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    先進(jìn)的隔離式封裝在大功率電池充電設(shè)計(jì)中的優(yōu)勢(shì)

    發(fā)布時(shí)間:2022-08-18 來(lái)源:Littelfuse 責(zé)任編輯:wenwei

    【導(dǎo)讀】為了提高消費(fèi)者對(duì)電動(dòng)汽車 (EV) 的接受度,設(shè)計(jì)人員需要提高充電器的功率輸出、功率密度和效率,以解決快速充電的挑戰(zhàn),尤其是對(duì)于長(zhǎng)途駕駛而言。將單個(gè)單元組件組合到模塊化設(shè)計(jì)中可提高功率輸出,并使充電器制造商實(shí)現(xiàn)更小的面積、更高的靈活性和可擴(kuò)展性的目標(biāo)。


    在先進(jìn)的隔離式封裝中使用有源功率元件,可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并顯著減少電路設(shè)計(jì)中的熱管理工作,從而解決大功率充電的挑戰(zhàn)。SMPD封裝具有眾多優(yōu)點(diǎn),能夠增加輸出功率而不顯著增加系統(tǒng)尺寸和重量,是實(shí)現(xiàn)更高功率密度的關(guān)鍵。Littelfuse 特意準(zhǔn)備了一個(gè)演示文稿來(lái)為大家介紹SMPD封裝,這里先介紹其中一些內(nèi)容。


    1.jpg


    電動(dòng)汽車電池充電,為電力公司帶來(lái)大負(fù)載的挑戰(zhàn),因此公用事業(yè)公司正在研究 V1G智能充電和V2G雙向充電技術(shù)作為應(yīng)對(duì)。在 V1G技術(shù)中,公用事業(yè)公司將通過(guò)控制電動(dòng)汽車開(kāi)始充電的時(shí)間和供應(yīng)能量的大小來(lái)分配能量負(fù)載,以最大限度地減少需求峰值。V2G則控制充電的時(shí)間和容量以及充電的方向,使得公用事業(yè)公司可以將充電電池中的電力拉回電網(wǎng),為另一輛車供電,以減少高峰需求。


    V2G技術(shù)需要雙向充電器,與單向充電器相比,雙向設(shè)計(jì)更加復(fù)雜,需要更多元件、額外的功耗管理工作和復(fù)雜的控制算法。


    處理更高的功率需要高功率半導(dǎo)體的先進(jìn)封裝


    圖 1 展示了一種雙向電源拓?fù)洌撏負(fù)湓?個(gè)半橋組中使用16個(gè)碳化硅功率MOSFET。設(shè)計(jì)人員會(huì)利用更多的并聯(lián)分立功率 FET 來(lái)實(shí)現(xiàn)更高的功率,從而使充電/放電系統(tǒng)設(shè)計(jì)變得更加困難。分立式功率 FET 封裝通常是 D2PAK 或 TO-247 封裝。當(dāng)設(shè)計(jì)輸出功率水平超過(guò) 30 kW 時(shí),先進(jìn)封裝提供支持所需高輸出功率的元件。


    2.png

    圖 1  具有多級(jí)功率轉(zhuǎn)換的雙向充電器電路


    圖 2 顯示了封裝選項(xiàng)及其功率處理能力。表面貼裝功率器件(SMPD) 封裝為設(shè)計(jì)人員提供了功率能力、功耗以及易于布局和組裝的最佳組合。


    3.png

    圖2  封裝功率能力及封裝性能對(duì)比


    實(shí)現(xiàn)更高功率密度的 SMPD 封裝


    圖 3 給出了Littelfuse 的 SMPD 封裝示例。SMPD 采用直接銅鍵合 (DCB) 基板,帶有銅引線框架、鋁鍵合線和半導(dǎo)體周圍的塑料模塑料。DCB 結(jié)構(gòu)提供高隔離強(qiáng)度,并允許在單個(gè)載體上進(jìn)行具有高散熱能力的多半導(dǎo)體排列。DCB 中裸露的銅層使連接到散熱器的表面積最大化。將銅引線框架與鋁焊線相結(jié)合可以簡(jiǎn)化焊接和組裝。


    4.png

    圖 3  表面貼裝功率器件 (SMPD) 封裝的示例結(jié)構(gòu)(來(lái)源:Littelfuse )


    本示例中的 SMPD 封裝設(shè)計(jì)具有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn):


    ●    UL認(rèn)證,額定絕緣電壓高達(dá)2500 V

    ●    與其它半導(dǎo)體封裝(例如 TO 型器件)相比,熱阻更低。

    ●    SMPD 提供比 TO 型封裝更高的載流能力。

    ●    由于半導(dǎo)體芯片和散熱器之間的低寄生耦合電容,降低了輻射 EMI。

    ●    最大限度地利用半導(dǎo)體的能力,以及由于封裝的低雜散電感導(dǎo)致的低電壓過(guò)沖。

    ●    在啟用定制拓?fù)浞矫婢哂懈蟮撵`活性,包括晶閘管、功率二極管、MOSFET 和 IGBT。

    ●    由于背面隔離,所有功率半導(dǎo)體都可以安裝在單個(gè)散熱器上。


    圖4 顯示了SMPD封裝如何將元件數(shù)量減少近一半,從而實(shí)現(xiàn)更高的功率、更大的功率密度和更小的裝配尺寸。


    5.png

    圖 4  基于 SMPD 封裝的雙向充電器,與使用分立器件相比,可將元件數(shù)量減少一半。


    以更小的封裝提供更高的功率


    設(shè)計(jì)人員可以增加充電器的功率,從而提高功率密度。通過(guò)采用 SMPD 封裝,設(shè)計(jì)人員可以開(kāi)發(fā)輸出高達(dá) 50 kW 的單個(gè)功率單元,而無(wú)需并聯(lián)元。


    表面貼裝封裝設(shè)計(jì),例如 Littelfuse 的封裝設(shè)計(jì),可以通過(guò)低熱阻封裝技術(shù)最大限度地減小散熱器尺寸和成本。由于寄生電容和雜散電感較低,這種封裝可以降低輻射和傳導(dǎo) EMI。設(shè)計(jì)人員可以通過(guò)在更高頻率下工作來(lái)使用更小的電感器,從而節(jié)省空間和成本。SMPD 功率器件封裝可幫助設(shè)計(jì)人員克服在不顯著增加所構(gòu)建系統(tǒng)的尺寸和重量的情況下增加輸出功率的挑戰(zhàn)。


    來(lái)源:Littelfuse,作者:Littelfuse應(yīng)用工程全球負(fù)責(zé)人Martin Schulz 博士和Littelfuse電動(dòng)汽車基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理Philippe Di Fulvio



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