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    高性能電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計中的同步整流技術(shù)

    發(fā)布時間:2009-08-10 來源:中華電源網(wǎng)

    中心議題:
    • 二極管整流的缺點
    • 什么是同步整流
    • 同步整流的好處
    解決方案:
    • 使FET開關(guān)所用的時間最短減少開關(guān)損耗
    • 在隔離轉(zhuǎn)換器中采用SR
    電源轉(zhuǎn)換器的使用越來越普遍,電子設(shè)備制造商需要他們的電源系統(tǒng)不斷增加新的功能和特性,例如更低的輸入和輸出電壓、更高的電流、更快的瞬態(tài)響應(yīng)。

    為滿足這些需求,在上世紀(jì)90年代晚期開關(guān)電源設(shè)計師開始采用同步整流(SR)技術(shù)——使用MOSFET來替代常用二極管實現(xiàn)的整流功能。SR提高了效率、熱性能、功率密度、可制造性和可靠性,并可降低整個系統(tǒng)的電源系統(tǒng)成本。本文將介紹SR的優(yōu)點,并討論在其實現(xiàn)中遇到的挑戰(zhàn)

    二極管整流的缺點

                           
    圖1是非同步和同步降壓轉(zhuǎn)換器的原理圖。非同步降壓轉(zhuǎn)換器使用FET和肖特基二極管作為開關(guān)器件(圖1a),當(dāng)FET打開時,能量傳遞到輸出電感和負載。當(dāng)FET關(guān)斷,電感中的電流流過肖特基二極管。如果負載電流高于輸出電感的紋波電流的一半,則轉(zhuǎn)換器工作在連續(xù)導(dǎo)通模式。

    根據(jù)正向電壓降和反向漏電流特性來選擇肖特基二極管。但是,當(dāng)輸出電壓降低時,二極管的正向電壓的影響很重要,它將降低轉(zhuǎn)換器的效率。物理特性的極限使二極管的正向電壓降難以降低到0.3V以下。相反,可以通過加大硅片的尺寸或并行連接分離器件來降低MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(ON)。因此,在給定的電流下,使用一個MOSFET來替代二極管可以獲得比二極管小很多的電壓降。

    這使得SR很有吸引力,特別是在對效率、轉(zhuǎn)換器尺寸和熱性能很敏感的應(yīng)用中,例如便攜式或者手持設(shè)備。MOSFET制造商不斷地引入具有更低RDS(ON)和總柵極電荷(QG)的新MOSFET技術(shù),這些新的MOSFET技術(shù)使在電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計中實現(xiàn)SR更加容易。

    什么是同步整流?

    例如,在同步降壓轉(zhuǎn)換器中,通過用兩個低端的MOSFET來替換肖特基二極管可以提高效率(圖1b)。這兩個MOSFET必須以互補的模式驅(qū)動,在它們的導(dǎo)通間隙之間有一個很小的死區(qū)時間(deadtime),以避免同時導(dǎo)通。同步FET工作在第三象限,因為電流從源極流到漏極。與之對應(yīng)的非同步轉(zhuǎn)換器相比,同步降壓轉(zhuǎn)換器總是工作在連續(xù)導(dǎo)通,即使在空載的情況下也是。

    在死區(qū)時間內(nèi),電感電流流過低端FET的體二極管(bodydiode)。這個體二極管通常具有非常慢的反向恢復(fù)特性,會降低轉(zhuǎn)換器的效率??梢耘c低端FET并行放置一個肖特基二極管以對體二極管實現(xiàn)旁路,避免它影響到轉(zhuǎn)換器的性能。增加的肖特基二極管可以比非同步降壓轉(zhuǎn)換器中的二極管低很多的額定電流,因為它只在兩個FET都關(guān)斷時的較短的死區(qū)時間(通常低于開關(guān)周期的百分之幾)內(nèi)導(dǎo)通。[page]

