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貿澤電子新品推薦:2022年第三季度推出超過11350個新物料
2022年11月8日 – 致力于快速引入新產品與新技術的業界知名分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics),首要任務是提供來自1200多家知名廠商的新產品與技術,幫助客戶設計出先進產品,并加快產品上市速度。貿澤旨在為客戶提供全面認證的原廠產品,并提供全方位的制造商可追溯性。
2022-11-08
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科普:MOSFET結構及其工作原理
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體)+FET(Field Effect Transistor場效應晶體管)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓,產生電場的效應來控制半導體(S)導電溝道開關的場效應晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離,MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場效應管。
2022-11-04
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貿澤與ST合作推出新電子書,探討響應式邊緣人工智能的未來
2022年11月3日 – 專注于推動行業創新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與STMicroelectronics (ST) 合作推出新電子書《Intelligence at the Edge》(邊緣智能),探討部署在邊緣的人工智能 (AI) 與機器學習 (ML) 的新發展。書中來自貿澤和ST的主題專家深入分析了邊緣AI和ML開發的挑戰和應用,其精選文章涵蓋智能傳感器、嵌入式神經網絡和響應式AI等主題。
2022-11-03
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ADI攜手友達光電,面向汽車市場推出安全節能的寬屏顯示器
中國,北京–2022年11月3日,Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)宣布友達光電(TPE:2409)將在其領先的汽車寬屏顯示器產品系列中使用ADI的矩陣LED顯示屏驅動器技術。此項業內優異的技術支持局部調光,可將功耗顯著降低至少50%,滿足功能安全要求。
2022-11-03
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碳化硅(SiC)電源管理解決方案搭配可配置數字柵極驅動技術助力實現“萬物電氣化”
碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動和液壓系統,為機載交流發電機、執行機構和輔助動力裝置(APU)供電。這類解決方案還可以減少這些系統的維護需求。但是,SiC技術最顯著的貢獻體現在其所肩負實現商用運輸車輛電氣化的使命上,這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。
2022-11-02
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ADI將亮相2022年慕尼黑電子展,持續引領可持續未來
Analog Devices, Inc.將攜多領域的創新技術和解決方案亮相于11月15日至18日在德國舉辦的2022慕尼黑電子展,期間將在C4展廳125號展臺全方位展示面向工業自動化和儀器儀表、汽車、醫療健康、消費電子及通信等應用的創新成果。
2022-11-01
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MVG攜手思博倫推動OTA測試
天線測量解決方案領導者Microwave Vision Group(MVG)近日宣布,思博倫通信(思博倫)的GSS7000 GNSS模擬器已成功集成到MVG的OTA測試及無源天線測試系統中。MVG能夠對天線進行表征和評估,以測試無線連接性、可靠性和標準合規性。
2022-11-01
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2022年“創造未來”設計大賽圓滿成功
2022年11月1日 – 全球電子元器件授權分銷商和“創造未來”設計大賽贊助商貿澤電子 (Mouser Electronics) 向2022年大賽獲勝團隊表示祝賀,特別頒獎晚宴將于11月份舉行。這是SAE International 公司旗下的SAE Media Group主辦的第20屆年度大賽,由貿澤與其重要供應商Intel?和Analog Devices, Inc共同贊助。
2022-11-01
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熱管理:突破功率密度障礙的 3 種方法
實現更高功率密度的障礙是什么?實際上,熱性能是電源管理集成電路 (IC) 在電氣方面的附加特性,既無法忽略也不能使用系統級過濾元件“優化”。要緩解系統過熱問題,需要在開發過程的每個步驟中進行關鍵的微調,以便設計能夠滿足給定尺寸約束下的系統要求。以下是 TI 專注于優化熱性能和突破芯片級功率密度障礙的三個關鍵領域。
2022-11-01
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庖丁解牛看功率器件雙脈沖測試平臺
雙脈沖測試是表征功率半導體器件動態特性的重要手段,適用于各類功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時,這項測試發生在器件研發、器件生產、系統應用等各個環節,測試結果有力地保證了器件的特性和質量、功率變換器的指標和安全,可以說是伴隨了功率器件生命的關鍵時刻。
2022-10-31
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高集成度功率電路的熱設計挑戰
目前隨著科學技術和制造工藝的不斷發展進步,半導體技術的發展日新月異。對于功率半導體器件而言,其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝,功率密度越來越高。目前功率半導體器件不僅是單一的開關型器件如IGBT或MOSFET器件類型,也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件,還集成了驅動器和控制電路IC,這樣的功率半導體器件具有更高的集成度。這種混合集成型的功率半導體器件其封裝結構和傳統的單一功率半導體器件有一定的區別,因此其散熱設計和熱傳播方式也有別于傳統的功率半導體器件,會給使用者帶來更大的熱設計挑戰。
2022-10-28
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上海貝嶺為USB-PD應用提供高性能驅動IC和MOSFET解決方案
智能化便攜式電子設備諸如智能手機、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新換代,功能越來越豐富,隨之帶來了耗電量急劇上升的挑戰。然而,在現有電池能量密度還未取得突破性進展的背景下,人們開始探索更快的電量補給,以高效充電來壓縮充電時間,降低充電的時間成本,從而換取設備的便攜性,提升用戶體驗。
2022-10-28
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