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艾邁斯歐司朗就出售其數字照明系統歐洲和亞洲業務與英飛特電子達成協議
全球領先的光學解決方案供應商艾邁斯歐司朗（瑞士證券交易所股票代碼：AMS）宣布，與全球LED驅動電源供應商英飛特電子（INVENTRONICS）達成協議，將向英飛特電子出售數字照明系統（Digital Systems）歐洲和亞洲的業務。艾邁斯歐司朗將繼續專注于高科技半導體業務，以及汽車、娛樂和工業照明業務。該交易標志著艾邁斯歐司朗戰略實施的又一個里程碑，該戰略將專注于光源、可視化和傳感等核心技術領域，剝離非戰略核心業務。本次交易遵循慣例交易約束。
2022-06-16
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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優秀的SiC功率解決方案
UnitedSiC（現名Qorvo）擴充了其1200V產品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術推廣到電壓更高的應用中。新UF4C/SC系列中的六款新產品的規格從23毫歐到70毫歐，現以TO247-4L（采用開爾文連接）封裝提供，而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發布的SiC FET具有不凡的性能，是不斷成長的電動車市場向著800V母線車載充電器（OBC）和直流轉換器邁進過程中的理想選擇。與前幾代一樣，新FET也非常適合工業電池充電器、工業電源、光伏轉換器、不間斷電源和各種其他功率轉換應用。
2022-06-15
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如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未有約定俗成的門極電壓規范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。
2022-06-15
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25kW SiC直流快充設計指南(第六部分)：用于電源模塊的柵極驅動系統
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發。圖1代表到目前為止所討論的系統。
2022-06-15
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SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
隨著制備技術的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關產品的研發與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應用領域的發展，更是不容小覷。
2022-06-15
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25kW SiC直流快充設計指南(第五部分)：控制算法、調制方案和反饋
在本系列文章的第一至第四部分中[1-4]，我們從硬件角度分享并廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發。圖1代表到目前為止所討論的系統。
2022-06-13
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“創新強鏈，雙驅發展”2022年中國（深圳）集成電路峰會
由深圳市人民政府聯合中國半導體行業協會集成電路設計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組共同舉辦的以“創新強鏈，雙驅發展”為主題的“2022 中國（深圳）集成電路峰會”（以下簡稱：ICS2022 峰會），將于2022年6月30日至7月1日在深圳坪山格蘭云天國際酒店隆重舉行。
2022-06-13
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貿澤電子榮獲知名互連廠商Hirose頒發的年度分銷商大獎
2022年6月10日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 自豪地宣布榮獲創新連接器解決方案知名設計和制造商Hirose Electric USA頒發的2021年度分銷商大獎。這個年度分銷商獎旨在表彰在銷售額和增長率，以及客戶服務和滿意度方面表現突出的分銷商。
2022-06-10
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Digi-Key推出 myLists 報價功能，以提高訂貨效率
美國明尼蘇達州錫夫里弗福爾斯市訊——全球供應品類豐富、發貨快速的現貨電子元器件分銷商 Digi-Key Electronics 日前宣布，已增強其 myLists 工具，將報價功能包含其中，以提高訂貨效率。 現在 Digi-Key 客戶可以借助 myLists 更高效地工作，使用 myLists 的報價功能將所有內容保存在一個方便的位置，用一份零件清單創建多個報價，并將報價輕松轉換為在線訂單。
2022-06-09
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瑞薩電子收購Reality AI為終端帶來先進信號處理及智能化
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，已與嵌入式AI解決方案供應商Reality Analytics, Inc.（Reality AI）達成最終協議，根據協議，瑞薩將以全現金交易方式收購Reality AI。該交易已獲得兩家公司董事會的一致批準，在獲得股東和所需的監管機構批準以及其他慣例成交條件后，預計將于2022年年末前完成。此次收購將顯著增強瑞薩電子在端點人工智能的實力，為系統開發人員提供更大的靈活性和效率，幫助他們的產品 AIoT（物聯網人工智能）做好準備并更快進入市場。
2022-06-09
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使用新型MEMS開關加快測試能力并提高系統產出
先進的數字處理器IC要求通過單獨的DC參數和高速數字自動測試設備(ATE)測試，以達到質保要求。這帶來了很大的成本和組織管理挑戰。本文介紹 ADGM1001 SPDT MEMS開關如何助力一次性通過單插入測試，以幫助進行DC參數測試和高速數字測試，從而降低測試成本，簡化數字/RF片上系統(SoC)的測試流程。
2022-06-09
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魚與熊掌皆可得？當SiC MOSFET遇上2L-SRC
事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開關速度，相比IGBT可明顯降低器件開關損耗，提升系統效率和功率密度；但是高速的開關切換，也產生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控制領域的電機絕緣和EMI設計都帶來了額外的挑戰。
2022-06-07
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