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    如何區分降壓轉換器的集成開關和外部開關優勢?

    發布時間:2020-09-16 責任編輯:lina

    【導讀】降壓轉換器解決方案中有許多集成開關和外部開關,后者通常被稱為步降或降壓控制器。這兩種開關具有明顯的優缺點,因此在兩種開關之間進行選擇時必須要考慮到其各自的優缺點。
     
    外部開關與集成開關
     
    降壓轉換器解決方案中有許多集成開關和外部開關,后者通常被稱為步降或降壓控制器。這兩種開關具有明顯的優缺點,因此在兩種開關之間進行選擇時必須要考慮到其各自的優缺點。
     
    許多集成開關都具有組件數量少的優點,這一優點使這些開關擁有較小的尺寸,可以用于許多低電流應用。由于其集成性,在表現出良好 EMI 性能的同時,它們均可以在高溫或其他外部可能出現的影響條件下得到保護。但是它們也有不足之處,即電流和散熱極限問題;而外部開關則提供了更大的靈活性,電流處理能力僅受外部 FET 選擇的限制。在負極側,外部開關需要更多的組件且必須得到保護,以免受到潛在問題的損壞。
     
    為了處理更高的電流,開關也要更大些,這就使得集成更加昂貴,因為需要占用芯片更大的寶貴空間并且需要采用更大的封裝。另外功耗問題也是一個難題。因此,我們可以得出這樣的結論:對于較高的輸出電流(通常高于 5A)而言,外部開關是上佳之選。
     
    同步整流與異步整流
     
    僅具有一個開關的異步或非同步整流器降壓轉換器在低位通路中需要一個續流二極管,而在具有兩個開關的同步整流器降壓轉換器中,第二個開關取代了上述續流二極管(見圖 1)。與同步解決方案相比,異步整流器具有可提供較為便宜的解決方案的優點,但是其效率不是很高。
     
    如何區分降壓轉換器的集成開關和外部開關優勢?
    圖 1 SMPS—異步和同步整流
     
    利用一個同步整流器拓撲,并把一個外部肖特基二極管與低位開關并聯將可以獲得  的效率。相對于肖特基二極管,由于在“開啟”狀態下存在一個較低的壓降,因此這種低位開關的更高復雜度提高了效率。在停滯時間期間(兩個開關均處于關閉狀態),與 FET 內部背柵二極管相比,外部肖特基二極管具有更低的壓降性能。
     
    外部補償與內部補償
     
    一般來說,采用外部開關的降壓控制器可提供外部補償,因為他們所適合的應用非常廣泛。外部補償有助于控制環路適應各種外部組件,如FET、電感以及輸出電容。
     
    對于采用集成開關的轉換器而言,一般會同時用到外部補償和內部補償。內部補償實現了極快的工藝驗證周期以及較小的 PCB 解決方案尺寸。
     
    內部補償的優勢可以概括為易于使用(因為只需要對輸出濾波器進行配置)、可進行快速設計,且組件數量較少,因此可提供低電流應用小尺寸解決方案。其缺點就是靈活性較差,且輸出濾波器必須服從于內部補償。而外部補償提供了更大的靈活性,可以根據所選的輸出濾波器對補償進行調整,同時,對于較大的電流而言,該補償可以是一個較小的解決方案,但是這種應用更為困難。
     
    電流模式控制與電壓模式控制
     
    在圖2所描述的拓撲結構中,仍然存在許多可以進一步差異化的方面。例如,調節環路的拓撲以及所使用的開關類型可以是不同的。
     
    如何區分降壓轉換器的集成開關和外部開關優勢?
    圖 2 降壓轉換器拓撲結構
     
    調節器本身可以以電壓模式或電流模式進行控制。在電壓模式控制時,輸出電壓為控制環路提供了主反饋,且前饋補償通常是通過使用輸入電壓作為一個次級控制環路來實施的,以增強瞬態響應行為;在電流模式控制時,電流為控制環路提供了主反饋。根據控制環路的不同,這一電流可以是輸入電流、電感電流或輸出電流。次級控制環路為輸出電壓。
     
