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    致工程師系列之二:功率器件的標(biāo)定及選擇

    發(fā)布時(shí)間:2020-03-10 來(lái)源:泰克科技 責(zé)任編輯:lina

    【導(dǎo)讀】對(duì)市場(chǎng)新推出的低功耗IC 及功率器件特性無(wú)法準(zhǔn)確把握?是否真正在自己的電源設(shè)計(jì)中發(fā)揮最大的作用,缺少一種簡(jiǎn)單經(jīng)濟(jì)的評(píng)價(jià)方法。對(duì)于電源產(chǎn)品設(shè)計(jì),大功率開(kāi)關(guān)管的選擇是非常關(guān)鍵也是非常困難的。
     
    對(duì)市場(chǎng)新推出的低功耗IC 及功率器件特性無(wú)法準(zhǔn)確把握?是否真正在自己的電源設(shè)計(jì)中發(fā)揮最大的作用,缺少一種簡(jiǎn)單經(jīng)濟(jì)的評(píng)價(jià)方法。對(duì)于電源產(chǎn)品設(shè)計(jì),大功率開(kāi)關(guān)管的選擇是非常關(guān)鍵也是非常困難的。 如何在系統(tǒng)調(diào)試之前對(duì)IGBT模塊特性進(jìn)行測(cè)試,尤其基于橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),在不同的負(fù)載條件測(cè)試IGBT及相應(yīng)的二極管的特性?這些成為工程師非常頭疼的問(wèn)題。
     
    功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)/雙脈沖測(cè)試
     
    功率器件如MOSFET和IGBT提供了快速開(kāi)關(guān)速度,能夠耐受沒(méi)有規(guī)律的電壓峰值,被廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。尤其最新第三代半導(dǎo)體SiC和GaN快速發(fā)展和應(yīng)用可以毫不夸張的說(shuō)給電源行業(yè)帶來(lái)顛覆性的變化。對(duì)于設(shè)計(jì)工程師來(lái)說(shuō)卻帶來(lái)了非常大的測(cè)試挑戰(zhàn),如何保證選用的高速功率器件能穩(wěn)定可靠的運(yùn)行在自己的電源產(chǎn)品中,我們需要了解功率器件的動(dòng)態(tài)特性:
     
    器件在不同溫度的特性
    短路特性和短路關(guān)斷
    柵極驅(qū)動(dòng)特性
    關(guān)斷時(shí)過(guò)電壓特性
    二極管回復(fù)特性
    開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試等
     
    泰克推出了IGBT Town功率器件支持單脈沖,雙脈沖及多脈沖測(cè)試方案,集成強(qiáng)大的發(fā)生裝置,數(shù)據(jù)測(cè)試裝置及軟件。用戶(hù)可以自定義測(cè)試條件,測(cè)試項(xiàng)目包含:Toff, td(off), tf(Ic),Eoff, Ton, td(on),tr(Ic), Eon, di/dt, dv/dt, Err, qrr, Irr based on IEC60747。推薦解決方案:MSO54 + 5-wins + 5-PWR + TIVM02 + TIVH08 + TCP0030A + IGBT town軟件。
     
    致工程師系列之二:功率器件的標(biāo)定及選擇
     
    采用雙脈沖法,用信號(hào)發(fā)生器設(shè)置脈寬為1uS,周期為2.5uS,脈沖次數(shù)為2次,示波器采用單次觸發(fā)。
     
    致工程師系列之二:功率器件的標(biāo)定及選擇
     
    采用MSO58功率器件分析功能可以直接得出CoolGaN™的動(dòng)態(tài)參數(shù)。左下的測(cè)試提示Ic off是因?yàn)橛w凌的CoolGaN™完全沒(méi)有反向恢復(fù)電流,從測(cè)試數(shù)據(jù)中可以看到基于英飛凌的CoolGaN™專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)1EDF5673K下的CoolGaN™ IGO60R070D1速度還是非常快的,而且完全沒(méi)有反向恢復(fù)損耗。
     
    致工程師系列之二:功率器件的標(biāo)定及選擇
     
    從測(cè)試結(jié)果可以看出該方案特點(diǎn):
     
