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超高功率密度SiC模塊，助力電動車主逆變器小型化
碳化硅（SiC）作為一種第三代半導體材料，具有耐高壓、耐高頻的特性，相比傳統的硅基半導體，碳化硅MOSFET在功率轉換效率、損耗降低方面表現出色，這使得它在新能源汽車、電力電子設備等領域有著廣泛的應用前景。隨著新能源汽車市場的快速增長，碳化硅MOSFET的需求也在不斷增加，尤其是在需要高效率、高可靠性的應用場景中，碳化硅MOSFET的優勢更加明顯。
2024-09-05
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如何“榨干”SiC器件潛能？這幾種封裝技術提供了參考范例
隨著全球對可再生能源和清潔電力系統的需求不斷增長，光儲充一體化市場為實現能源的高效利用和優化配置提供了創新解決方案。在此趨勢引領下，碳化硅（SiC）產業生態正迅速發展，逐漸成為替代傳統硅基功率器件的有力市場競爭者。
2024-09-03
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貿澤、Analog Devices和Samtec推出全新電子書 匯集各路專家關于信號完整性的真知灼見
貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Samtec合作推出一本全新電子書，探索在聯網世界中保持信號完整性所涉及的挑戰和需要應對的細節問題。
2024-09-02
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AGIC通用人工智能展與IOTE物聯網展攜手圓滿落幕，物聯網科技盛宴精彩紛呈！
AGIC 2024 深圳（國際）通用人工智能大會暨產業博覽會與 IOTE 2024 第 22 屆國際物聯網展-深圳站于8月30日圓滿落幕。此次展會規模達 60000 平方米，共有 810 家參展商，總觀眾人數為 51782 人，總人次達 92356，其中海外觀眾人數為 2641 人，占比 5.1％。此外，還有 55 個終端用戶觀展團，共計 1594 人，以及 268 家媒體參與。展會還舉辦了 30 多場高質量專題會議，邀請了 13 位院士和 500 多位嘉賓。
2024-09-02
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觀眾如潮！AI+IoT行業頂級盛會，重磅開幕！
IOTE 2024第二十二屆國際物聯網展·深圳站 + AGIC 2024 國際通用人工智能展在深圳國際會展中心盛大開幕。
2024-08-30
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貿澤電子擴充工業自動化產品陣容及資源中心助力工業5.0
專注于引入新品的全球電子元器件授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 繼續擴充其工業自動化產品陣容及資源中心。隨著各行各業朝著更加智能化和互聯化的未來快速發展，貿澤始終走在時代前沿，為電子設計工程師和買家提供潮流產品和資源來應對復雜的現代工業應用。
2024-08-24
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如何在沒有軟啟動方程的情況下測量和確定軟啟動時序？
電源管理IC通常包含稱為軟啟動的內置功能。軟啟動功能主要見于開關電源中，但也可見于線性電源(LDO)中，作用是在啟動期間以受控方式逐漸提高輸出電壓，從而限制沖擊電流，這有助于防止初始通電時電流或電壓突然激增。大多數開關電源都帶有軟啟動功能，該功能可以從外部調節或在內部設置。
2024-08-23
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OBC設計不斷升級，揭秘如何適應更高功率等級和電壓
消費者需求不斷攀升，電動汽車(EV)必須延長續航里程，方可與傳統的內燃機(ICE)汽車相媲美。解決這個問題主要有兩種方法：在不顯著增加電池尺寸或重量的情況下提升電池容量，或提高主驅逆變器等關鍵高功率器件的運行能效。為應對電子元件導通損耗和開關損耗造成的巨大功率損耗，汽車制造商正在通過提高電池電壓來增加車輛的續航里程。
2024-08-22
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電動汽車快速充電系統隔離式 DC/DC 轉換器的效率最大化
在全球范圍內從內燃機汽車 (ICE) 轉向電動汽車 (EV) 的條件是相應的充電基礎設施取得重大進展。雖然低功率 (<15 kW) 車載充電機可以在車輛閑置期間支持家庭充電，但長途旅行和服務行業需要更快的充電速度，以對標當前汽油加油站的加油速度。為了提高充電速度，需要同時改進電池技術和充電基礎設施。
2024-08-19
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X-CUBE-MATTER：不只是一個簡單的軟件包，更是克服當前挑戰的解決方案
ST 高興地宣布X-CUBE-MATTER現已支持 Matter 1.3。幾個月前，我們發布了這個軟件包的公開版，確保更多開發者能夠使用這個軟件包。隨著今天新版本的發布，我們成為現在首批支持該標準最新版本的芯片廠商之一。在Matter 1.3新增的眾多功能中，值得一提的是能耗報告。顧名思義，這個功能可以讓設備更容易報告電能消耗情況，從而幫助用戶實時監測能耗。另一個主要功能是間歇性連接設備，簡稱ICD。
2024-08-19
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使用運算放大器分割電壓軌以創建虛擬地
設計中可能包含需要雙極電源的傳感器或 IC，或者您需要充分利用雙極輸入模數轉換器 (ADC) 的動態范圍。分割電壓軌的另一個原因是，如果您在單電源軌設計中需要中間軌偏置電壓。
2024-08-17
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第3講：SiC的晶體結構
SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化學計量比組成的晶體，因其內部結構堆積順序的不同，形成不同的SiC多型體，本篇章帶你了解SiC的晶體結構及其可能存在的晶體缺陷。
2024-08-16
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