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功率器件的熱設計基礎（二）——熱阻的串聯和并聯
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-11-12
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功率器件熱設計基礎（一）——功率半導體的熱阻
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-11-11
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如何使用GaNFET設計四開關降壓－升壓DC－DC轉換器？
在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場效應晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術，有望進一步提高功率、開關速度以及降低開關損耗。這些優勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。
2024-11-04
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第8講：SiC外延生長技術
SiC外延生長技術是SiC功率器件制備的核心技術之一，外延質量直接影響SiC器件的性能。目前應用較多的SiC外延生長方法是化學氣相沉積（CVD），本文簡要介紹其生產過程及注意事項。
2024-11-04
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遠山半導體發布新一代高壓氮化鎵功率器件
氮化鎵功率器件因其高速開關能力、高功率密度和成本效益而成為市場的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發揮，主要在消費電子領域內競爭價格。近期，隨著高壓氮化鎵器件的陸續推出，我們看到了它們在更廣泛市場應用中的潛力。
2024-11-01
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【泰克先進半導體實驗室】 遠山半導體發布新一代高壓氮化鎵功率器件
氮化鎵功率器件因其高速開關能力、高功率密度和成本效益而成為市場的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發揮，主要在消費電子領域內競爭價格。近期，隨著高壓氮化鎵器件的陸續推出，我們看到了它們在更廣泛市場應用中的潛力。
2024-10-20
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IGBT 還是 SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實現高性價比電驅
近幾年新能源車發展迅猛，技術創新突飛猛進。如何設計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續航里程一直是研發技術人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當的平衡。
2024-09-25
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第4講：SiC的物理特性
SiC作為半導體功率器件材料，具有許多優異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強度，可實現高耐壓。與另一種寬禁帶半導體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優勢。此外，由于GaN是直接躍遷型半導體，少數載流子壽命較短，因此通過電導調制效應來實現低導通電阻器件的效果并不理想。
2024-09-11
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如何“榨干”SiC器件潛能？這幾種封裝技術提供了參考范例
隨著全球對可再生能源和清潔電力系統的需求不斷增長，光儲充一體化市場為實現能源的高效利用和優化配置提供了創新解決方案。在此趨勢引領下，碳化硅（SiC）產業生態正迅速發展，逐漸成為替代傳統硅基功率器件的有力市場競爭者。
2024-09-03
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OBC設計不斷升級，揭秘如何適應更高功率等級和電壓
消費者需求不斷攀升，電動汽車(EV)必須延長續航里程，方可與傳統的內燃機(ICE)汽車相媲美。解決這個問題主要有兩種方法：在不顯著增加電池尺寸或重量的情況下提升電池容量，或提高主驅逆變器等關鍵高功率器件的運行能效。為應對電子元件導通損耗和開關損耗造成的巨大功率損耗，汽車制造商正在通過提高電池電壓來增加車輛的續航里程。
2024-08-22
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不斷改進 OBC 設計，適應更高的功率等級和電壓
消費者需求不斷攀升，電動汽車 (EV) 必須延長續航里程，方可與傳統的內燃機 (ICE) 汽車相媲美。解決這個問題主要有兩種方法：在不顯著增加電池尺寸或重量的情況下提升電池容量，或提高主驅逆變器等關鍵高功率器件的運行能效。
2024-08-08
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第1講：三菱電機功率器件發展史
三菱電機從事功率半導體開發和生產已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機一直致力于功率半導體芯片技術和封裝技術的研究探索，本篇章帶你了解三菱電機功率器件發展史。
2024-08-01
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