    可靠、可重復(fù)地測(cè)試IGBT及MOSFET(包括第三代半導(dǎo)體器件SiC、GaN)功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)特征;
    測(cè)量的特征包括開(kāi)啟、關(guān)閉、開(kāi)關(guān)切換、反向恢復(fù)、柵極驅(qū)動(dòng),開(kāi)關(guān)損耗等參數(shù);
    適用于用戶(hù)對(duì)測(cè)試環(huán)境的自定義;
    全部使用泰克示波器及原廠電源探頭,可準(zhǔn)確補(bǔ)償探頭延遲,專(zhuān)用的開(kāi)關(guān)損耗算法,提供可靠的測(cè)試結(jié)果;
    獨(dú)特的IsoVu 探頭,最高800MHz帶寬高達(dá)120dB共模抑制比,準(zhǔn)確測(cè)試驅(qū)動(dòng)信號(hào)的真實(shí)情況。
    高功率半導(dǎo)體器件檢定測(cè)試
     
    開(kāi)發(fā)和使用MOSFET、IGBT、二極管及其他大功率器件,需要全面的器件級(jí)檢定,如擊穿電壓、通態(tài)電流和電容測(cè)量。Keithley高功率參數(shù)化曲線(xiàn)跟蹤儀支持所有的器件類(lèi)型和測(cè)試參數(shù)。Keithley高功率參數(shù)化曲線(xiàn)跟蹤儀包括檢定工程師快速開(kāi)發(fā)全面測(cè)試系統(tǒng)所需的一切。ACS-Basic基本版軟件提供了完整的器件特性分析,包括實(shí)時(shí)跟蹤模式及全部參數(shù)模式,實(shí)時(shí)跟蹤模式用來(lái)迅速檢查基礎(chǔ)器件參數(shù),如擊穿電壓;全部參數(shù)模式用來(lái)提取精確的器件參數(shù)。
     
    致工程師系列之二:功率器件的標(biāo)定及選擇
    測(cè)試平臺(tái)搭建
     
    致工程師系列之二:功率器件的標(biāo)定及選擇
    Keithley提供完整解決方案
     
    從實(shí)驗(yàn)室到工廠,從晶圓級(jí)到獨(dú)立封裝器件,從測(cè)試設(shè)置到分析結(jié)果,為最優(yōu)性?xún)r(jià)比設(shè)計(jì)的一體化完整解決方案。從實(shí)驗(yàn)室科研級(jí)別的單臺(tái)SMU源表到適用于高功率半導(dǎo)體器件檢定的完整測(cè)試方案,再到適用于自動(dòng)晶片級(jí)測(cè)試系統(tǒng),Keithley均能為您提供最優(yōu)性?xún)r(jià)比的完整解決方案。其方案配置如下:
     
    硬件:上至3kV/100A的功率電平,下至uV/fA級(jí)別小信號(hào)的寬動(dòng)態(tài)范圍;(SMU, 4200,PCT,S500多硬件平臺(tái)覆蓋) ;
    軟件:ACS-Basic支持各種Keithley儀器,用于半導(dǎo)體器件檢定、可靠性測(cè)試、參數(shù)化測(cè)試以及元器件功能測(cè)試;
    夾具:傳統(tǒng)連線(xiàn)測(cè)試夾具、8010高功率器件測(cè)試夾具、手動(dòng)/自動(dòng)探針測(cè)試臺(tái) 。
     
    你的難點(diǎn)痛點(diǎn),是我們的著力點(diǎn)。作為電源行業(yè)值得信賴(lài)的測(cè)試專(zhuān)家,泰克為工程師在電源設(shè)計(jì)各個(gè)階段提供可靠的解決方案,使工程師堅(jiān)定每一步設(shè)計(jì),優(yōu)化每個(gè)階段設(shè)計(jì),從而加速新產(chǎn)品的上市周期。了解電源測(cè)試全過(guò)程更多解決方案,https://www.tek.com.cn/power-solution-hub。
     
    (來(lái)源:泰克科技)
      
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