瑞薩電子低通態電阻功率MOSFET µPA2766T1A
 

新產品的30V電壓通態電阻為0.72m?（典型值），較瑞薩電子之前的產品降低了50%，達到業內最低水平。此外，產品的高效性以及小型表面封裝包（8-針HVSON）等功能可使得在更小規格的封裝內完成高電流控制，從而降低了功耗、實現了相對大型服務器存儲系統所用電源的微型化。

對于任務關鍵系統，常見的功能是提供冗余功率輸出，即：通過帶有對服務器存儲系統保持高可靠性的多電源裝置的ORing FET來完成。這些ORing FET被連接到每個電源裝置的功率輸出線上。在正常運行過程中，它們能夠保持接通狀態。但是，如果其中一個電源失效，相應裝置的ORing FET將會切換到斷開狀態，以確保將其與其他電源裝置隔離開，并保證失效電源裝置不會中斷系統電源。

在正常運行過程中，功率輸出線路能夠處理幾十到幾百安培的強大電流。ORing FET必須擁有低通態電阻特性以防止增加傳導損耗或降低電源電壓。

為了滿足這種需要，瑞薩電子在本公司新型低通態電阻工藝的基礎上，研發了一套（三件）MOSFET產品。新型µPA2764T1A、µPA2765T1A 和 µPA2766T1A能夠滿足上述需要，能以更小的規格提供行業領先的電源裝置內的低通態電阻。

新型低通態電阻功率MOSFET產品的主要特點

(1) 業內最低的通態電阻
 
新型的µPA2766T1A 可為5 mm × 6 mm 封裝內的30V應用程序提供0.72 m?的業內最低通態電阻，通過降低智能領域關鍵應用程序——網絡服務器和存儲系統中所使用的電源裝置的傳導損耗，提高了系統的總體功率效率。此外，該項功能使我們能夠抑制隨大電流產生的較大壓降。而且，即使在電源裝置出現大幅度電流波動的情況下，也能獲得高精度電源電壓。

(2)帶小面積安裝和大電流控制支持功能的8針HVSON封裝

由于金屬板用于將封裝內的FET模具連接到引腳上，所以8針HVSON 封裝可提供低封裝電阻。此項功能，加上FET模具的低通態電阻，使得即使在尺寸為5 mm × 6 mm的緊湊型封裝內，也能實現對高達130 A (ID (DC))大電流的控制。此外，在多個ORing FET以并聯的形式連接到每個電源裝置上以供應較大電流的情況下，產品的這一特征通過實現最少數量的并聯連接，還有助于縮小設備尺寸。

這三種新型MOSFET產品，包括 µPA2766T1A，擁有0.72 m?至1.05 m?（標準值）的通態電阻額定值。這一范圍可實現更好的產品選擇，從而能夠以最佳的狀態滿足用戶在運行電流或環境條件方面的要求。而且，它還使得客戶能夠提供最佳產品，有助于提高功率效率、降低空間要求。

瑞薩電子計劃進一步加強產品線的拓展，繼續努力降低通態電阻、開發更小規格的封裝，以滿足客戶不斷變化的需求。
 
定價與供貨情況

本公司目前可提供新型低通態電阻功率MOSFET產品的樣品。樣品的價格將會有所變動。µPA2764T1A的樣品價格將為1.20美元/單位，µPA2765T1A為1.00美元/單位，µPA2766T1A為1.80美元/單位。我們計劃在2013年2月開始新產品的批量生產，預計到2013年10月，三種產品的總體產量將會達到5,000,000個單位/月（定價和供貨情況如有變化，恕不另行通知）。

新型低通態電阻功率MOSFET產品的規格