①增加發(fā)光的大小。單一的LED發(fā)光區(qū)域和有效地增加流動的電流量，通過均勻分布層TCL，以達到預期的磁通。但是，簡單地增大發(fā)光面積不解決這個問題，散熱問題，不能達到預期的效果和實際應用中的磁通量。

②硅底板倒裝法。共晶焊料，首先，準備一個大的LED面板燈芯片，并準備一個合適的尺寸，在硅襯底和硅襯底，使用金的共晶釬料層和導電層導體(超聲波金絲球窩接頭)，以及使用所述移動設備的被焊接在一起共晶焊料的LED芯片和大尺寸的硅襯底。這樣的結構更加合理，不僅要考慮這個問題，考慮到光與熱的問題，這是主流的大功率LED生產(chǎn)。

Lumileds公司，美國在2001年開發(fā)出了不同的倒裝芯片的電源的AlGaInN(FCLED)結構，制造過程：第一P型氮化鎵外延膜沉積在頂部的層厚度超過500A，并返回的反射Niau的歐姆接觸，然后選擇性地蝕刻，使用掩模，在P型層和多量子阱有源層，露出N型層淀積，蝕刻后形成的N型歐姆接觸層1的1mm×1mm的一側的P型歐姆接觸，N型歐姆接觸以梳狀插入其中，芯片尺寸，從而使當前的擴展距離可以縮短，以盡量減少支持和銦鎵鋁氮化物擴散阻力的ESD保護二極管(ESD)的硅芯片安裝顛倒焊錫凸塊。

③陶瓷板倒裝法。通用裝置的晶體結構的LED面板燈芯片的LED芯片的下一個大的，在陶瓷板和陶瓷基板的共晶釬料層和導電層，在該區(qū)域產(chǎn)生的相應的引線，焊接電極中使用水晶LED芯片和大規(guī)格陶瓷薄板焊接的焊接設備。這樣的結構是需要考慮的問題，也是需要考慮的問題，光，熱，使用高導熱陶瓷板，陶瓷板，散熱效果非常好，價格也比較低，更適合為當前的基本包裝材料和空間保留給將來的集成電路一體化。

④藍寶石襯底過渡方法。在藍寶石襯底除去后的PN結的制造商，在藍寶石襯底上生長InGaN芯片，然后再連接的傳統(tǒng)的四元材料，制造大型結構的藍色LED芯片的下部電極上，通過常規(guī)的方法。

⑤AlGaInN的碳化硅(SiC)背面光的方法。美國CREE公司是世界上唯一的碳化硅基板的AlGaInN超高亮度LED制造商，多年來生產(chǎn)的AlGaInN/SICA芯片的架構不斷完善和增加亮度。由于在P型和N型電極分別位于該芯片的頂部和底部，使用一個單一的引線鍵合，較好的相容性，易用性，因而成為主流產(chǎn)品的發(fā)展AlGaInNLED另一個。

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