新聞事件：

• ST鞏固在能效功率控制市場的領導地位

事件影響：

• 是節能技術領域的一次巨大飛躍

• 減少封裝尺寸，降低材料（BOM）成本

橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管。MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態電阻，在650V額定電壓應用中可實現最高的能效和功率密度；現在新產品的推出又將重要的能效指標提高23%以上，對于以熱量形式損耗電能的系統功率轉換電路，如電子照明控制器、消費電子電源和太陽能光電轉換器，新產品的成功推出在節能技術領域是一次巨大飛躍。

意法半導體功率晶體管市場總監Maurizio Giudice表示：“新記錄突顯并鞏固了意法半導體在超結型MOSFET市場的領導地位，MDmesh V體現了意法半導體最新的經過市場檢驗的Multi-Drain Mesh技術，新產品的性能提升讓客戶能夠降低應用設計能耗，同時強化了意法半導體關于提供對環境負責的產品同時通過設計研發創新產品為客戶提供卓越性能的承諾。”

新產品STW88N65M5 MDmesh V MOSFET的通態電阻僅為 0.029Ω，是標準TO-247封裝650V市場上通態電阻最低的產品，打破了同樣是MDmesh V器件創造的0.038 Ω的原行業基準。設計工程師可直接將新產品替代通態電阻較高的MOSFET來提高終端應用的能效，或并聯更少的MOSFET晶體管，從而減少封裝尺寸，降低材料（BOM）成本。

相較于同類600V競爭產品，意法半導體的650V STW88N65M5及其余的 MDmesh V產品的安全邊際更高，從而提高MOSFET對交流電力線上常見電涌的承受能力。

意法半導體經過市場檢驗的MDmesh V產品采用多種類型的封裝，包括Max247、TO-247、D2PAK、TO-220/FP、PowerFLAT 8x8 HV以及I2PAK。TO-247封裝的STW88N65M5現已上市。