中心議題：
- 介紹新型MEMS解決方案
- 總結MEMS開關技術的發(fā)展優(yōu)勢與趨勢
解決方案：
- DPDT開關在封裝內集成兩個獨立的SPDT開關，減小整個開關系統(tǒng)的尺寸、成本和復雜性
- SP4T開關通過集成柵電阻的方式最大限度地減小整個開關的尺寸
- 26.5GHz的SPDT開關實現(xiàn)信號完整性極高的開關控制，支持數(shù)據(jù)速率達20Gbps以上的差分信號應用
由于MEMS開關是采用半導體制造工藝制成的，因此它們采用表面安裝之類的封裝技術能夠實現(xiàn)極小的外形尺寸。采用已有的批量制造技術，并且積極改進工藝從而在產量增大時迅速降低器件成本，MEMS開關的生產可以形成較大的規(guī)模。在MEMS開關的制造過程中采用自適應半導體質量控制技術能夠實現(xiàn)可與其他半導體器件相媲美的質量(缺陷水平為ppm量級)，不斷提高MEME開關的壽命可靠性。
這使得MEMS開關相比其他開關技術具有更顯著的優(yōu)勢。相比其他機械式繼電器(機電式和簧片式繼電器)，MEMS開關的尺寸更小，介入損耗更低，帶寬更大，開關速度更快。相比半導體開關(FET和PIN二極管)，MEMS開關具有更低的介入損耗、更高的線性度、更大的帶寬(完全直流操作)和更強的功率處理性能。最重要的是，人們對MEMS開關的研究與應用才剛剛開始，今后有望更進一步地提高它的性能和可靠性。
新型MEMS解決方案
TeraVicta公司推出了三種新型MEMS開關產品，以應對面臨的開關技術挑戰(zhàn)。其中包括為已有的7GHz開關系列增加了一種DPDT(雙刀雙擲)和SP4T開關，以及一種最新的高性能26.5GHz SPDT開關。DPDT開關在一個封裝內集成了兩個獨立的SPDT開關，減小了整個開關系統(tǒng)的尺寸、成本和復雜性。通過在柵線內(在器件封裝內)集成薄膜電阻進一步壓縮了器件尺寸，尤其有利于構建內含數(shù)百只開關的ATE應用(例如DUT負載板)。所有三種開關都提供3.8×5.1mm的mini-BGA芯片級封裝，預植了Pb/Sn和兼容RoHS的焊球。
與DPDT開關一樣，SP4T開關通過集成柵電阻的方式最大限度地減小了整個開關的尺寸。SP4T采用這種合成結構能夠在mini-BGA封裝內實現(xiàn)之前只能由同軸機電式繼電器實現(xiàn)的相同功能。SP4T支持測試與儀器應用中信號多路復用所需的高性能扇出功能(如圖3所示)，還支持無線系統(tǒng)的頻帶與濾波器開關應用，這類應用通常需要低介入損耗、高線性度和低功耗。SP4T開關采用的緊湊式表面安裝封裝能夠在一塊PC板上構建出高性能的4×4開關矩陣，代替使用同軸開關的機架式系統(tǒng)。
圖3：7GHz SP4T開關的性能。
高性能26.5GHz SPDT開關大大增強了TeraVicta系列開關產品的性能。如圖4中的SEM圖所示，這種開關在SPDT開關的每條腿上集成了雙HFDA，在柵線中集成了薄膜電阻，在開關柱(switch beam)上集成了偏壓電阻[3]。采用相同的HFDA技術能夠確保這種26.5GHz開關與之前的7GHz系列開關產品具有同樣的可靠性、功率處理性能和線性度。
圖4：26.5GHz SPDT開關的SEM圖。
它在SPDT開關的每條腿上集成了雙HFDA。圖(a)是SPDT的頂部視圖，(b)是側面視圖。
26.5GHz SPDT開關的射頻性能如圖5所示。在從直流到12GHz的頻率范圍內它的介入損耗低于0.4dB，在最高24GHz頻率下的介入損耗小于0.9dB。在從直流到12GHz的頻率范圍內它的隔離度大于30dB，在最高26GHz的頻率下隔離度大于18dB。在從直流到26.5GHz的整個開關帶寬內，其回波損耗優(yōu)于17dB。根據(jù)上述特性，這款26.5GHz的SPDT開關能夠在15Gbps以上帶寬的應用中實現(xiàn)信號完整性極高的開關控制，能夠支持數(shù)據(jù)速率達20Gbps以上的差分信號應用。這一帶寬足以滿足精確測試新一代高性能處理器、DSP、FPGA和存儲子系統(tǒng)的需求，這些器件和系統(tǒng)大多集成了高速互聯(lián)協(xié)議，例如SRIO(serial rapid IO，串行高速IO)、PCIe(PCI Express)和10Gb以太網(10GE/OC-192)。
圖5：26.5GHz SPDT開關的典型射頻性能。
本文小結
數(shù)字測試、儀器和無線通信領域的新興應用需要高性能的開關產品。未來的應用將延續(xù)這一趨勢——需要更寬的帶寬、更低的損耗、更高的電阻可重復性和更高的線性度。以TeraVicta為代表的開關產品供應商將繼續(xù)利用MEMS開關技術的優(yōu)勢，推動新一代開關產品的發(fā)展，滿足最新應用的需求。
