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SiC優勢、應用及加速向脫碳方向發展
如今，大多數半導體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個相對新的半導體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應用于MOSFET和肖特基二極管等半導體技術。
2023-09-24
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LED 和檢測器 IC 的熱阻測量
該封裝安裝在低電導率測試板上，根據 JEDEC 標準，該測試板的尺寸為 76.2 mm x 76.2 mm。包相對居中。總共準備了兩個低電導率板用于測量。這些測試板由 FR-4 材料制成，銅跡線厚度符合低電導率板的 JEDEC 標準。所有板上都使用了經過測試的“良好”設備。所有熱阻測量數據列于圖 2 中。
2023-09-23
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電機和碳化硅在商用車應用領域的優勢與挑戰
本文將從二氧化碳減排、未來動力總成的技術驅動因素等角度對商用車進行討論，并探討了基于碳化硅（SiC）的現代半導體器件，這些器件可以實現外形更小、效率更高和功能更強大的轉換器。在商用車領域，與乘用車相比，由于驅動架構不同，這個領域并沒有一個通用的解決方案適用于所有情況。
2023-09-22
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貿澤電子供應豐富多樣的u-blox連接和定位產品
2023年9月22日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 供應業界知名定位和無線通信技術制造商u-blox的廣泛產品組合。貿澤通過與u-blox建立的全球授權代理合作關系，為客戶在汽車、工業和消費類設備等應用領域的設計流程提供支持。
2023-09-22
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重磅！國產碳化硅設備再獲佳績
近日，國產SiC設備又傳來了振奮人心的消息：北京中電科電子裝備有限公司的SiC晶錠和晶片減薄機實現了6/8英寸大尺寸和新工藝路線匹配的雙技術突破。
2023-09-21
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實施混合式數據分析平臺的三個步驟
過去八年間，數據中臺及其“統一數據、統一服務、統一身份（One data, one service, one ID）”理念的廣泛采用，推動了中心化數據平臺和職責的普及。2023年Gartner中國CIO調研顯示，80%的中國受訪者依賴中心化IT部門來提供IT架構能力、數據、網絡安全標準和政策。
2023-09-21
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硅基氮化鎵在射頻市場的應用日益廣泛
氮化鎵技術將繼續在國防和電信市場提供高性能和高效率。射頻應用目前主要是碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）器件。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化鎵的主導地位，但它的出現將影響供應鏈，并可能影響未來的電信技術。
2023-09-21
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長電科技鄭力：高性能先進封裝創新推動微系統集成變革
第24屆電子封裝技術國際會議(ICEPT2023)于近日在新疆召開,來自海內外學術界和產業界超700名專家學者、研究人員、企業人士齊聚一堂,共話先進封裝技術創新、學術交流與國際合作。長電科技董事、首席執行長鄭力出席會議,發表《高性能先進封裝創新推動微系統集成變革》主題演講。
2023-09-21
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AMD蘇姿豐：AI對未來芯片設計十分重要，已列為戰略重點
據wccftech消息，AMD CEO蘇姿豐參加了在上海舉行的2023世界人工智能大會（WAIC），她在大會上表示，人工智能技術是未來芯片開發的發展方向，可以在測試和驗證階段提供幫助。
2023-09-21
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提升直流穩壓電路的效率并降低噪聲
在高效率非常重要的場合，開關穩壓器是電壓調節的理想選擇。但是，開關穩壓器仍然會消耗一些能量，而且開關噪聲可能是一個挑戰。利用 Analog Device 的直通特性，用戶可以實現效率的顯著提升和無噪聲運行。負載對電壓波動的承受能力越強，潛在效益越大。
2023-09-20
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使用電荷泵驅動外部負載
CS5521/23、CS5522/24/28 和 CS5525/26 系列 A/D 轉換器包含斬波穩定儀表放大器，用于測量低電平直流信號（±100 mV 或更小）。該放大器設計用于產生非常低的輸入采樣電流（在 -40 至 +85?C 范圍內，ICVF < 300 pA）。當使用高阻抗電路進行輸入保護時，低輸入電流可限度地減少熱電偶測量中可能出現的誤差，如圖 1 所示。
2023-09-20
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IGBT驅動芯片進入可編程時代，英飛凌新品X3有何玄機？
俗話說，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅動IC。一顆好的驅動不僅要提供足夠的驅動功率，最好還要有完善的保護功能，例如退飽和保護、兩電平關斷、軟關斷、欠壓保護等，為IGBT的安全運行保駕護航。
2023-09-19
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