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25kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第八部分完結(jié)篇)：熱管理
在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。在這一章，我們來看看其中的熱管理部分是如何提高效率和可靠性，同時(shí)防止系統(tǒng)過早失效的。
2022-07-11
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25kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第七部分)：800V EV充電系統(tǒng)的輔助電源
在本系列的前幾篇文章中[1-6]，我們介紹了基于安森美(onsemi)的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25kW EV快充系統(tǒng)，包括這個(gè)可擴(kuò)展系統(tǒng)的整體架構(gòu)和規(guī)格，以及其中PFC和DC-DC變換部分的硬件設(shè)計(jì)和控制策略。我們基本已經(jīng)把電路設(shè)計(jì)部分講完了，除了輔助電源設(shè)計(jì)的相關(guān)內(nèi)容。
2022-07-07
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英飛凌絕緣體上硅(SOI)高壓驅(qū)動(dòng)芯片的三個(gè)優(yōu)勢
現(xiàn)在的高功率變頻器和驅(qū)動(dòng)器承載更大的負(fù)載電流。如下圖1 所示：由于功率回路里的寄生電感（主要由功率器件的封裝引線和PCB的走線產(chǎn)生的），電路中VS腳的電壓會從高壓母線電壓（S1通S2關(guān)時(shí)）變化到低于地的負(fù)壓（S1關(guān)閉時(shí)）。圖一右邊波形中的紅色部分就是VS腳在半橋感性負(fù)載電路中產(chǎn)生的瞬態(tài)負(fù)電壓。
2022-06-28
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功率半導(dǎo)體冷知識：功率器件的功率密度
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。我們一路追求單位芯片面積的輸出電流能力，實(shí)現(xiàn)方法是：
2022-06-13
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集成容性隔離助力高密度適配器設(shè)計(jì)
快充需求推動(dòng)了高密度適配器的蓬勃發(fā)展。在實(shí)際的適配器設(shè)計(jì)中，花樣繁多的新型開關(guān)功率器件、拓?fù)浜涂刂品桨覆挥?jì)其數(shù)。
2022-05-16
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Lucid Motors與Wolfspeed強(qiáng)強(qiáng)合作，在屢獲殊榮的Lucid Air車型中采用SiC半導(dǎo)體
全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，與 Lucid Motors 達(dá)成重要合作。Lucid Motors 將在其高性能、純電動(dòng)車型 Lucid Air 中采用 Wolfspeed SiC 功率器件解決方案。同時(shí)，Wolfspeed 和 Lucid Motors 簽訂多年協(xié)議，將由 Wolfspeed 生產(chǎn)和供應(yīng) SiC 器件。
2022-04-28
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隔離比較器在電機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用
電機(jī)在工業(yè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，而電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的趨勢是高效率，高功率密度和高可靠性。功率半導(dǎo)體供應(yīng)商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)速度上實(shí)現(xiàn)突破，推出更高的電流等級、更小的封裝尺寸以及更短的短路耐受時(shí)間的半導(dǎo)體器件。并且隨著寬禁帶半導(dǎo)體器件成本降低，也使得電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)逐步開始使用SiC,GaN器件。這些功率器件的發(fā)展及應(yīng)用使得電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率以及功率密度得到了提高，但也對驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的可靠性，尤其過流及短路保護(hù)的響應(yīng)時(shí)間提出了更高的要求。
2022-04-25
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隔離型驅(qū)動(dòng)的新勢力：英飛凌無磁芯變壓器隔離型驅(qū)動(dòng)
一提到隔離型驅(qū)動(dòng)，不少硬件研發(fā)工程師就會先入為主想到光耦。可光耦真的是唯一選擇嗎？伴隨著全球電氣化和數(shù)字化的趨勢，電力電子技術(shù)的發(fā)展也日新月異：功率器件開關(guān)頻率進(jìn)一步提高，寬禁帶器件使用方興未艾，終端應(yīng)用環(huán)境更加復(fù)雜惡劣，這些都對隔離型驅(qū)動(dòng)的性能和可靠性提出了全新的挑戰(zhàn)。
2022-04-20
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從硅過渡到碳化硅，MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢對比
近年來，因?yàn)樾履茉雌嚒⒐夥皟δ堋⒏鞣N電源應(yīng)用等下游市場的驅(qū)動(dòng)，碳化硅功率器件取得了長足發(fā)展。更快的開關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度化。但是，像碳化硅這樣的寬帶隙（WBG）器件也給應(yīng)用研發(fā)帶來了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，因而業(yè)界對于碳化硅MOSFET浪涌電流、短路能力、柵極可靠性等仍心存疑慮，對于平面柵和溝槽柵的選擇和權(quán)衡也往往迷惑不清。
2022-03-20
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基于CoolSiC的高速高性能燃料電池空壓機(jī)設(shè)計(jì)
燃料電池用空壓機(jī)開關(guān)頻率高，空間有限，集成度高，采用單管設(shè)計(jì)的主要挑戰(zhàn)是如何提高散熱效率。本設(shè)計(jì)中功率器件和散熱器采用DBC+焊接工藝，提高了SiC MOSFET的輸出電流能力，從而有效降低了系統(tǒng)成本的，并且簡化安裝方式。
2022-03-03
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英飛凌650V混合SiC IGBT單管助力戶用光伏逆變器提頻增效
戶用光伏每年裝機(jī)都在高速增長，單相光伏逆變器功率范圍基本在3~10kW，系統(tǒng)電路示意框圖如圖1所示，從光伏電池板經(jīng)過逆變器中DC/DC，DC/AC電路實(shí)現(xiàn)綠電的能量轉(zhuǎn)換，英飛凌能提供一站式半導(dǎo)體解決方案包括650V功率器件、無核變壓器CT技術(shù)驅(qū)動(dòng)IC、主控制MCU和電源管理芯片等。
2022-03-01
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派恩杰SiC驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)新探索：如何避免誤開通？
隨著SiC 工藝逐漸成熟和成本不斷下降，SiC MOSFET憑借整體性能優(yōu)于硅基器件一個(gè)數(shù)量級的優(yōu)勢正逐漸普及，獲得越來越多的工程應(yīng)用。相較于傳統(tǒng)的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的導(dǎo)通電阻，更快的開關(guān)速度，使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度化，因此廣泛適用于5G數(shù)據(jù)中心通信電源，新能源汽車車載充電機(jī)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，工業(yè)電源，直流充電樁，光伏，UPS等各類能源變換系統(tǒng)中。
2022-02-10
- 伺服驅(qū)動(dòng)器賦能工業(yè)自動(dòng)化：多場景應(yīng)用方案深度解析
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