產(chǎn)品特性：
- PowerPAK SO-8 封裝
- 4.5V 柵極電壓時有2.25 毫歐最大導(dǎo)通電阻
- 導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積為 98
應(yīng)用范圍：
- 穩(wěn)壓器模塊、服務(wù)器
- 使用負(fù)載點(diǎn)功率轉(zhuǎn)換的眾多系統(tǒng)
日前，Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件，該器件具有破紀(jì)錄的導(dǎo)通電阻規(guī)格及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。
新型 TrenchFET第三代 Si7192DP是一款采用 PowerPAK SO-8 封裝的 n 通道器件，在 4.5V 柵極驅(qū)動電壓時具有 2.25 毫歐的最大導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中針對 MOSFET 的關(guān)鍵優(yōu)值 (FOM)，該值為 98，是任何采用 SO-8 封裝的 VDS= 30V、VGS= 20 V 器件的新業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)。與分別為實現(xiàn)低導(dǎo)通損失及低開關(guān)損失而優(yōu)化的最接近競爭器件相比，這些代表了市場上最佳的現(xiàn)有規(guī)格。更低的導(dǎo)通電阻及更低的柵極電荷分別可轉(zhuǎn)變成更低的傳導(dǎo)損失及更低的開關(guān)損失。
Vishay Siliconix Si7192DP 將在同步降壓轉(zhuǎn)換器以及二級同步整流及 OR-ing 應(yīng)用中作為低端 MOSFET。其低導(dǎo)通及開關(guān)損失將使穩(wěn)壓器模塊 (VRM)、服務(wù)器及使用負(fù)載點(diǎn) (POL) 功率轉(zhuǎn)換的眾多系統(tǒng)實現(xiàn)功效更高且更節(jié)省空間的設(shè)計。
目前，Si7192DP 控制器的樣品和量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。
