碳化硅（SiC）功率器件領域的市場領先者科銳公司日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相對于同等成本的基于硅器件的系統，科銳新型碳化硅MOSFET器件可實現更高的系統效率及更小的系統尺寸。全新科銳1200V MOSFET器件可提供業界領先的功率密度及轉換效率，而每安培成本僅為上一代產品的50%。更高的性價比使得新型碳化硅MOSFET器件可為OEM廠商帶來更低的系統成本，并且由于基于碳化硅的系統尺寸更小、重量更輕，能夠提高效率并降低安裝成本，從而為最終用戶節省額外費用。

德國弗萊堡 Fraunhofer研究所著名業界專家Bruno Burger教授指出：“我們已經在我們新型先進太陽能電路中對科銳第二代碳化硅 MOSFET器件進行了評估，科銳的產品擁有頂尖水平的效率，可以使得系統在更高開關頻率下進行工作，從而實現更小的無源器件尤其是更小的電抗器。這將從根本上提高太陽能逆變器的性價比，從而獲得更小、更輕以及更高效的系統。”

新型碳化硅MOSFET器件出色的性能可以降低某些大功率應用領域對功率器件50%-70%的額定電流需求。經過適當的優化，客戶能以與硅器件方案相當甚至更低的成本得到碳化硅器件所帶來的系統性能優勢。對于太陽能逆變器和不間斷電源（UPS）系統，性能提升的同時伴隨著尺寸和重量的減少。在電機驅動應用方面，在增加效率的同時可以達到一倍以上的功率密度，與硅器件相比能提供高達兩倍的輸出扭矩。該產品覆蓋范圍已經擴展到25 mΩ芯片，目標定位30 KW以上電源模塊市場。80 mΩ器件的目標定位是作為第一代MOSFET 器件的升級產品，以更低的成本提供更高的性能。

科銳功率與射頻器件副總裁兼總經理Cengiz Balkas表示：“基于科銳新型MOSFET平臺，我們已經在多個細分市場獲得成功案例，由于市場對第二代碳化硅 MOSFET器件接受迅速，我們目前可以提前給到客戶一些產品，同時我們也正在加速量產以滿足客戶的需求。”

一顆25 mΩ裸片可為大功率模塊提供50 A單元。80 mΩ MOSFET器件采用TO-247封裝，較科銳第一代MOSFET CMF20120D產品，得到更高性能和更低成本。