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什么是射頻衰減器？如何為我的應用選擇合適的RF衰減器？
本文延續之前的一系列短文，面向非射頻工程師講解射頻技術；我們將探討IC衰減器，并針對其類型、配置和規格提出一些見解。本文旨在幫助工程師更快了解各種IC產品，并為終端應用選擇合適的產品。該系列的相關文章包括："為應用選擇合適的RF放大器指南"、"如何輕松選擇合適的頻率產生器件"和"RF解密–了解波反射"。
2022-09-28
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使用碳化硅進行雙向車載充電機設計
電動汽車（EV）車載充電機（OBC）可以根據功率水平和功能采取多種形式，充電功率從電動機車等應用中的不到 2 kW，到高端電動汽車中的 22 kW 不等。傳統上，充電功率是單向的，但近年來，雙向充電越來越受到關注。本文將重點關注雙向 OBC，并討論碳化硅（SiC）在中功率（6.6 kW）和高功率（11 - 22 kW）OBC 中的優勢。
2022-09-27
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構建滿足特定應用要求的DPS系統需要考慮這些因素！
器件電源(DPS) IC具有靈活的電壓驅動和電流驅動容量，能夠為自動測試設備(ATE)提供動態測試能力。當負載電流介于兩個設定限流值之間時，DPS IC可以作為電壓源；在達到設定限流值時，DPS IC可以順利轉換為精密電流源。
2022-09-27
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最新的1200V CoolSiC MOSFET中的.XT技術如何提高器件性能和壽命
由于碳化硅（SiC）器件的低導通損耗和低動態損耗，英飛凌CoolSiC? MOSFET越來越多地被用于光伏、快速電動車充電基礎設施、儲能系統和電機驅動等工業應用。但與此同時，工程師也面臨著獨特的設計挑戰。實現更小的外形尺寸，同時保持功率變換系統的散熱性能，是相互矛盾的挑戰，但英飛凌創新的.XT技術與SiC技術提供了一個解決方案。
2022-09-27
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關斷柵極電壓欠沖對SiC MOSFET導通行為的影響
本文探討了關斷時發生的柵極電壓欠沖對導通開關特性的影響。這種影響來自于閾值電壓的遲滯效應，指柵偏壓變化時，閾值電壓的完全可恢復瞬態偏移。閾值電壓的遲滯效應是由半導體-絕緣體界面缺陷中，電荷的短期俘獲和釋放引起的。因此，關斷時的柵極電壓欠沖會對碳化硅（SiC）MOSFET的開關特性產生影響。
2022-09-20
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如何加強對Type-C數據線的充電保護？
USB Type-C（USB-C）電纜和連接器規范極大地簡化了實現互連和為數碼相機和超薄平板電腦等電子產品供電的方式（圖1）。該規范支持高達15W的USB-C充電應用，而USB-C功率傳輸（PD）將充電能力擴展至100W，包括各種可互換充電的設備。USB Type-C在系統保護方面帶來了新的挑戰。新連接器的間距比USB Micro-B小，增加了VBUS發生機械短路的風險。此外，由于USB PD具有高電壓，需要更強大的保護。最后，電子負載越來越復雜，需要加強ESD和電壓浪涌保護。此設計解決方案首先探討了USB Type-C PD架構以及與D+/D-數據信號保護相關的挑戰，然后提出了一種高度集成的2xSPDT開關，只需較少的BOM和PCB占用空間，就能夠攻克這些挑戰。
2022-09-19
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加速工業自動化升級，貿澤電子2022技術創新周第二期活動來襲
2022年9月16日 – 專注于引入新品推動行業創新?的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics)宣布于9月19 - 22日舉辦貿澤電子技術創新周第二期專題活動。本期內容將重點聚焦工業自動化，特邀來自Analog Devices, Amphenol, Phoenix Contact, Silicon Labs, TDK (Shanghai) Electronics, Texas Instruments等國際知名廠商的資深技術專家，并攜手哈爾濱工業大學電磁驅動與控制研究所副所長，寧波市智能制造技術研究院副院長在每天下午14:00-15:10和15:10-16:10兩個時間段，為大家帶來工業自動化的前沿應用與方案，展望工業自動化未來發展趨勢。
2022-09-16
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Molex與貿澤聯手推出射頻連接器內容中心，介紹射頻連接器在智能農業等領域中的應用
2022年9月15日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Molex合作推出新的內容中心，深入探索射頻連接器的功能、挑戰和變革潛力。此內容中心提供十多項關于射頻技術的豐富資源，包括播客節目、白皮書、博客文章和產品指南等。每項內容都直接鏈接到貿澤網站上的Molex產品頁面，讓用戶輕松找到其設計所需的工具。
2022-09-15
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了解為高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設計供電方案的挑戰
了解為當今高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設計供電方案的關鍵挑戰，是設計一個滿足每位設計工程師要求的含LDO (DC-DC, PMIC)的優化的電源系統方案的關鍵要素。電源系統設計人員需要知道不同應用中的電源方案有何不同，比方說，一個800萬像素（MP）的相機與一個5000萬像素的相機的電源方案有何不同，或幀率的不同（30 fps、60 fps、120 fps）如何改變他們的電源設計，多大頻率需要高電源抑制比(PSRR)，等等。本文意在強調在為當今任何圖像傳感器確定供電方案之前的基本考量。
2022-09-15
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GaN HEMT 大信號模型
GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8 W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態電流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加熱特性，并且元件參數的非線性與信號電平、熱效應和環境條件之間存在復雜的依賴關系。這些因素往往給準確預測器件大信號性能造成更多困難。
2022-09-15
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貿澤贊助Silicon Labs主辦的Works With 2022年開發者大會
2022年9月14日 – 專注于推動行業創新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿澤電子 (Mouser Electronics) 自豪地宣布成為Silicon Labs Works With 2022年線上會議的鉆石贊助商。Works With是一場以互聯設備開發為主題的免費網絡活動，將于9月13日至15日舉行。欲了解更多信息并免費注冊，請訪問Works With 2022官方頁面：https://workswith.silabs.com/。
2022-09-14
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深入剖析高速SiC MOSFET的開關行為
本文探討了影響高速SiC MOSFET開關特性的關鍵因素，包括器件特性、工作條件和外部電路；解釋了開關損耗的主要影響因素，并確定了影響器件行為和使用的重要因素，這些因素可以顯著提升SiC MOSFET在功率電路中的開關性能。
2022-09-13
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