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    FDZ391P:Fairchild最新CSP封裝P溝道MOSFET

    發布時間:2008-11-10

    產品特性:

    • 采用1 x 1.5 x 0.4mm WL-CSP封裝
    • 側高比標準P溝道MOSFET降低40%
    • 具有低RDS(ON) (74mOhm typical @ -4.5V VGS)
    • 出色的功耗性能1.9W
    • 符合RoHS,適應無鉛回流焊要求

    應用范圍:

    • 下一代手機、MP3播放器
    • 其它便攜應用

    飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出采用1 x 1.5 x 0.4mm WL-CSP封裝的單一P溝道MOSFET器件FDZ391P,能滿足便攜應用對外型薄、電能和熱效率高的需求。FDZ391P采用飛兆半導體的1.5V額定電壓PowerTrench工藝設計,結合先進的WL-CSP封裝,將RDS(ON) 和所需的PCB空間減至最小。這款P溝道MOSFET器件的側高比標準P溝道MOSFET降低40%,可滿足下一代手機、MP3播放器和其它便攜應用的纖細外形尺寸要求。該器件具有低RDS(ON) (74mOhm typical @ -4.5V VGS),能夠降低傳導損耗并提供出色的功耗性能 (1.9W)。

    FDZ391P豐富了飛兆半導體廣泛的便攜設計解決方案,這些方案是節省空間和延長電池壽命所不可或缺的。憑借飛兆半導體在功率管理、信號調節和先進封裝領域的豐富經驗,這些產品可讓設計人員顯著減小外形尺寸,并提供出色的熱性能和電氣性能以滿足便攜應用的需求。這些解決方案包括µSerDes串化器/解串器、Intel、liMAX先進負載開關、USB開關、DC-DC轉換器、邏輯電平轉換器和許多其它功率管理及信號調節技術。

    FDZ391P采用無鉛 (Pb-free) 端子,潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標準對無鉛回流焊的要求。所有飛兆半導體產品均滿足歐盟有害物質限用指令 (RoHS) 的要求。

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