    同步整流的好處

    在高性能、高功率的轉(zhuǎn)換器中使用SR的好處是可以獲得更高的效率、更低的功耗、更佳的熱性能,以及當(dāng)同步FET并行連接時固有的理想電流共享特點,而且盡管采用自動組裝工藝(更高的可靠性)但還是可提高制造良率。如上面提到的那樣,若干個MOSFET可以并行連接來應(yīng)對更高的輸出電流。

    因為在這種情況下有效的RDS(ON)與并行連接的器件數(shù)量成反比,因此降低了導(dǎo)通損耗。同樣,RDS(ON)具有正的溫度系數(shù),因此FET將等量分享電流,有助于優(yōu)化在SR器件之間的熱分布,這將提高器件和PCB散熱的能力,直接改善設(shè)計的熱性能。SR帶來的其他潛在的好處包括更小的外形尺寸、開放的框架結(jié)構(gòu)、更高的環(huán)境工作溫度,以及更高的功率密度。

    同步整流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計折中

    在低電壓應(yīng)用中,設(shè)計工程師通常增加開關(guān)頻率以減小輸出電感和電容的尺寸,以此使轉(zhuǎn)換器尺寸最小化,并降低輸出紋波電壓。如果并聯(lián)多個FET,這樣的頻率增加也會增加?xùn)艠O驅(qū)動和開關(guān)損耗,因此必須根據(jù)具體的應(yīng)用進行設(shè)計折中。

    例如,在高輸入電壓、低輸出電壓的同步降壓轉(zhuǎn)換器上,因為工作條件是高端FET比低端FET具有更低的RMS電流,因此高端FET應(yīng)該選擇具有低QG和高RDS(ON)的器件。對于這個器件來說,降低開關(guān)損耗比導(dǎo)通損耗更重要。相反,低端FET承載更大的RMS電流,因此RDS(ON)應(yīng)該盡可能低。

    在同步轉(zhuǎn)換器中選擇具有更強驅(qū)動能力的控制器,通過使FET開關(guān)所用的時間最短,將能減少開關(guān)損耗。然而,更快的上升和下降時間可產(chǎn)生高頻噪聲,這種噪聲可以導(dǎo)致系統(tǒng)噪聲和EMI問題。

    隔離拓撲結(jié)構(gòu)的同步整流轉(zhuǎn)換器驅(qū)動

    采用隔離拓撲的電源轉(zhuǎn)換器被用在需要在系統(tǒng)地之間進行隔離的系統(tǒng)中。這樣的系統(tǒng)包括分布式總線架構(gòu)、以太網(wǎng)供電系統(tǒng)和無線基站(圖2)。
                              
    在隔離轉(zhuǎn)換器中采用SR可以大大地提高性能。所有的隔離拓撲,包括正激、反激、推挽、半橋和全橋(電流和電壓反饋)都可以進行同步整流。然而在每個拓撲中的SR提供的足夠的、適時的柵極驅(qū)動信號都有其自身的挑戰(zhàn)性。

    針對隔離拓撲的次級FET的驅(qū)動方案基本上有兩種:自驅(qū)動?xùn)艠O信號直接從次級變壓器繞組獲得,控制驅(qū)動?xùn)艠O信號從PWM控制器或一些其他初級的基準(zhǔn)信號獲得。對于一個給定的應(yīng)用,這些驅(qū)動可以有幾種不同的實現(xiàn)方法。設(shè)計師應(yīng)該選擇能滿足性能要求的最簡單的解決方案。
                         
    自驅(qū)動方案是最簡單、直接的SR驅(qū)動方案(圖3),適合于那些在任何時間段內(nèi)變壓器電壓都不為零的拓撲結(jié)構(gòu)。兩個SRFET可替代輸出整流二極管,次級繞組產(chǎn)生的電壓驅(qū)動SR的柵極。在大多數(shù)情況下,利用不同的變壓器線圈匝數(shù)比(NP∶NS1∶NS2)和正確選擇SRFET,相同的拓撲結(jié)構(gòu)可以獲得更高或更低的輸出電壓。

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