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談談超結功率半導體器件
超結功率半導體器件是一類具有超結耐壓層的重要器件，超結將PN結引入到常規“電阻型”耐壓層中，使之質變為“結型耐壓層”，這種質變突破傳統功率器件比導通電阻和耐壓之間的Ron,sp ∝VB2.5“硅極限”關系，使之降低到Ron,sp ∝VB1.32，甚至 Ron,sp ∝VB1.03，超結器件也因此被譽為功率半導體器件的“里程碑”。從耐壓層角度回顧功率半導體40年發展的3個里程碑，綜述了超結的發明、概念與機理、技術與新結構，并總結超結發展歷程與趨勢。
2020-02-19
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降低開關電源輸出 “紋波與噪聲” 10大招！
紋波主要在五個方面：輸入低頻紋波、高頻紋波、寄生參數引起的共模紋波噪聲、功率器件開關過程中產生的超高頻諧振噪聲和閉環調節控制引起的紋波噪聲。
2020-02-11
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一文解讀碳化硅功率器件的特點
功率半導體器件作為功率變換系統的核心器件，目前應用最多的仍舊是 IGBT，在很多時候還需要搭配合適的反向并聯二極管。
2020-01-08
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最小負載電流工作 — 零負載工作
作為一名應用工程師，我經常被問及有關穩壓器空載工作的問題。大多數現代 LDO 和開關穩壓器均能在空載的情況下穩定工作，那么，人們為什么還要再三詢問呢？一些老式的功率器件要求具有最小的負載以保證穩定性，因為其中一個必須得到補償的電極受有效負載電阻的影響，如“低壓降穩壓器（詢問應用工程師—37）中所述。”例如，圖 A 顯示，LM1117 至少需要 1.7 mA 的負載電流（最大 5 mA）。
2019-12-28
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三相固態繼電器工作原理
三相固態繼電器（Solid State Relay，縮寫SSR），是由微電子電路，分立電子器件，電力電子功率器件組成的無觸點開關；是一種兩個接線端為輸入端，另兩個接線端為輸出端的四端器件，中間采用隔離器件實現輸入輸出的電隔離。固態繼電器的輸入端用微小的控制信號，達到直接驅動大電流負載。
2019-11-11
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數據中心和通信機房，需要這樣的功率器件……
GaN的理論優勢正在主流設計中得以實現，尤其是在數據中心和通信機房電源兩個應用領域，與硅器件相比較，GaN的優勢更明顯。采用GaN進行產品設計，廠家和用戶都將能享受到系統成本和運營方面的好處。
2019-09-16
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【干貨】元器件插裝注意點及基本原則
要根據產品的特點和企業的設備條件安排裝配的順序。如果是手工插裝、焊接，應該先安裝那些需要機械固定的元器件，如功率器件的散熱器、支架、卡子等，然后再安裝靠焊接固定的元器件。
2019-09-02
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SBC基礎課程——CAN/LIN SBC初學者指南
SBC是純粹的集成電路，它將控制器局域網絡（CAN）或本地互聯網絡（LIN）收發器與內部/外部“功率器件”集成在一起。該功率器件可以是低壓差線性穩壓器（LDO）、DC/DC轉換器或兩者兼有。
2019-06-24
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12種模式全面解析移相全橋
人們在硬開關全橋的基礎上，開發出了一種軟開關的全橋拓撲——移相全橋，利用功率器件的結電容與變壓器的漏感作為諧振元件，使全橋電源的4個開關管依次在零電壓下導通，來實現恒頻軟開關，提升電源的整體效率與EMI性能，當然還可以提高電源的功率密度。以下講解移相全橋的12種工作模式。
2019-02-27
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基于GaN HEMT的S波段的功率放大器設計
近年來，寬禁帶材料與微波功率器件發展非常迅猛。GaN材料作為第三代半導體的典型代表，具有很多優異的特性，如禁帶寬度寬、擊穿場強高、熱傳導率高和峰值電子漂移速度高，所以GaN材料可以很好地滿足高溫、高頻和高功率等工作要求。
2019-01-21
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SiC MOSFET換流回路雜散電感的提取方法
針對目前雜散電感提取方法存在的問題，本文提出了一種適用于SiC MOSFET換流回路雜散電感的提取方法，并基于SiC功率器件的開關瞬態特性測試平臺對本文所提雜散電感提取方法的可行性進行了驗證。與現有的間接測量方法不同，該方法是基于SiC MOSFET開關瞬態振蕩頻率求解換流回路雜散電感。
2018-11-29
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如何計算三極管基極驅動電阻？
三極管電路設計是我們每個入行的電子工程師必然會碰到的設計。因為我們經常需要用到三極管來進行電平轉換，信號放大，控制各種功率器件。現在我們拿常見的LED燈珠控制電路來分析，你只要明白了其中的原理，就不再難計算三極管基極電阻了。
2018-10-23
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