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異構集成 (HI) 與系統級芯片 (SoC) 有何區別？
異構集成 (Heterogeneous integration，HI) 和系統級芯片 (System on Chip，SoC) 是設計和構建硅芯片的兩種方式。異構集成的目的是使用先進封裝技術，通過模塊化方法來應對 SoC 設計日益增長的成本和復雜性。
2022-12-19
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瑞薩電子將與Fixstars聯合開發工具套件用于優化R-Car SoC AD/ADAS AI軟件
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子宣布，將與專注于多核CPU/GPU/FPGA加速技術的全球卓越供應商Fixstars（Fixstars Corporation）聯合開發用以優化并快速模擬專為瑞薩R-Car片上系統（SoC）所設計的自動駕駛（AD）系統及高級駕駛輔助系統（ADAS）的軟件工具。借助這些工具，在軟件開發的初始階段便可充分利用R-Car的性能優勢來快速開發具有高精度物體識別功能的網絡模型，由此減少開發后返工，進一步縮短開發周期。
2022-12-15
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鎖相環技術解析（下）
以下方案ARROW均有代理，被廣泛應用于多載波全球移動通信系統 (MC-GSM)、5G和毫米波無線基礎設施 、 微波回程連線 、測試和測量設備、高速數據轉換器計時、衛星通信等領域的頻率合成、時鐘產生和相位管理。同時ARROW可提供配套的底噪聲、高可靠性電源方案, 以及配套的高Q值感阻容器件，主要品牌有TI、ADI、NXP、ON、ST等。
2022-12-12
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高可靠性電容式MEMS麥克風在車載中的應用
采用MEMS技術制造的電容式硅麥克風在小型化、性能、可靠性、環境耐受性、成本及量產能力上與ECM（Electret Capacitance Microphone）相比具有巨大優勢，一經推出變迅速占領手機、PDA（Personal Digital Assistant）、耳機等消費電子產品市場。
2022-12-09
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基于傳感器內神經網絡的模擬-信息轉換技術，可顯著降低傳感器功耗
據麥姆斯咨詢報道，近日，亞利桑那州立大學（Arizona State University）介紹了一種片上模擬-信息轉換技術，該技術利用基于儲層計算范式的模擬超維計算，在本地傳感器內處理心電圖（electrocardiograph，ECG）信號，并將射頻（RF）傳輸減少三個數量級以上。片上模擬-信息轉換器不是傳輸稀疏的ECG信號或提取的特征，而是通過一個附有人工神經網絡的非線性存儲內核來分析ECG信號，并傳輸預測結果。所開發的技術被證明可用于檢測敗血癥發作，并實現了超高的準確度和能效，同時使用65nm CMOS原型測試芯片將傳感器功耗降低了159倍。
2022-12-06
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新型的工業級TMR角度傳感器
在 IoT 市場、工業設備以及消費類方面的應用中，常需要傳感器來感測角度，使設備能夠進行精確的運動或是進行相對應的判斷，其中一種新型的 TMR （Tunnel Magneto-resistance）傳感器便具有高靈敏度、低功耗、高線性度、低溫度依賴性等優勢。本文將為您介紹TMR傳感器的特色，以及由Murata銷售的Crocus Technology TMR角度傳感器的產品特性。
2022-12-05
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基于英飛凌TC275的電動助力轉向系統(EPS)方案
電動助力轉向系統（Eelectric Power Steering 簡稱 EPS 是一種直接依靠電機提供輔助扭矩的動力轉向系統 。它作為一種新型助力轉向系統與已有幾十年發展歷史的傳統液壓轉向技術相比，具有諸多優點。
2022-11-17
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一文理解BUCK電路的降壓原理
BUCK電路和BOOST電路用到的器件幾乎一樣，如果理解了BOOST電路的升壓原理，其實BUCK的降壓原理也是很容易理解的。
2022-11-17
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意法半導體嵌入式 AI 解決方案增加簡化機器學習開發的高級功能
為了擴大開發工具的功能，加快嵌入式人工智能 (AI) 和機器學習 (ML) 開發項目，意法半導體發布了NanoEdge AI Studio 和 STM32Cube.AI.的升級版本。
2022-11-16
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TI最新buck-boost 轉換器助力車載攝像頭POC方案
為了使駕駛安全避免事故，高級駕駛員輔助系統 (ADAS)正成為現代汽車的標準配置。攝像頭是高級駕駛員輔助系統 (ADAS)的重要組成部分，可提供駕駛員以前無法查看的盲點視圖、交通標志識別、行人檢測以及車輛停車輔助（圖 1）。
2022-11-11
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科普：MOSFET結構及其工作原理
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體)+FET(Field Effect Transistor場效應晶體管)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產生電場的效應來控制半導體(S)導電溝道開關的場效應晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場效應管。
2022-11-04
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貿澤與ST合作推出新電子書，探討響應式邊緣人工智能的未來
2022年11月3日 – 專注于推動行業創新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與STMicroelectronics (ST) 合作推出新電子書《Intelligence at the Edge》（邊緣智能），探討部署在邊緣的人工智能 (AI) 與機器學習 (ML) 的新發展。書中來自貿澤和ST的主題專家深入分析了邊緣AI和ML開發的挑戰和應用，其精選文章涵蓋智能傳感器、嵌入式神經網絡和響應式AI等主題。
2022-11-03
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