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    了解RET的開關特性

    發布時間:2023-02-23 來源:Nexperia 責任編輯:wenwei

    【導讀】可通過基極電流開啟或關閉雙極結型晶體管(BJT)。但是,由于基極-發射極二極管兩端的壓降在很大程度上取決于溫度,因而在許多應用中,需要一個串聯電阻將基極電流保持在所需水平,從而確保BJT穩定安全地工作。閱讀本文,了解如何使用RET來應對標準BJT的溫度依賴性。


    為了減少元器件數量、簡化電路板設計,配電阻晶體管將一個或兩個雙極性晶體管與偏置電阻組合在一起,集成在同一個晶片上。替代方案包括在基極-發射極路徑上并聯第二個集成電阻,以創建用于設置基極電壓的分壓器。這可以提供更精細的微調和更好的關斷特性。由于這些內部電阻的容差高于外部電阻,因而 RET 適合晶體管在打開或關斷狀態下工作的開關應用。因此,RET 有時被稱為數字晶體管。本文討論了在開關應用中使用RET進行設計時的一些關鍵操作參數。


    1.png

    △ 配電阻晶體管(RET)


    電壓和電流(VI)參數


    IC/IIN 是指RET的電流增益 hFE,其中的IIN包括基極電流和流經 R2 的電流(IR2 = VBE/R2)。因此,hFE 比 RET 小,后者只有一個串聯基極電阻R1。因為輸入電流從基極分流,所以 R2 值越低,hFE 值就越小。從表1可看出這一點。VCEsat 是 RET 開關處于導通狀態時集電極-發射極的殘余電壓。


    測量 hFE 的測試條件是施加 0.5 mA 的基極電流和 10 mA 的集電極電流。Vi(off)是 RET 器件關閉時的輸入電壓。在這種情況下,集電極泄漏電流為 100μA,集電極-發射極電壓(VCE)為 5 V。表中提供的 V(Ioff)max 較低值是 RET 驅動級的最大允許輸出電平。該條件必須要滿足,以確保 RET 在關斷狀態下可以安全運行。當測試處于導通狀態的 RET 時,VI(on)min 是最關鍵的參數。用于驅動 RET 的電路必須能夠提供該電壓電平,以確保安全開啟。導通狀態是指集電極-發射極電壓為 0.3 V 時,集電極電流為 10 mA 的狀態。RET 數據手冊中規定的 VI 額定值僅針對這些測試條件有效。RET 需通過更大的基極驅動電壓 VI(on)來獲得更大的開關電流。圖2 顯示了 RET 晶體管的電壓-電流(VI)開關特性。


    ●   VI < VI(off)max:所有RET器件均保證處于關斷狀態

    ●   Vi < Vi(off)typ:典型RET處于關斷狀態

    ●   Vi < Vi(off)typ:典型RET處于導通狀態

    ●   VI > VI(on)min:所有RET器件均保證處于導通狀態


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    表 1 顯示了導通和關斷狀態的輸入電壓對 Nexperia NHDTC 系列 RET 中的電阻分壓器配置的依賴性。在 VI(off)條件下,會有一個微小的基極電流流過晶體管(約0.3 μA)。關閉 RET 所需的電壓典型值與電阻比 R1/R2 有關。當晶體管關閉時,可以通過 R2 或基極-發射極二極管兩端的壓降目標來計算此值。對于 NHDTC 系列,該電壓大約為 580 mV。因此,電阻比為 1 時的 VI(off) 值具有相同的電壓(表1中的第1-3行)。由于上述原因,當 R2 為 47 kΩ,且 R1 值為 2.2 kΩ、4.7 kΩ 或 10 kΩ時,關斷狀態的典型電壓值均會較低。VI(off) max 需為偶數值,以確保器件在圖 2 中最左側的深綠色陰影區域內運行。


    3.png

    △ Nexperia的RET產品組合


    正確選擇電阻分壓器至關重要,以確保 RET 的控制電壓范圍與驅動級相匹配。所需的集電極或負載電流會影響為導通狀態提供的基極電流。可使用較低的 R1 和/或 流經 R2 的較小旁路電流來設置較高的集電極電流。


    除了通用系列,Nexperia(安世半導體)還提供具有增強功能的 RET 器件,例如,NHDTA/NHDTC 系列 RET(見表1)的 VCEO 為 80 V。這一特性使得這些器件非常適合 48 V 汽車應用。PDTB 和 PBRN 系列 RET 支持 500/600 mA 的集電極電流,并可用于開關功率繼電器和功率 LED。


    有關溫度的注意事項


    在實際應用中,需密切關注VI參數的溫度漂移。BJT 的 VBE 隨溫度升高而降低,其中系數約為 -1.7mV/K 至 -2.1mV/K。如圖 3 所示,對于獨立的 BJT,hFE 也會每開爾文增加約 1%。


    4.png

    △ 典型直流電流增益與集電極電流呈函數關系


    VI(on) 為 IC 的函數,因此在相同的 VCE 下,需要更高的輸入電壓來驅動更多的集電極電流。低環境溫度需要更高的輸入電壓,因為 VBE 增加,hFE 會降低。因此需要在低溫下打開 RET 開關,這是應用的關鍵操作條件,并且需要足夠的輸入電壓才能正確打開器件(圖4)。


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    △ 典型導通狀態輸入電壓與集電極電流呈函數關系


    在關斷狀態下,高溫條件非常關鍵。因此,驅動電路必須設計為在最高應用溫度下輸出電壓遠低于 VI(off) 典型值(圖5)。


    6.png

    △ 典型導通狀態輸入電壓與集電極電流呈函數關系


    簡單,但安全可靠


    RET 是一種相對簡單的器件,非常適合開關應用。盡管如此,設計人員必須了解影響其運行的參數,包括開關電壓和電流,以及其受溫度影響的情況。本篇博客文章提供了一些設計技巧,目的是確保 Nexperia(安世半導體)的 RET 在目標應用中安全可靠地運行。


    來源:Nexperia

    作者:Burkhard Laue



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