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    關(guān)于脈沖鍍鎳開關(guān)電源的設(shè)計

    發(fā)布時間:2012-12-30 責(zé)任編輯:Lynnjiao

    【導(dǎo)讀】脈沖鍍鎳代替直流鍍鎳可獲得結(jié)晶細致的鍍層,能使鎳層的孔隙率與內(nèi)應(yīng)力降低,硬度增高,雜質(zhì)含量降低,并可采用更高的電流密度,提高鍍覆速度。

      
    根據(jù)脈沖鍍鎳的工藝,我們研制了最大峰值電流1000A,最大峰值電壓30V的脈沖鍍鎳開關(guān)電源。其工藝如下:
      
    硫酸鎳(NiSO4•7H2O):180~240g/L
    硫酸鎂(MgSO4•7H2O):20~30g/L
    氯化鈉(NaCl):10~20g/L
    硼酸:30~40
    PH值:5.4
    溫度:室溫
    波形:矩形波
    頻率:500~1500Hz
    占空比:5%~12%
    平均電流密度(A/dm2):0.7

    電源的基本方案
      
    三相380V/50Hz交流電經(jīng)過EMI電磁兼容裝置,進行橋式整流,再經(jīng)過逆變和變壓,然后再整流、濾波、儲能,最后進行電壓斬波,輸出單向脈沖電壓。本電源設(shè)計分兩部分:前級的開關(guān)電源和后級的斬波。脈沖電源電路工作原理框圖如圖1所示。

    脈沖電源電路工作原理框圖
    圖1:脈沖電源電路工作原理框圖

    開關(guān)電源部分的設(shè)計要點

    開關(guān)電源部分原理
      
    主電路由EMI電磁兼容裝置、整流電路、逆變電路、高頻變壓器、高頻整流及高頻濾波電路組成;控制電路由電流、電壓雙閉環(huán)組成,電流環(huán)為內(nèi)環(huán),電壓環(huán)為外環(huán);保護電路設(shè)置有初級最大電流限制,輸出過流、短路保護,最高輸出電壓限制。

    基本要求
      
    脈沖開關(guān)電源除應(yīng)具有一般電源的要求外,還要求短時輸出功率大,動態(tài)特性好,效率高,并在大功率脈沖輸出情況下能穩(wěn)定可靠地工作。

    開關(guān)電源的設(shè)計
      
    (1)高頻化該電源輸出最大平均容量為峰值電流1000A,電壓30V,占空比10%,即3kW。基于對脈沖開關(guān)電源的實際要求,宜采用高頻技術(shù)方案,同時選取全橋逆變的拓撲形式,提高頻率是實現(xiàn)小型化的重要途徑,它能減少功率變壓器的體積和濾波電感量,而輸出電感是影響動態(tài)響應(yīng)的重要因素。高頻化還是改善動態(tài)響應(yīng)的重要措施,電源調(diào)整的速度隨頻率提高而加快。從而達到迅速穩(wěn)壓的目的。

    (2)容量小型化由于占空比D較小,例如:D=0.1,則峰值電流將為平均電流的十倍。若按峰值電流設(shè)計則不難實現(xiàn),但電源體積龐大,不經(jīng)濟。若按平均電流設(shè)計,則對電源要求十分苛刻,既要求電源小型可靠,又要求電源在負載突變的過程中不能產(chǎn)生過大的壓降。對于供電電壓為2~30Vd.c.,峰值電流IP=1000A,D=0.05~0.1,需平均電流ICP=50A~100A的開關(guān)電源,若按照平均電流來設(shè)計,則有以下難題:
    ①電源在毫秒級時間內(nèi)突然加上十倍平均電流時將會發(fā)生過流保護;
    ②電源在毫秒級時間內(nèi)提供不了峰值電流時將會發(fā)生輸出跳變,即突降過程。

    本裝置采用1.5倍平均電流設(shè)計,保證開關(guān)電源有足夠的裕量,同時,適當增加電源的能量供給能力。
      
    (3)高的電壓反饋增益電源應(yīng)有足夠高的電壓反饋,提高電源的動態(tài)特性,保證脈沖輸出電壓的平穩(wěn)。
      
    (4)增大開關(guān)電源輸出電壓保持能力問題
      
    由于電源工作在大脈沖電流條件下,電源至少要經(jīng)過若干個周期的調(diào)整才能穩(wěn)定過來,并要耐受沖擊電流而不至于保護動作,為了減小沖擊帶來的異常(尖峰,下降等),宜在負載端設(shè)置儲能電容。
      
    設(shè)計方法如下:

