產品特性：

• 推出高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管
• 是500 V和600 V器件是單N溝道MOSFET
• 提供有競爭力的低導通阻抗實現極低的功率耗散

應用范圍：

• 非常適合用于游戲機、打印機和筆記本電源適配器等

應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充公司市場領先的功率開關產品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設計適合功率因數校正(PFC)和脈寬調制(PWM)段等高壓、節能應用的強固要求，在這些應用中，加快導通時間及降低動態功率損耗至關重要。具體而言，這些方案非常適合用于游戲機、打印機和筆記本電源適配器，及應用于ATX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業照明鎮流器。

這些新的500 V和600 V器件是單N溝道MOSFET，以提供有競爭力的低導通阻抗(RDS(on))實現極低的功率耗散。這些器件使用平面條形(planar stripe)技術，能在極苛刻應用中工作。低門電荷降低開關損耗，還提高電源能效。這些器件的額定雪崩能量在電源應用中提供強固的工作。這些器件的優異性能組合幫助開發更高能效的電源子系統。

安森美半導體MOSFET產品分部副總裁兼總經理Paul Leonard說：“推出這些器件系列僅是安森美半導體進軍高壓功率MOSFET市場的第一步。我們戰略性地進入了高壓開關市場，提供充沛的500 V到600 V負載開關方案選擇，更好地服務我們客戶的總體電源管理需求。未來我們將繼續擴充高壓功率MOSFET產品陣容，為消費及工業客戶提供針對性的方案。這些新器件的推出是安森美半導體不斷加強其業界領先高能效電源方案供應商地位的又一實例。”

新推出的600 V MOSFET器件包括：
- NDD02N60Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價為0.22美元
- NDD02N60ZT4G，采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價為0.22美元
- NDD03N60Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價為0.23美元
- NDD03N60ZT4G，采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價為0.23美元
- NDD04N60Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價為0.27美元
- NDD04N60ZT4G，采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價為0.27美元
- NDF04N60ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價為0.27美元
- NDF06N60ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價為0.36美元
- NDF10N60ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價為0.42美元

新推出的500 V MOSFET器件包括：
- NDD05N50Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價為0.29美元
- NDD05N50ZT4G，采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價為0.29美元
- NDF05N50ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價為0.29美元
- NDF08N50ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價為0.38美元