近年來，電子設(shè)備（應(yīng)用）的多樣化與高性能化以驚人的速度不斷發(fā)展。可以說，這種趨勢使各產(chǎn)品的開發(fā)周期縮短，并給半導(dǎo)體技術(shù)帶來了巨大的發(fā)展空間。

 

在這種背景下，被稱為FPGA的LSI為電子設(shè)備的開發(fā)作出了巨大貢獻(xiàn)，它比以往任何時候更引人關(guān)注，市場規(guī)模不斷擴大。

 

 

FPGA為Field Programmable Gate Array的縮寫，意為在現(xiàn)場（Field）、可擦寫（Programmable＝可編程）的、邏輯門（Gate）呈陣列（Array）狀排布的半定制LSI，簡言之，即“后期電路可擦寫邏輯元件”。

 

產(chǎn)品售出后也可進(jìn)行再設(shè)計，可順利進(jìn)行產(chǎn)品的更新以及新協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)對。這是制成后內(nèi)容即被固定的ASIC (Application Specific Integrated Circuit：特定應(yīng)用定制IC）和ASSP （Application Specific Standard Product：特定應(yīng)用的功能專業(yè)化的標(biāo)準(zhǔn)、市售IC）所沒有的、只有FPGA才具備的特點。

 

FPGA不僅具備可再編程的靈活性，隨著近年來技術(shù)的發(fā)展，F(xiàn)PGA的高集成度、高性能化、低功耗化、低成本化也在不斷進(jìn)步，F(xiàn)PGA已經(jīng)逐漸具備了與ASIC和ASSP同等程度的功能，因此，在各種電子設(shè)備中的應(yīng)用日益廣泛。

 

 

ROHM于今年7月開發(fā)出并發(fā)布了對應(yīng)最新FPGA的、即Xilinx公司生產(chǎn)的28nm制程7系列的開關(guān)穩(wěn)壓控制器“BD95601MUV(1ch)”、“BD95602MUV(2ch)”。另外，還開發(fā)出用于AVNET Internix公司FPGA用開發(fā)套件(Mini Module Plus)（圖1）的電源模塊板。（圖2）

 

 

圖1：AVNET Internix公司生產(chǎn)的FPGA用開發(fā)套件（Mini Module Plus）

 

 

圖2：ROHM電源模塊板

 

這兩種成為參考設(shè)計的電源IC性能非常好，而且通用性強，不僅可用于FPGA，還可在更廣泛的應(yīng)用中使用。

 

最近的高端FPGA（此次AVNET Internix公司的開發(fā)套件為Xilinx Kintex-7用），由于其制程工藝的微細(xì)化以及與其相應(yīng)的低電壓化、內(nèi)核部與接口部的電源分離以及數(shù)字電路與模擬電路的混裝等多電源化，必然需要先進(jìn)的電源管理。電壓精度當(dāng)然要求低波紋，而且要求具備投入時序管理和優(yōu)異的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)性能。圖3為ROHM電源模塊的輸出結(jié)構(gòu)，表示生成上述項目的各開關(guān)穩(wěn)壓控制器與電壓/電流。

 

 

圖3：電源模塊的輸出結(jié)構(gòu)與FPGA的電源要求

 

這種模塊需要內(nèi)部電路、I/O、RAM、收發(fā)器用等共8種電壓。以內(nèi)部電路用VCCINT為例，電壓精度為±3%。

 

系統(tǒng)電壓等通常為±5%，因此，僅從比例考慮的話±3%可視為稍微苛刻的要求，但按實際的容許電壓考慮的話：3.3V±3%為3.3V±99mV，VCCINT＝1.0V±3%為1.0V±30mV。

 

即VCCINT的容差僅為±30mV，當(dāng)電壓較低時，實際的容許電壓值要求嚴(yán)格。這對于具有波紋電壓的開關(guān)穩(wěn)壓器來說是非常苛刻的條件，如果負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)速度不夠快，也很容易超出容許范圍。對于電源來說，實現(xiàn)低電壓高電流輸出、高精度高穩(wěn)定性是巨大的課題。

 

另外，不僅是電源精度，對于多數(shù)電源來說，都已詳細(xì)規(guī)定了電源上電時序、斷電時序，不滿足這些要求就會發(fā)生FPGA不啟動等問題。

 

使這些FPGA可靠地啟動、穩(wěn)定地工作的開關(guān)穩(wěn)壓控制器“BD95601MUV(1ch)”、“BD95602MUV(2ch)”的主要規(guī)格如下。

 

 

●采用ROHM獨創(chuàng)的可高速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)的H3RegTM控制方式

 

●最高效率達(dá)95%以上

 

●可選擇輕負(fù)載時進(jìn)行間歇脈沖控制的輕負(fù)載模式、重視低波紋控制的PWM連續(xù)控制模式、輕負(fù)載時防嘯叫控制的靜音輕負(fù)載模式

