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    內(nèi)置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設(shè)計(jì)

    發(fā)布時(shí)間:2014-12-01 責(zé)任編輯:echolady

    【導(dǎo)讀】充電器的設(shè)計(jì)是常常被電子工程師練手的設(shè)計(jì)方案,也因此各種不同種類的充電器被設(shè)計(jì)出來。本文將要設(shè)計(jì)師六級能效的SOP7內(nèi)置MOS的充電器,相信能為電子發(fā)燒友們提供新靈感。

    隨著充電器六級能效標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施臨近,其方案需求日益迫切,很多充電器工程師反映QR架構(gòu)方案雖然效率余量更大,但對比PSR方案的元件更多,調(diào)試生產(chǎn)更復(fù)雜。故提供QR架構(gòu)PN836X產(chǎn)品方案之外,基于PN8358開發(fā)了一款更高性價(jià)比的六級能效7.5W充電器方案,比QR架構(gòu)更簡潔更經(jīng)濟(jì),提供給國內(nèi)成本壓力大的充電器廠商一個(gè)六級能效新選擇。

    基于PN8358的 5V 1.5A六級能效PSR電源解決方案,典型應(yīng)用為智能手機(jī)、平板電腦的5V1.5A充電器,機(jī)頂盒、DVD的7.5W適配器。

    PN8358有如下特點(diǎn):

    ● 待機(jī)功耗小于75mW:內(nèi)置專利高壓啟動(dòng)模塊,節(jié)省高壓啟動(dòng)電阻,
    ● 效率滿足DOE Level 6:智能多重工作模式顯著提高平均效率,
    ● CV、CC精度5%以內(nèi):內(nèi)置輸入電壓、DC輸出線補(bǔ)償,任何工況下均可滿足
    ● 體積緊湊:集成4.5ohm 650V 智能功率MOS,PSR省光耦/TL431,SOP7封裝
    ● 保護(hù)功能豐富:含過溫保護(hù)、VDD欠過壓保護(hù)、FB開短路保護(hù)、CS開短路保護(hù),電壓和溫升de-rating裕量充足,提高系統(tǒng)可靠性

    系統(tǒng)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

    系統(tǒng)的典型應(yīng)用如圖1所示,設(shè)計(jì)要點(diǎn)羅列如下:

    內(nèi)置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設(shè)計(jì)
    圖1 PN8358 系統(tǒng)典型應(yīng)用

    變壓器飽和設(shè)計(jì)
    內(nèi)置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設(shè)計(jì)
    其中Lp為變壓器原邊電感感量、Np為變壓器原邊圈數(shù)、Ae為變壓器窗口面積、CS腳內(nèi)部基準(zhǔn)電壓為0.5V,Bmax建議控制在0.32T以內(nèi)。

    變壓器匝比n約束設(shè)計(jì)

    PN8358采用帶前饋補(bǔ)償?shù)拈_環(huán)恒流法:去磁占空比近似為0.5。理論上,恒流可由下式表達(dá):
    內(nèi)置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設(shè)計(jì)
    工程設(shè)計(jì)時(shí),需考慮變壓器耦合因子及采樣誤差的影響,在(2)式中需加入修正因子。由其恒流原理可知,系統(tǒng)設(shè)計(jì)必須滿足下式約束:
    內(nèi)置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設(shè)計(jì)
    其中Vr為輸出電壓到變壓器原邊的折射電壓、VF為輸出二極管正向壓降、Vdc,min為輸入電容電壓最小值。若(3)式不滿足,輸出CC、CV精度下降。

    芯片供電回路設(shè)計(jì)

    PN8358通過脈沖采樣變壓器供電繞組信號,閉環(huán)控制調(diào)節(jié)輸出電壓:
    內(nèi)置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設(shè)計(jì)
    芯片F(xiàn)B腳內(nèi)部電壓基準(zhǔn)為2V,k為上下偏取樣電阻的比例,n1為變壓器供電繞組與次級繞組的匝比,其耦合情況影響CV精度及系統(tǒng)抗干擾能力。變壓器結(jié)構(gòu)選擇及n1設(shè)計(jì)的準(zhǔn)則是確保在空載不觸發(fā)VDD UVLO、滿載不觸發(fā)VDD OVP。
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    PCB布線

    為改善EMC性能,提高系統(tǒng)抗surge、ESD能力,PCB布線的三個(gè)重要原則:功率回路最短、功率回路與信號回路物理空間上分開、VDD電容貼近芯片供電腳。

    性能評估

    內(nèi)置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設(shè)計(jì)
    圖2 5V1.5A Demo外觀(33mm*53mm)

    5V1.5A Demo外觀如圖2所示,關(guān)鍵性能測試結(jié)果如下:

    待機(jī)功耗

    內(nèi)置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設(shè)計(jì)
    備注:115/230Vac待機(jī)功耗小于75mW限制。

    平均效率
    內(nèi)置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設(shè)計(jì)
    備注:115/230Vac效率滿足76.65%限制,效率測試為PCB板端USB口(不帶線充電器)。

    系統(tǒng)溫升
    內(nèi)置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設(shè)計(jì)
    備注:測試在40度密閉環(huán)境下進(jìn)行。

    系統(tǒng)ESD
    內(nèi)置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設(shè)計(jì)
    備注:測試條件是230Vac輸入電壓、滿負(fù)載、輸入為2Pin電源線、輸出線1.5m的24 AWG。

    傳導(dǎo)&輻射

    內(nèi)置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設(shè)計(jì)
    備注:測試條件是230Vac輸入電壓、滿負(fù)載、輸入為2Pin電源線、輸出線1.5m的24 AWG。

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