產(chǎn)品特性：

• 采用IR最新一代的溝道技術(shù)，低導(dǎo)通電阻
• 擁有充分表征的崩潰電壓和電流
• 獲得了工業(yè)級(jí)及一級(jí)潮濕敏感度 (MSL1) 認(rèn)證
• 非常低的柵極電荷

應(yīng)用范圍：

• 不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動(dòng)工具
• ORing應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)通信及和服務(wù)器電源等應(yīng)用

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列獲得工業(yè)認(rèn)證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動(dòng)工具、ORing應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)通信及和服務(wù)器電源等應(yīng)用提供非常低的柵極電荷 (Qg) 。

這些堅(jiān)固耐用的MOSFET采用IR最新一代的溝道技術(shù)，并且通過非常低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來(lái)減少散熱。此外，新器件的超低柵極電荷有助于延長(zhǎng)不間斷電源逆變器或電動(dòng)工具的電池壽命。

IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“新器件能夠提供最佳性價(jià)比。此外，通過提供四個(gè)等級(jí)的RDS(on) 及將Qg保持在30V的水平，新器件可讓設(shè)計(jì)工程師靈活地選擇最適合的器件，來(lái)配合其設(shè)計(jì)的規(guī)范和要求。”

新款MOSFET擁有充分表征的崩潰電壓和電流。隨著IR對(duì)這些基準(zhǔn)MOSFET的持續(xù)開發(fā)，它們將可以作為現(xiàn)有30V TO-220器件的直接替代品或升級(jí)品。

新器件獲得了工業(yè)級(jí)及一級(jí)潮濕敏感度 (MSL1) 認(rèn)證。這些30V MOSFET采用TO-220封裝，皆為無(wú)鉛設(shè)計(jì)，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 指令。

產(chǎn)品的基本規(guī)格：

器件編號(hào)	封裝		RDS(on)		ID @ TC		典型Qg  (nC)	典型Qgd  (nC)
		VBRDSS (V)	@ 4.5V (mOhms)	@ 10V (mOhms)	25°C (A)	100°C (A)
IRLB8721PbF	TO-220AB	30	4.5	8.7	62	44	7.6	3.4
IRLB8743PbF	TO-220AB	30	4.2	3.2	150	110	36	13
IRLB8748PbF	TO-220AB	30	6.8	4.8	92	65	15	5.9
IRLB3813PbF	TO-220AB	30	2.6	1.95	260	190	57	19