    電流模式控制具有可提供快速反饋環路響應的優點,但是要求具有斜率補償,需要開關噪聲濾波以進行電流測量,且在電流檢測分路上存在功率損耗。電壓模式控制不需要斜率補償,并且可提供具有前饋補償的快速的反饋環路響應,雖然在這里推薦使用瞬態響應增強性能,但是誤差放大電路可能要求更高的帶寬。
     
    電流和電壓模式控制拓撲結構均適合于為了用于大多數應用進行的調整。在許多情況下,電流模式控制拓撲都要求有一個額外的電流環路檢測電阻器;具有集成前饋補償的電壓模式拓撲實現了幾乎相同的反饋環路響應,且無需電流環路檢測電阻器。此外,前饋補償還簡化了補償設計。許多單期的開發工作都是利用電壓模式控制拓撲來實現的。
     
    開關、NMOSFET與PMOSFET
     
    當前常用的開關均為增強型 MOSFET,并且有許多步降/降壓轉換器和控制器都采用了 NMOSFET 和 PMOSFET 驅動器。與 PMOSFET相比,NMOSFET 通常提供的性價比更高,該器件上的驅動電路也更為復雜。為了開關一個 NMOSFET,需要一個比該器件輸入電壓更高的柵極電壓。諸如自舉或充電泵的技術必須是集成的,增加了成本,也降低了 NMOSFET   初的成本優勢。
     
    示例應用
     
    這兩種應用方案中的主芯片為TI推出的 TPS40200異步降壓控制器和 TPS5410/20/30 異步降壓轉換器,它們專門針對車載行業苛刻的要求和 AEC Q100 規范而開發。
     
    TPS40200為一個外部 PMOSFET 提供集成的驅動器,從而提供了一款成本極低的解決方案。它具有一個異步整流器、外部補償和具有前饋補償功能的電壓模式控制。該拓撲允許通過選擇外部 PMOSFET 對輸出電流能力進行調整,與此同時,集成的電流限制功能實現了對外部 PMOSFET 的保護以防止出現過流。外部補償有助于適應電感和輸出電容器更寬范圍的設置。這就實現了成本和效率的進一步優化。
     
    在圖3所示的設計方案中, TPS40200 降壓轉換器在 3.3V 時可提供 2A 的電流,并實現 90% 以上的效率(在 5V 時,可實現 94% 的效率)。
     
    在車載環境中,該組件所提供的重要特性包括:寬輸入電壓范圍(4V~52V)、寬工作溫度范圍(TJ 為-40℃~+150℃)、與外部頻率同步的能力,以及可編程短路保護特性。
     
    異步降壓轉換器TPS5410/20/30具有一個集成的NMOSFET開關、一個異步整流器,并提供了內部補償,以及具有前饋補償的電壓模式控制。
     
    除了輸出濾波器以外,  必須的外部組件就是位于低位通道上的續流肖特基二極管。我們對集成補償與集成的 NMOSFET 進行了調整,以實現 TPS5410 高達 1A 的連續輸出電流、TPS5420 2A 的電流以及 TPS5430 高達 3A 的電流。由于內部補償的采用以及較少的組件數量,該器件實現了非常短的工藝驗證周期以及非常小的 PCB 解決方案尺寸。
     
    和 TPS40200 一樣,TPS5410/20/30 也提供了重要的車載環境特性。由于采用了內部補償和電源開關,該器件具有寬的輸入電壓范圍(5V~36V)、寬的工作溫度范圍 (TJ 為-40℃~+150℃)、短路保護功能以及較少的組件數量。
     
    結語
    本文對開關模式電源的拓撲結構進行了對比。對當前新型 SMPS 降壓轉換器和控制器解決方案作了詳細說明,以幫助設計人員在降低信息娛樂、車身、傳動系統和底盤應用車載系統成本的同時進行創新并增加市場機會。
     
     
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