【導(dǎo)讀】富士通半導(dǎo)體量產(chǎn)可實(shí)現(xiàn)2.5kW電源的硅基板GaN功率器件，意在在電源裝置領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)優(yōu)化應(yīng)用，并在電路設(shè)計(jì)方面給予技術(shù)支持，為開發(fā)多種用途的低損失、小型電源裝置提供支持。
富士通半導(dǎo)體近日宣布，利用配備該公司開發(fā)的硅基板GaN功率器件的服務(wù)器用電源，成功輸出了2.5kW的高功率，同時(shí)還公布了2013年下半年開始量產(chǎn)硅基板GaN功率器件的目標(biāo)。該公司將在今后提出利用該器件的多種電源應(yīng)用方案，力爭(zhēng)2015年度憑借GaN功率器件實(shí)現(xiàn)約100億日元的銷售額。
富士通半導(dǎo)體表示，該公司為了推進(jìn)能夠通過大口徑化來(lái)降低成本的硅基板GaN功率器件業(yè)務(wù)，從2009年就開始開發(fā)量產(chǎn)技術(shù)。從2011年起該公司還開始向指定的電源業(yè)務(wù)與合作伙伴提供GaN功率器件的試制品，意在在電源裝置領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)優(yōu)化應(yīng)用。
圖1：試制的TO247封裝GaN器件（左）以及形成有GaN器件的6英寸硅晶圓（右）
圖2：評(píng)測(cè)用電源電路
富士通半導(dǎo)體還與富士通研究所共同開發(fā)了多項(xiàng)技術(shù)。其中包括，在硅基板上生長(zhǎng)優(yōu)質(zhì)GaN結(jié)晶的工藝技術(shù)、用來(lái)抑制開關(guān)時(shí)導(dǎo)通電阻上升的電極設(shè)計(jì)優(yōu)化等器件技術(shù)，以及支持GaN高速開關(guān)的電源裝置電路設(shè)計(jì)技術(shù)。富士通半導(dǎo)體在采用GaN功率器件的評(píng)測(cè)用電源電路中，成功獲得了超過以往硅器件的轉(zhuǎn)換效率。另外，該公司還試制出了在功率因數(shù)改善電路部分配備GaN功率器件的服務(wù)器用電源，實(shí)際驗(yàn)證了輸出2.5kW高功率的工作情況。
富士通半導(dǎo)體會(huì)津若松工廠的6英寸晶圓量產(chǎn)線已完成了啟動(dòng)準(zhǔn)備工作，將從2013年下半年開始全面量產(chǎn)GaN功率器件。今后該公司將通過提供針對(duì)應(yīng)用做了優(yōu)化的GaN功率器件，并在電路設(shè)計(jì)方面給予技術(shù)支持，為開發(fā)多種用途的低損失、小型電源裝置提供支持。該公司將通過這些舉措，力爭(zhēng)2015年度憑借GaN功率器件實(shí)現(xiàn)約100億日元的銷售額。
