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    歐姆龍與IceMos開始量產(chǎn)采用MEMS工藝技術的超結構造MOSFET

    發(fā)布時間:2011-08-09 來源:日經(jīng)BP社

    新聞事件:
    • 歐姆龍開始采用MEMS工藝技術的超結構造MOSFET
    事件影響:
    • 該電極的制造工藝采用了CMOS工藝
    • 歐姆龍與IceMos計劃今后進一步擴充產(chǎn)品陣容

    美國IceMos Technology與歐姆龍開始量產(chǎn)采用MEMS工藝技術的超結(Super-Junction)構造MOSFET。IceMos Technology主要負責設計和開發(fā),歐姆龍負責生產(chǎn)。首批量產(chǎn)的是兩種產(chǎn)品。分別是耐壓為650V、最大漏電流為20A、導通電阻為170mΩ的產(chǎn)品和耐壓為600V、最大漏電流為20A、導通電阻為160mΩ的產(chǎn)品。作為耐壓600V級的產(chǎn)品,導通電阻較低。

    此次的超結構造中n型層和p型層交錯排列。為實現(xiàn)這種構造,采用了歐姆龍的MEMS工藝技術。首先使n型層外延生長,然后利用MEMS工藝技術的蝕刻工藝鑿刻溝槽。接著在溝槽的側面注入和擴散離子,制造p型層。然后在溝槽內嵌入絕緣子,制造電極等,完成整個制造流程。該電極的制造工藝采用了CMOS工藝。目前MOSFET的單元間距約為12μ~15μm。溝槽寬3μm,深約40μ~45μm。

    生產(chǎn)基地為歐姆龍的野州事務所。已經(jīng)開始使用200mm晶元制造IceMos Technology設計的MOSFET。雙方計劃今后進一步擴充產(chǎn)品陣容。例如,預定2011年第3季度開始量產(chǎn)耐壓600V、最大漏電流為15A和10A的兩種產(chǎn)品
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