    電容中儲存的能量為:
    EC=0.5C0U2
      
    在輸出峰值功率P0P作用下,開關(guān)電源輸出功率為PO1時,維持輸出方波寬度TON,輸出電壓變化ΔU=U1-U2,電容儲存的能量如下式所示:
    0.5C0(U12-U22)=(P0P-PO1)×TON
    由上式求得儲能電容C0:
    C0={2(P0P-PO1)×TON}/(U12-U22)
    同時,儲能電容必須選用ESR小,高頻性能好的電解電容。
      
    (5)加入逆變橋的過流限制鑒于開關(guān)電源輸出電容量特別大,開機瞬間和脈沖輸出時,逆變橋需要承受特別大的沖擊電流,當逆變橋加入單周期過流限制后,能夠有效地保證逆變橋的功率器件不會超過設(shè)計電流值,而大大提高了開關(guān)電源的可靠性。

    設(shè)計思路
      
    以SG3525PWM芯片為核心進行控制系統(tǒng)的設(shè)計。通過用CD4017B芯片進行8分頻,對輸出最大占空比進行限制。主電路采用場效應(yīng)管并聯(lián)。電壓斬波控制原理圖如圖2。

    電壓斬波控制原理圖
    圖2:電壓斬波控制原理圖  

    主電路的選擇
      
    因為主電路為電壓斬波,存在著大電流的沖擊,為此,本裝置采用場效應(yīng)管并聯(lián)。選IR公司的產(chǎn)品FB180SA10比較適合,它的VDSS=100V,RDS(ON)=0.0065Ω,ID=180A(TC=25℃)或120A(TC=120℃),同時,它用絕緣TO?227封裝,易于并聯(lián),內(nèi)部電感量低。本裝置選用12只并聯(lián)。4.3控制與保護SG3525原理框圖如圖3所示。其具有5.1V溫度系數(shù)為1%的基準穩(wěn)壓電源,誤差放大器,頻率為100Hz~400kHz(其值由外界電阻Rt,電容Ct決定)的鋸齒波振蕩器,軟啟動電路,同步電路,關(guān)閉電路,脈寬調(diào)制比較器,RS寄存器及保護電路。

    SG3525原理圖
    圖3:SG3525原理圖  

    利用SG3525的誤差放大器的1腳和2腳對輸出進行占空比的調(diào)節(jié);在實際調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn),由于占空比較小,電壓比較器輸入電壓可以調(diào)節(jié)的范圍特別小,調(diào)試非常困難,為此特別設(shè)計了分頻線路即利用CD4017B十進制計數(shù)芯片及其外圍線路對SG3525的4腳振蕩器輸出信號進行8分頻,利用SG3525的10腳關(guān)機功能,封鎖SG3525的4腳輸出信號8個中的6個,使11和14腳各有1個脈沖輸出,見圖4、圖5。因為11腳最大占空比為48%左右,則分頻后實際輸出占空比最大為12%左右,最小占空比通過R7來確定。本部分的保護采取單周期限流保護,以場效應(yīng)管的柵源電阻為采樣信號,當電流超過限定值時,通過SG3525的10腳將該周期驅(qū)動信號關(guān)斷,達到單周期保護。

    SG3525的4腳與11腳正常情況下的波形圖
    圖4:SG3525的4腳與11腳正常情況下的波形圖
     
    CD4017B及外圍線路輸入與輸出的仿真圖
    圖5:CD4017B及外圍線路輸入與輸出的仿真圖 

    仿真與試驗
      
    圖4給出了SG3525沒有分頻時,振蕩器輸出(4腳)CH1與PWM輸出(11腳)CH2的對應(yīng)關(guān)系。由圖中可以清楚地看出振蕩器輸出脈沖出現(xiàn)在PWM脈寬的前后側(cè)各一個,其脈寬約在5μs~10μs,這個時間足夠CD4017B完成動作。圖5給出了CD4017B及外圍線路輸入輸出仿真圖。由圖5我們可以清楚看出CLK端輸入頻率1kHz脈寬為5μs的脈沖時,輸出OUT即D5~D9的陰極的波形與設(shè)計是相符的。經(jīng)過濾波后,到達SG3525的10腳波形是比較規(guī)整的。為分析方便,同時給出了相關(guān)引腳的時序圖。同時,采取CLK上升沿翻轉(zhuǎn),保證了控制時序的正確,采用封鎖6個脈沖,避免了干擾和初始狀態(tài)對輸出的PWM波形的影響。

    該裝置投入運行后,經(jīng)過將近一年的現(xiàn)場檢驗,證明運行穩(wěn)定可靠,各項技術(shù)指標達到了設(shè)計要求,提高了電鍍產(chǎn)品質(zhì)量,節(jié)省了電鍍時間,完全滿足該項工藝要求。

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