成，節(jié)省了不少精力，不得不說(shuō)這對(duì)工程師來(lái)說(shuō)是一種解放，但是這些工具就像黑盒子，好學(xué)的小伙伴總想知道工作機(jī)理。其實(shí)基礎(chǔ)都是大家學(xué)過(guò)的基本高等數(shù)學(xué)知識(shí)。今天作者就幫大家打開(kāi)這個(gè)黑盒子，詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計(jì)算方法同時(shí)一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識(shí)。
2023-02-07
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優(yōu)化汽車(chē)應(yīng)用的駕駛循環(huán)仿真
碳化硅（SiC）已經(jīng)改變了許多行業(yè)的電力傳輸，尤其是電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電和車(chē)載功率轉(zhuǎn)換部分。由于 SiC 具備卓越的熱特性、低損耗和高功率密度，因此相對(duì) Si 與 IGBT 等更傳統(tǒng)的技術(shù)，具有更高的效率和可靠性。要想獲得最大的系統(tǒng)效率并且準(zhǔn)確的預(yù)測(cè)性能，必須仿真這些由 SiC 組成的拓?fù)洹⑾到y(tǒng)和應(yīng)用。
2023-01-28
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SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？
眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙嚒Ｔ诠杌a(chǎn)品時(shí)代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨(dú)步天下。在碳化硅的時(shí)代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續(xù)了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會(huì)干別的了嗎？非也。因?yàn)镾iC材料獨(dú)有的特性，SiC MOSFET選擇溝槽結(jié)構(gòu)，和IGBT是完全不同的思路。咱們一起來(lái)捋一捋。
2023-01-27
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低電感ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù)，滿足光伏應(yīng)用的需求
本文介紹了新型950V IGBT和二極管技術(shù)。950V IGBT結(jié)構(gòu)基于微溝槽理念，與典型1200V技術(shù)相比，新型950V IGBT和二極管的靜態(tài)損耗和/或開(kāi)關(guān)損耗顯著降低。通過(guò)分析應(yīng)用需求與功率模塊設(shè)計(jì)的相互作用，本文確定了功率模塊的應(yīng)用結(jié)果和優(yōu)化路徑。得益于經(jīng)優(yōu)化的功率模塊設(shè)計(jì)和采用950V技術(shù)，近期推出的無(wú)基板Easy3B解決方案實(shí)現(xiàn)了全集成1500V ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的額定電流達(dá)到400A，而雜散電感低至僅15nH。
2023-01-16
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高壓柵極驅(qū)動(dòng)IC自舉電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南
本文講述了一種運(yùn)用功率型MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)高性能自舉式柵極驅(qū)動(dòng)電路的系統(tǒng)方法，適用于高頻率，大功率及高效率的開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)合。不同經(jīng)驗(yàn)的電力電子工程師們都能從中獲益。在大多數(shù)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，開(kāi)關(guān)功耗主要取決于開(kāi)關(guān)速度。因此，對(duì)于絕大部分本文闡述的大功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用，開(kāi)關(guān)特性是非常重要的。
2023-01-13
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如何優(yōu)化隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)電路?
柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器FOD31xx系列的功能是用作電源緩沖器，來(lái)控制功率MOSFET或IGBT的柵極。它為MOSFET 或 IGBT 的柵極輸入供應(yīng)所需的峰值充電電流，來(lái)打開(kāi)器件。該目標(biāo)通過(guò)向功率半導(dǎo)體的柵極提供正壓(VOH)來(lái)實(shí)現(xiàn)。若要關(guān)閉MOSFET或IGBT，需拉起驅(qū)動(dòng)器件的柵極至0電壓(VOL)或更低。
2023-01-10
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滿足高度緊湊型1500-V并網(wǎng)逆變器需求的新型ANPC功率模塊
本文提出了一種優(yōu)化的ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)支持最新的1200-V SiC T-MOSFET與IGBT技術(shù)優(yōu)化組合，實(shí)現(xiàn)成本效益。市場(chǎng)上將推出一款采用全集成ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的新型功率模塊，適用于高度緊湊型、高效率1500-V并網(wǎng)逆變器。新開(kāi)發(fā)的Easy3B功率模塊在48kHz頻率條件下，可以實(shí)現(xiàn)輸出功率達(dá)到200kW以上。此外，相應(yīng)的P-Q圖幾乎呈圓形。這意味著，該功率模塊適用于儲(chǔ)能系統(tǒng)等新興應(yīng)用。
2023-01-10
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先進(jìn)碳化硅技術(shù)，有效助力儲(chǔ)能系統(tǒng)
人們普遍認(rèn)識(shí)到，碳化硅（SiC）現(xiàn)在作為一種成熟的技術(shù)，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應(yīng)用中改變了電力行業(yè)，覆蓋工業(yè)、能源和汽車(chē)等眾多領(lǐng)域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應(yīng)用具有更多優(yōu)勢(shì)，包括更高的開(kāi)關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的溫度和更小的磁性元件，熱管理和電源組件現(xiàn)在尺寸更小，重量更輕，成本更低，從而降低了總 BOM 成本，同時(shí)也實(shí)現(xiàn)了更小的占用空間。
2022-12-22
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簡(jiǎn)述SiC MOSFET短路保護(hù)時(shí)間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說(shuō)，在一定的短路耐受時(shí)間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時(shí)間不超過(guò)這個(gè)SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導(dǎo)致的寄生晶閘管開(kāi)通latch up除外，本篇不討論）。
2022-12-22
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通過(guò)轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET，無(wú)需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問(wèn)題
高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無(wú)法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過(guò)，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在有機(jī)會(huì)在提高性能的同時(shí)，應(yīng)對(duì)所有其他挑戰(zhàn)。
2022-12-16
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