<abbr id="kc8ii"><menu id="kc8ii"></menu></abbr>
  • <input id="kc8ii"><tbody id="kc8ii"></tbody></input><table id="kc8ii"><source id="kc8ii"></source></table><kbd id="kc8ii"></kbd>
    <center id="kc8ii"><table id="kc8ii"></table></center>
  • <input id="kc8ii"></input>
    <abbr id="kc8ii"></abbr>
  • <abbr id="kc8ii"></abbr>
  • <center id="kc8ii"><table id="kc8ii"></table></center>
    <abbr id="kc8ii"></abbr>
    你的位置:首頁 > 電源管理 > 正文

    反向恢復時間trr的影響

    發布時間:2022-04-08 來源:ROHM 責任編輯:wenwei

    【導讀】在逆變器電路中,開關器件的反向恢復時間trr(Reverse recovery time)特性對損耗的影響很大。在這里,我們將使用“ROHM Solution Simulator”的“Power Device Solution Circuit”進行仿真,以確認trr對逆變器電路的影響。


    逆變器電路的優化


    ●    在選擇逆變器電路中的開關器件時,要選擇trr小的產品,這一點很重要。

    ●    如果逆變器電路中的開關器件的trr大,則開關損耗會增加。

    ●    如果逆變器電路中的開關器件是MOSFET,請仔細確認內部二極管的trr特性。


    01 反向恢復時間trr對逆變器電路的影響


    在逆變器電路中,開關器件的反向恢復時間trr(Reverse recovery time)特性對損耗的影響很大。在這里,我們將使用“ROHM Solution Simulator”的“Power Device Solution Circuit”進行仿真,以確認trr對逆變器電路的影響。


    02 仿真所用的逆變器電路


    作為示例,我們使用上一篇文章中給出的Power Device Solution Circuit一覽表中的逆變器電路“B-6. 3-Phase 3-Wire Inverter Vo=200V Po=5kW”(圖1)。更改該逆變器電路的開關器件(黃色框)并進行仿真,以確認trr的影響。


    19.png

    圖1:Power Device Solution Circuit逆變器電路B-6. 3-Phase 3-Wire Inverter Vo=200V Po=5kW


    03 trr特性在逆變器電路中的重要性


    圖2顯示了圖1的逆變器電路中開關時的電流路徑。


    在逆變器電路中,為了調整供給的功率,通過PWM和PFM等的控制,使High side(高邊)和Low side(低邊)的器件交替ON/OFF。圖2中的①~⑤表示其工作過程,并反復進行該工作過程。


    著眼點在于從④到⑤的工作中,由于反向恢復電流在High side從OFF變為ON的時間點流過Low side的內部二極管,因此,直通電流會從High side流向Low side(紅色所示)。


    20.png

    圖2:開關時的電流路徑


    該反向恢復電流對續流側器件(Low side)本身的損耗影響很小,但如圖3所示,對于開關側器件(High side),由于在VDS變化之前這種反向恢復電流會疊加在正常的開關電流中,從而會造成非常大的導通損耗。因此,在逆變器電路中,要選擇trr小的開關器件,這一點很重要。


    21.png

    圖3:開關側器件(High side)的導通波形示例以及trr的大小與開關損耗之間的關系


    04 trr特性差異帶來的開關損耗比較


    圖4是在圖1的逆變器電路中,使用面向普通開關應用的超級結MOSFET R6047KNZ4作為開關器件時,以及使用以內置二極管的高速trr著稱的PrestoMOS? R6050JNZ4時(圖1的黃色框)的開關損耗和開關波形仿真結果。


    22.png

    圖4:不同trr特性的開關器件的開關損耗和波形比較(仿真)


    如仿真波形所示,由于trr特性的差異,導通損耗存在顯著差異。與R6047KNZ4相比,內部二極管具有高速trr特性的R6050JNZ4的導通損耗降低至約1/5。順便提一下,R6047KNZ4的內部二極管的trr為700ns(Typ.),R6050JNZ4為120ns(Typ.),不到1/5。


    此外,在分析整個逆變器電路工作期間開關器件(MOSFET)的損耗時,如圖5所示,可以看出trr對損耗具有很大影響。


    23.png

    圖5:普通開關MOSFET和高速trr MOSFET的損耗分析


    根據該結果,可以說在選擇逆變器電路中的開關器件時,要選擇內部二極管具有高速trr的產品,這一點很重要。



    免責聲明:本文為轉載文章,轉載此文目的在于傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題,請聯系小編進行處理。


    推薦閱讀:


    航天級數字隔離如何滿足LEO衛星的高抗輻射和抗干擾要求

    開拓環境新時代并為未來鐵路提供支持的電容器

    KNX標準為智能家居提供完善控制方案

    ACF PWM控制器滿足現代AC-DC電源轉換需求

    基于PN結隔離(JI)技術的驅動芯片簡介及設計指導

    特別推薦
    技術文章更多>>
    技術白皮書下載更多>>
    熱門搜索
    ?

    關閉

    ?

    關閉

    中文无码人妻有码人妻中文字幕| 日韩人妻无码精品一专区| 亚洲制服中文字幕第一区| 无码超乳爆乳中文字幕久久| 日本中文字幕免费看| 免费a级毛片无码a∨免费软件 | 亚洲一区二区三区在线观看精品中文| 亚洲AV无码之日韩精品| 天堂а√中文在线| 国产成人A亚洲精V品无码| 日韩精品无码一区二区三区不卡| 国产精品无码专区在线观看| 亚洲中文字幕无码一区二区三区| 精品久久久无码中文字幕天天| 亚洲精品无码AV人在线播放| 草草久久久无码国产专区| 色欲狠狠躁天天躁无码中文字幕| 内射人妻少妇无码一本一道| 色窝窝无码一区二区三区色欲| 精品久久亚洲中文无码| 亚洲Av永久无码精品三区在线| 亚洲日本中文字幕天天更新| 亚洲精品无码不卡在线播HE| av区无码字幕中文色| 亚洲国产精品无码中文字| 久久精品无码一区二区WWW| 精品无码一区二区三区爱欲| 无码中文字幕乱在线观看| 97无码人妻福利免费公开在线视频 | 在线亚洲欧美中文精品| 亚洲日韩VA无码中文字幕| 亚洲av无码成h人动漫无遮挡| 在线中文字幕一区| 中文字幕无码不卡免费视频| 精品欧洲AV无码一区二区男男| 日韩AV高清无码| 久久亚洲中文字幕精品一区| 久久中文字幕人妻丝袜| 久久久久无码精品国产app| 无码丰满少妇2在线观看| 成人无码A区在线观看视频|