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SiB4xxDK：Vishay采用熱增強PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET
日前，Vishay 宣布，推出采用熱增強PowerPAK SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴大了N溝道TrenchFET家族的陣容。今天發布的器件包括業界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有業內最低導通電阻的20V MOSFET。
2009-08-18
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Si4628DY ：Vishay新款低導通電阻單片MOSFET和肖特基SkyFET產品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出使用該公司最新TrenchFET技術的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET產品 --- Si4628DY。通過第三代TrenchFET硅技術，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產品中前所未有的最低導通電阻，在10V和4.5V柵極驅動電壓下的最大RDS(on)只有3mΩ和3.8mΩ。
2009-08-14
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PLT系列：Vishay穩定性極高的TCR薄膜電阻
日前，Vishay 宣布，推出新的PLT系列TCR薄膜電阻。在-55℃～+125℃的溫度范圍內，新器件的標準TCR為±5ppm/℃，容差低至±0.02%。
2009-08-11
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MUH1Px：Vishay新系列小尺寸表面貼裝1A整流器具有超快反向恢復時間
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新系列小尺寸、表面貼裝的1A整流器 --- MUH1Px。整流器的電壓范圍為100V～200V，25ns的超快反向恢復時間可滿足高頻應用的要求。
2009-08-10
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TCxT1300X01：Vishay可靠性最高的光電傳感器
日前，Vishay宣布推出通過AEC-Q101認證的TCPT1300X01和TCUT1300X01表面貼裝透射式(斷續式)光電傳感器，可用于汽車市場。今天推出的傳感器是業內首款達到+145℃的結溫等級、-40℃～+125℃的工作溫度范圍和潮濕敏感度等級1(MSL1)的器件。
2009-08-07
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MSE1Px：Vishay具有高達25kV的ESD小尺寸整流器
日前，Vishay宣布，推出ESD保護高達25kV的系列低尺寸表面貼裝整流器 --- MSE1Px。
2009-08-06
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Vishay推出三款采用不同封裝的的500V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型500V電壓的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，將該公司的6.2代N溝道平面FET技術延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封裝上。
2009-08-03
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SiR494DP：Vishay新款第三代12V功率MOSFET
日前，Vishay 宣布推出具有業內最低導通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的電壓降至12V，同時該器件的導通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當中最低的。
2009-07-31
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Vishay新款Power Metal Strip電池分流電阻
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款Power Metal Strip?電池分流電阻 --- WSBS8518，新電阻在8518尺寸封裝內實現了36W功率和低至100μΩ的極低阻值。
2009-07-27
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Vishay推出1280G、1285G系列AccutrimTM微調電位器
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款Bulk Metal?箔超高精度AccutrimTM微調電位器 --- 1280G和1285G。
2009-07-08
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WSR系列：Vishay推出5W功率的表面貼裝電阻
Vishay Intertechnology推出在4527封裝尺寸內提供5W額定功率的電阻，WSR5的尺寸僅有0.455英寸 x 0.275英寸(11.56 mm x 6.98 mm)，厚度僅有0.095英寸(2.41 mm)，為汽車系統中的電子控制裝置、通信基站中的電源、高端工作站和服務器中的DC-DC轉換器和VRM提供了緊湊的5W方案。
2009-06-30
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SiZ700DT: Vishay單封裝雙不對稱功率MOSFET器件
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出在一個封裝內集成一對不對稱功率MOSFET系列的首款產品 --- SiZ700DT。該款器件的推出將有助于減少DC-DC轉換器中高邊和低邊功率MOSFET所占的空間
2009-06-29
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