近日，國產SiC設備又傳來了振奮人心的消息：北京中電科電子裝備有限公司的SiC晶錠和晶片減薄機實現了6/8英寸大尺寸和新工藝路線匹配的雙技術突破。

據了解，該技術已經在SiC襯底制備段及器件背面減薄段實現了小批量應用，并且獲得了頭部企業的一致認可，而且新的減薄機協調SiC激光改質剝離切割技術，可以大幅度的降低SiC襯底成本。

碳化硅（SiC）是第三代半導體產業發展的重要基礎材料。《“十四五”規劃和2035年遠景目標綱要》提出，我國將加速推動以SiC、 GaN為主的第三代半導體新材料、新技術產業化進程。碳化硅產業發展被列入十四五規劃以來，就一直處于風口浪尖狀態。

產業和政策共同拉動碳化硅技術的發展，其能夠在廣泛的應用中提供顯著的性能，同時與傳統硅技術相比，減少了提供同等性能所需的能量和物理空間。碳化硅部署在各種各樣的使用場景中，SiC適合高功率和高頻率應用場景，如智能電網、工業控制、新能源汽車、儲能和充電樁等行業。

在智能電網領域，傳統電網正向智能電網轉型，智能化電網設備以及優良器件的應用是實現集智能、靈活、互動、兼容、高效等多功能于一體的關鍵。碳化硅功率器件在高溫下具有較高的穩定性與可靠性，可以確保電力系統的穩定運行。

在工業控制中，基于SiC的功率半導體器件可在高溫、高壓、高頻、強輻射等極端環境下工作，性能優勢突出。不但可以降低驅動器的體積重量和損耗、減少音頻噪聲，還能提高功率密度和電機相應性能，其獨特的性能使其成為大功率工業驅動器中的電力電子材料的首選。

在新能源汽車領域，碳化硅功率器件可以提供更高功率密度和更高的效率，從而提高電池續航里程和減少能源消耗。對于新能源汽車來說，SiC具有高性能尺寸比、耐高溫、抗輻射等優勢，能夠滿足對電機驅動系統的需求，幫助系統減少尺寸、降低重量、提高系統可靠性。

在儲能和充電樁中，SiC技術能極大地降低儲能應用成本，儲能系統中包含了電源、DC/DC轉換器、逆變器等等，碳化硅技術在這種配置下的電源模塊中可以達到減少成本、重量、尺寸的目的，同時還可以提高電源模塊的效率。SiC能夠承受更高的電壓（1700V到2000V），可以實現對超級快充功能的支持，從而可以提高能量轉換效率并減小產品體積。

隨著國內新能源市場的迅猛發展，碳化硅功率器的需求呈井噴式爆發，其高效率、高穩定、高可靠等特性可以滿足充電樁的需求。目前來看，特斯拉等國外公司已經開始大規模布局碳化硅車型，而國內的廠商也在迅速跟進，以比亞迪為代表的整車廠商已經開始全面布局，將碳化硅技術應用到充電樁以及整車中。充電樁也有越來越多的新企業加入到了這個市場中，市場的容量在不斷地擴大。

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