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SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作
MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨使用外，還有串聯連接、并聯連接等多種使用方法。
2022-02-11
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理想開關自身會帶來挑戰
隨著我們的產品接近邊沿速率超快的理想半導體開關，電壓過沖和振鈴開始成為問題。適用于SiC FET的簡單RC緩沖電路可以解決這些問題，并帶來更高的效率增益。
2022-02-10
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派恩杰SiC驅動設計新探索：如何避免誤開通？
隨著SiC 工藝逐漸成熟和成本不斷下降，SiC MOSFET憑借整體性能優于硅基器件一個數量級的優勢正逐漸普及，獲得越來越多的工程應用。相較于傳統的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的導通電阻，更快的開關速度，使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率密度化，因此廣泛適用于5G數據中心通信電源，新能源汽車車載充電機，電機驅動器，工業電源，直流充電樁，光伏，UPS等各類能源變換系統中。
2022-02-10
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SiC功率器件使用過程中的常見問題集（上）
由于SiC 材料具有更高的擊穿場強、更好的熱穩定性、更高的電子飽和速度及禁帶寬度，因此能夠大大提高功率器件的性能表現。相較于傳統的Si功率器件，SiC 器件具有更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率密度化。當前碳化硅功率器件主要在新能源汽車的車載充電機、充電樁、計算機電源、風電逆變器、光伏逆變器、大型服務器電源、空調變頻器等領域，根據Yole估計，未來市場將有每年30% 左右的高速增長。為此，派恩杰推出1700V,1200V,650V各種電壓等級SiC MOSFET以應對市場需求。在從硅器件到碳化硅器件使用轉變過程中，客戶常常會遇到一些疑問或者使用問題，為此，派恩杰針對客戶的問題進行歸納總結并分享一些解決辦法。
2022-02-09
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將ICT和FCT優勢結合在單個測試適配器中
一般以針床來測試不上電的電路板，使用直接數字合成（DDS）和離散傅立葉變換（DFT）等技術生成刺激信號進行模擬測量分析，以此讓在線測試儀（ICA）測量電感、電容、阻抗和電阻等實際數據，以便確認所有被測器件（DUT）測試節點的結果在公差范圍內，以及是否有開路、短路、錯件或極性接反的問題。這些都在不上電的情況下進行測量。繼電器多路復用器可以用來連接探針觸點和電路板的模擬通道或數字驅動器/傳感器（D/S）（圖1）。
2022-02-09
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適用于電流模式DC-DC轉換器的統一的LTspice AC模型
當電源設計人員想要大致了解電源的反饋環路時，他們會利用環路增益和相位波特圖。知道環路響應可進行預測有助于縮小反饋環路補償元件的選擇范圍。
2022-02-09
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針對SiC串擾抑制方法的測試報告
近年來，以SiCMOSFET 為代表的寬禁帶半導體器件因其具有高開關頻率、高開關速度、高熱導率等優點，已成為高頻、高溫、高功率密度電力電子變換器的理想選擇。然而隨著SiC MOSFET開關速度加快，橋式電路受寄生參數影響加劇，串擾現象更加嚴重。由于SiC MOSFET 正向閾值電壓與負向安全電壓較小，串擾問題引起的正負向電壓尖峰更容易造成開關管誤導通或柵源極擊穿，進而增加開關損耗，嚴重時損壞開關管，因此合適的串擾抑制方法對提高變換器工作可靠性、提升其功率密度具有重要意義。
2022-02-08
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如何仿真轉換器的數字輸入／輸出
對于SAR-ADC的仿真比較復雜。目前來看，還沒有準確模擬整個器件的完整轉換器模型。現有資源是一個仿真模擬輸入引腳穩定性的模擬SPICE文件。有了它，用戶就有了一款強大工具，使用戶能夠解決其中一個最關鍵、最棘手的轉換器問題。
2022-02-08
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用于信號和數據處理電路的低噪聲、高電流、緊湊型DC-DC轉換器解決方案
現場可編程門陣列(FPGA)、片上系統(SoC)和微處理器等數據處理IC不斷擴大在電信、網絡、工業、汽車、航空電子和國防系統領域的應用。這些系統的一個共同點是處理能力不斷提高，導致原始功率需求相應增加。設計人員很清楚高功率處理器的熱管理問題，但可能不會考慮電源的熱管理問題。與晶體管封裝處理器本身類似，當低內核電壓需要高電流時，熱問題在最差情況下不可避免——這是所有數據處理系統的總體電源趨勢。
2022-01-30
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開發基于碳化硅的25 kW快速直流充電樁：方案概述
在本系列文章的第一部分中，[1]我們介紹了電動車快速充電器的主要系統要求，概述了這種充電器開發過程的關鍵級，并了解到安森美(onsemi)的應用工程師團隊正在開發所述的充電器。現在，在第二部分中，我們將更深入研究設計的要點，并介紹更多細節。特別是，我們將回顧可能的拓撲結構，探討其優點和權衡，并了解系統的骨干，包括一個半橋SiC MOSFET模塊。
2022-01-28
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如何充分發揮碳化硅耐高溫的優勢？
隨著碳化硅(SiC)技術的發展，器件也在日趨成熟和商業化，其材料獨特的耐高溫性能正在加速推動結溫從150℃走向175℃，有的公司稱，現在已開始研發200℃結溫的碳化硅器件。
2022-01-28
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在當今高壓半導體器件上執行擊穿電壓和漏流測量
在經過多年研究和設計之后，碳化硅(SiC)和氮化鎵 (GaN)功率器件正變得越來越實用。這些器件盡管性能很高，但它們也帶來了許多挑戰，包括柵極驅動要求。SiC要求的柵極電壓(Vgs)要高得多，在負偏置電壓時會關閉。GaN的閾值電壓(Vth)則低得多，要求嚴格的柵極驅動設計。寬帶隙(WBG)器件由于物理特點，機身二極管壓降較高，因此對空轉時間和打開/關閉跳變的控制要求要更嚴格。
2022-01-27
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