【導讀】早在4年前，宜特就開始研究WLCSP第一代FIB電路修補技術，當年不僅入選國際材料工程與科學協(xié)會(ASM)所舉辦的ISTFA論壇，更通過材料科學期刊(jMS)的審核，成為該論文的期刊文章...
近日，宜特利用獨特前處理工法，研發(fā)出第二代WLCSP(Wafer-level chip scale package，晶圓級芯片尺寸封裝)電路修補解決方案，可以更有效縮短工時，提升電路修補成功率。
宜特第一代WLCSPFIB電路修補技術，也從研發(fā)階段，走向開案階段，成功協(xié)助多家電源管理、模擬、多媒體IC設計與手機芯片業(yè)者，縮短產(chǎn)品驗證及除錯的時程，使產(chǎn)品可順利上市。
今年更再接再厲，開發(fā)獨特WLCSP電路修補前處理工法，非常榮幸獲得IEEE半導體故障分析領域最高殿堂IPFA(International Symposiumonthe Physical and Failure Analysisof Integrated Circuits,集成電路失效分析論壇)，邀請宜特發(fā)表WLCSP第二代FIB電路修補解決方案。
宜特科技材料分析與FIB工程部經(jīng)理陳聲宇博士表示，WLCSP意指在晶圓切割前，利用錫球來形成接點，直接在晶圓上完成IC封裝的技術，比起傳統(tǒng)打線封裝，可有效縮減封裝體積;面對穿戴式、智能手持式裝置輕薄化的趨勢，具有面積最小、厚度最薄等特征的WLCSP封裝方式，也受到越來越多廠商采用。
“然而此封裝形式的IC產(chǎn)品，在進行FIB線路修補時將面臨到兩大挑戰(zhàn)，一是IC下層的電路，絕大部分都會被上方的錫球與RDL(RedistributionLayer,線路重布層)給遮蓋住，這些區(qū)域在過往是無法進行線路修補的。二是少數(shù)沒有遮蓋到的部分，也會因上方較厚的Organic Passivation(有機護層)，大大增加線路修補的難度與工時。”陳聲宇進一步指出。
宜特今年所研發(fā)出的第二代WLCSP電路修補技術，已為此類產(chǎn)品帶來解決方案，透過獨特的前處理工法，任何在錫球、RDL、或有機謢層下方的區(qū)域，都能順利完成電路修補(參見下圖);比起利用宜特第一代使用導電電子連接金屬導線的線路修補接合方法，施工工時大幅縮短一半，良率提升一倍。
圖說:透過獨特的前處理工法，任何被錫球(site-3)、RDL(site-2)、或有機謢層(site-1)遮蓋的區(qū)域都能順利完成FIB線路修補。
宜特研發(fā)技術與設備能量的升級，將可協(xié)助使用先進封裝的IC設計者，在電路驗證、偵錯、失效分析上更直接、靈活且快速，加速產(chǎn)品上市時間(Time-to-market)。
除了在先進封裝產(chǎn)品上的研發(fā)成果，宜特在先進制程上的技術進展也不停歇，日前引進了業(yè)界具有極佳分辨率及穩(wěn)定度的FEIV400ACEFIB機臺，能成功執(zhí)行16nm制程IC的線路修補。
