產(chǎn)品特性：
- 形成陷阱能級，從而實現(xiàn)高速trr化 (比傳統(tǒng)約縮短60%)
- 高速開關: RDS(on)×Qgd = 7.3Ω/nC
- 低導通電阻：4.3Ω/mm2
應用范圍：
- 液晶電視的背光逆變器
- 照明用逆變器
- 馬達驅(qū)動器和開關電源等所有使用橋接電路的裝置
半導體制造商ROHM株式會社 (總部設在京都市) 成功開發(fā)出面向液晶電視的背光逆變器、照明用逆變器、馬達驅(qū)動器和開關電源等所有使用橋接電路的裝置，其性能達到業(yè)界超高水平※的高耐壓功率MOSFET「F系列」。這一新產(chǎn)品系列預定從2009年2月開始供應樣品 (樣品價格300日元/個)，并于2009年4月開始以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模批量生產(chǎn)。按計劃，生產(chǎn)過程的前一段工序安排在ROHM/阿波羅器件株式會社(福岡縣)、 ROHM筑波株式會社(茨城縣) 進行；后一段工序則將在ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) CO., LTD. (泰國) 完成。
近年來，隨著液晶電視機等需要節(jié)能化的裝置市場逐步擴大，對應用于這些裝置的電源外圍的晶體管等半導體器件也提出了高效率化和削減元器件數(shù)量的要求。現(xiàn)在，作為高效率產(chǎn)品的500 to 600V級高耐壓MOSFET，采用傳統(tǒng)平面結(jié)構的已經(jīng)不多，而開關速度快、導通電阻低的超結(jié)結(jié)構成了主流。但是，超結(jié)結(jié)構在結(jié)構上存在一個需要破解的課題，那就是內(nèi)部二極管的反向恢復時間 (以下稱為: trr) 長。因此，在應用于有再生電流流過MOSFET的內(nèi)部二極管的橋接電路等情況時，為了提高高頻隨動性而需要在漏-源極間并聯(lián)接入快速恢復二極管(以下稱為: FRD)。
新開發(fā)的「F系列」為使trr達到高速化，成功地在超結(jié)MOSFET的元件內(nèi)部形成局部的陷阱能級，從而使得trr從160ns縮短為70ns，也就是比普通的超結(jié)結(jié)構產(chǎn)品縮短約60%，這在業(yè)界前所未有。雖然在元件內(nèi)部形成陷阱能級就可以縮短trr，但這對于超結(jié)結(jié)構來說無論在結(jié)構上，還是在制造工藝上都是難點。然而，這一次ROHM解決了這一難題，在世界上首先開發(fā)出在元件內(nèi)部形成局部陷阱能級的超結(jié)MOSFET。于是，無需接入FRD就可以應用于橋接電路，這對削減元器件數(shù)量、減小基片面積和達到高頻化，使得變壓器等小型化，從而實現(xiàn)裝置小型化、低成本化有很大的貢獻。
ROHM今后還要以這次開發(fā)成功的「F系列」為首，
充分利用ROHM獨創(chuàng)的領先進制造工藝，努力開發(fā)能夠搶先滿足用戶需求的晶體管產(chǎn)品。
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■高速trr、高速開關高耐壓MOSFET「F系列」的主要特長
- 形成陷阱能級，從而實現(xiàn)高速trr化 (比傳統(tǒng)約縮短60%)
- 高速開關: RDS(on)×Qgd = 7.3Ω/nC
- 低導通電阻 ： 4.3Ω/mm2
■電路案例
■技術名詞解釋
- 橋接電路
在高側(cè)和低側(cè)分別配置開關器件，使其交互地處于ON-OFF狀態(tài)的電路。它有半橋式、全橋式等不同形式。 - 平面結(jié)構
又稱為D-MOS結(jié)構。它是在硅基片某一邊的表面用雙擴散工藝形成P型層和N型層的結(jié)構。 - 超結(jié)結(jié)構
在硅基片內(nèi)周期性地排列配置縱向PN結(jié)的結(jié)構。 - 反向恢復時間(trr)
MOSFET的內(nèi)部二極管在電壓由正向改變?yōu)榉聪驎r，有瞬時的反向電流通過的時間。 - 陷阱能級
為了減少載流子累積的能級。