 

●搭載實現(xiàn)多種電源時序的可調(diào)軟啟動端子、P.G.輸出端子

 

●搭載各種保護(hù)功能(OCP、SCP、UVLO、TSD)

 

 

參見表1。基本上，兩種產(chǎn)品都是高效同步整流的降壓型控制器，不僅在重負(fù)載時的效率高，輕負(fù)載時的效率也很高。標(biāo)準(zhǔn)電壓為0.75V/0.7V，適用低電壓，±1%的精度對于前述的±3%的精度來說具有充分的余量。不僅如此，通過ROHM獨創(chuàng)的H3RegTM控制模式實現(xiàn)了高速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)（圖4），非常適合用作FPGA電源。

 

 

表1：BD95601MUV(1ch)、BD95602MUV(2ch)的規(guī)格概要

 

 

圖4：負(fù)載電流急劇變動也可用最小限的電壓降實現(xiàn)高速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)

 

 

為了提高負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)的速度，有一種解決方案是使用恒定導(dǎo)通時間控制，但H3RegTM控制是進(jìn)一步提高負(fù)載急劇變動時的瞬態(tài)響應(yīng)速度的、改進(jìn)型(改良形)恒定導(dǎo)通時間控制方式（圖5）。

 

 

圖5：ROHM獨創(chuàng)的高速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)H3RegTM控制

 

●為了與內(nèi)部電壓控制比較器輸入的標(biāo)準(zhǔn)電壓(REF)進(jìn)行比較，將被分壓的輸出電壓反饋給FB引腳；

 

●在正常運行中，H3RegTM控制器一旦檢測到FB引腳的電壓低于REF電壓，在下述公式規(guī)定的時間(tON)之內(nèi)，導(dǎo)通高邊MOSFET的柵極(HG)，使輸出電壓上升；

 

…………（公式）

 

●tON后HG一旦關(guān)斷，低邊MOSFET的柵極(LG)導(dǎo)通，F(xiàn)B引腳電壓開始下降，當(dāng)與REF電壓達(dá)到一致時關(guān)斷LG。

 

●通過這樣的反復(fù)運行，保持輸出恒定；

 

●負(fù)載急劇變動時，輸出降低、過了FB引腳電壓所規(guī)定的tON時間還沒有上升到REF電壓以上時，可通過延長tON時間、供給更多的電力來加快輸出電壓的恢復(fù),即提高負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)特性；

 

●輸出電壓恢復(fù)，即返回正常運行。

 

 

圖6為此次AVNET Internix Kintex7用ROHM電源模塊的VMGTAVtt輸出波形。由圖可見，VMGTAVtt為FPGA收發(fā)器用1.2V模擬電源，精度要求為±2.5%，最為苛刻。但是，1.2V輸出的BD95601MUV，波紋為5.6mV，誤差僅為0.47%。

 

 

圖6：電壓波紋波形

 

要想獲得優(yōu)異的電源，一種方法是利用電源模塊或FPGA套件的評價結(jié)束后，移植到實機時，采用參考設(shè)計；同時采用獨自進(jìn)行板上電源設(shè)計的也為數(shù)不少。

 

當(dāng)然，值得強調(diào)的是，即使所有方面都進(jìn)行了優(yōu)化調(diào)整，如果IC自身性能不夠好，無論如何調(diào)整也無法獲得所述的優(yōu)異特性。設(shè)計開關(guān)電源并不是一件簡單輕松的事。除了計算元件常數(shù)，為了獲得最佳特性還要進(jìn)行元件的化學(xué)研究、基板設(shè)計，而且沒有調(diào)試就無法獲得真正的性能。

 

一直以來，ROHM在模擬設(shè)計技術(shù)方面擁有獨特優(yōu)勢，擁有可實現(xiàn)具有這樣卓越特性的模塊的元件選型和基板設(shè)計技術(shù)訣竅，并具備完善的客戶支持體制。

 

 

如前所述，F(xiàn)PGA所需要的電源，實際使用插座連接的FMC（FPGA Mezzanine Card）有時布線會較長，在特性方面要求更加苛刻。

 

在這種條件下，可以自豪的說，之所以能夠供應(yīng)滿足7系列高端FPGA電源需求的模塊，是因為ROHM同時擁有卓越的電源用IC與電源設(shè)計的技術(shù)。

 

另外，選擇作為綜合性半導(dǎo)體廠家ROHM的參考設(shè)計，客戶在品質(zhì)、可靠性、供應(yīng)體制、服務(wù)支持、溝通等各個方面都可倍感安心，而且，ROHM不僅供應(yīng)IC產(chǎn)品，還可一并供應(yīng)分立器件等電氣電子元器件產(chǎn)品。